650V 25mΩ Gen2 Automobilistik SiC MOSFET

Veprime të Rralla

Aplikimet

Skica:

Larg Schematic:

Vlerat Maksimale Absolute (TC=25°C në qof shqetër të tjera)

ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
VDS	Tretë-Çelës voltage	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Gjashtësi Maksimale DC	-5 në 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spik)	Spike votimi maksimum	-10 deri në 23	V	Cikli i ndonjësi <1%, dhe gjerësia e impulsit <200ns
VGSon	Voli që rekomandohet për largimin	18±0.5	V
VGSoff	Voli që rekomandohet për fshirjen	-3.5 deri -2	V
id	Rrjedha e drejtë (përparuese)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Rrjedhës draini (pulsuar)	247	A	Gjerësia e pulsat të kufizuar nga SOA	Fig. 26
Ptot	Humbja totale e energjisë	454	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Varg temperatura e ruajtjes	-55 në 175	vj
Tj	Temperatura e lëndimit në veprim	-55 në 175	vj
TL	Temperatura e lëngut	260	vj	lëng tahi i lejuar vetëm në këndesh, 1.6mm nga rast për 10 s

Të dhënat termike

ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Shënim
Rθ(J-C)	Rezistencë Termike prej Larg dhe deri tek Rastri	0.33	°C/W	Fig. 25

Karakteristikat Elektrike (TC =25。C nisi të caktuar ndryshe)

ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
IDSS	Sasi e drejtuesit kur voltazhi i kapakut është zero		3	100	= 0V	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Rryma e derdhjes së portës			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	(TH)		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
ton	Rezistencë e rritur statike ndërmjet drejtues dhe burr		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
ton	Rezistencë e rritur statike ndërmjet drejtues dhe burr		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	ies		3090		PF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Kapaciteti i prodhimit		251		PF
Crss	Kapaciteti i transferit të kundërt		19		PF
Eoss	energji e depozituar në Coss		52		μJ		Fig. 17
Qg	Larg total i qiellit		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 deri në 18V	Fig. 18
Qgs	Larg dhe mbulon gjysmë të burimit		35.7		nC
Qgd	Larg dhe mbulon gjysmë të drejtes		38.5		nC
Rg	Rezistencë hyrjeje e portit		1.5		Oh	f=1MHz
EON	Energjia e Kalimit të Aktivizimit		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 deri në 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
Eof	Energjia e Kalimit të Çaktivizimit		95.0		μJ
td(on)	Koha e vonesës së ndezjes		12.9		ns
tr	Koha e ngritjes		26.5
td(off)	Koha e vonesës së fikjes		23.2
tf	Koha e rënies		11.7
EON	Energjia e Kalimit të Aktivizimit		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 deri në 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
Eof	Energjia e Kalimit të Çaktivizimit		99.7		μJ		Fig. 22

Karakteristikat e Diodës Larg (TC =25。C nisi të caktuar ndryshe)

ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
VSD	1ms		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	1ms		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ngarkesa e Rikuperimit të Prapambetjes		195.3		nC
IRRM	Rrjeta e kthimit të pandryshme		20.2		A