SiC MOSFET 1700V 1000mΩ Inverter Solar

Vendndodhja e Origjina:	Zhejiang
Emri i markës:	Inventchip Technology
Numri i Modelit:	IV2Q171R0D7Z
Certifikimi:	Kaluar AEC-Q101

Veprime të Rralla

• Tecnologji e 2-të Gjeneracion SiC MOSFET me +15~+18V drejtim portë

• Votimi larg me rezistencë të ulët në gjendjen e ndalimit

• Shpejtësi e larg me kapacitancë të ulët

• Aptitudhë për temperaturë operativë e lidhur me 175℃

• Diodë trupore bërtham dhe rëndësishme

• Hapat gate leht ndaj dizajnit të rrethit driver

• Kaluar AEC-Q101

Aplikimet

• Inverter Solar

• Largjera për fuqinë shtetore

• Burimet e Larg Power Switch

• Mjetorë inteligjente

Skica:

 

Larg Schematic:

Vlerat Maksimale Absolute (TC=25°C në qof shqetër të tjera)

ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
VDS	Tretë-Çelës voltage	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Përfshirë)	Spike votimi maksimum	-10 deri në 23	V	Cikli i ndonjës <1%, dhe gjerësia e impulsit <200ns
VGSon	Voli që rekomandohet për largimin	15 në 18	V
VGSoff	Voli që rekomandohet për fshirjen	-5 në -2	V	Vlerë tipike -3.5V
id	Rrjedha e drejtë (përparuese)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Rrjedhës draini (pulsuar)	15.7	A	Gjerësia e pulsat të kufizuar nga SOA dhe Rθ(J-C) dinamik	Fig. 25, 26
ISM	Rrjedhësi diodës trupi (pulsuar)	15.7	A	Gjerësia e pulsat të kufizuar nga SOA dhe Rθ(J-C) dinamik	Fig. 25, 26
Ptot	Humbja totale e energjisë	73	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Varg temperatura e ruajtjes	-55 në 175	vj
Tj	Temperatura e lëndimit në veprim	-55 në 175	vj

Të dhënat termike

ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Shënim
Rθ(J-C)	Rezistencë Termike prej Larg dhe deri tek Rastri	2.05	°C/W	Fig. 25

Karakteristikat Elektrike (TC =25°C në qof shkak të tjera)

ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
		Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?
IDSS	Sasi e drejtuesit kur voltazhi i kapakut është zero		1	10	= 0V	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Rryma e derdhjes së portës			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
ton	Himarë static ndaj burrave të burimeve		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	ies		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Kapaciteti i prodhimit		15.3		PF
Crss	Kapaciteti i transferit të kundërt		2.2		PF
Eoss	energji e depozituar në Coss		11		μJ		Fig. 17
Qg	Larg total i qiellit		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 deri në 18V	Fig. 18
Qgs	Larg dhe mbulon gjysmë të burimit		2.7		nC
Qgd	Larg dhe mbulon gjysmë të drejtes		12.5		nC
Rg	Rezistencë hyrjeje e portit		13		Oh	f=1MHz
EON	Energjia e Kalimit të Aktivizimit		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V në 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
Eof	Energjia e Kalimit të Çaktivizimit		17.0		μJ
td(on)	Koha e vonesës së ndezjes		4.8		ns
tr	Koha e ngritjes		13.2
td(off)	Koha e vonesës së fikjes		12.0
tf	Koha e rënies		66.8
EON	Energjia e Kalimit të Aktivizimit		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V deri në 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Karakteristikat e Diodës Larg (TC =25。C nisi të caktuar ndryshe)

ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
		Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?
VSD	1ms		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
is	Rrjedhje e diodës përpara (përmbajtje)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Ngarkesa e Rikuperimit të Prapambetjes		54.2		nC
IRRM	Rrjeta e kthimit të pandryshme		8.2		A

Performanca Tipike (kurva)

 

Dimensionet e Paketës

Shënim:

1. Referenca e Paketës: JEDEC TO263, Variacion AD

2. Të gjitha matemat janë në mm

3. Larg subjekt për ndryshim pa larg