1700V 1000mΩ Fuqia e Largtare SiC MOSFET

Veprime të Rralla

⚫ Teknologji e 2-të Gjeneracion SiC MOSFET me

+15~+18V drejtim port

⚫ Voltaz blokues i larg me rezistencë të ulët në qark

⚫ Ndryshim shpejt me kapacitancë të ulët

⚫ Kapacitet për temperaturë lidhjeje operativ 175℃

⚫ Diod trup i brendshëm i shpejt dhe i fortë

⚫ Hyrje portat Kelvele lehteson dizajnin e qarkut drejtor

Aplikimet

⚫ Invertere solare

⚫ Furnit të energjisë shtese

⚫ Largjet e energjisë me ndryshim modaliteti

⚫ Kujundorë inteligjente

Skica:

Larg Schematic:

Vlerat Maksimale Absolute (TC=25°C në qof shqetër të tjera)

ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
VDS	Tretë-Çelës voltage	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Përfshirë)	Spike votimi maksimum	-10 deri në 23	V	Cikli i ndonjës <1%, dhe gjerësia e impulsit <200ns
VGSon	Voli që rekomandohet për largimin	15 në 18	V
VGSoff	Voli që rekomandohet për fshirjen	-5 në -2	V	Vlerë tipike -3.5V
id	Rrjedha e drejtë (përparuese)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Fig. 23
id	Rrjedha e drejtë (përparuese)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Fig. 23
IDM	Rrjedhës draini (pulsuar)	15.7	A	Gjerësia e pulsat të kufizuar nga SOA dhe Rθ(J-C) dinamik	Fig. 25, 26
ISM	Rrjedhësi diodës trupi (pulsuar)	15.7	A	Gjerësia e pulsat të kufizuar nga SOA dhe Rθ(J-C) dinamik	Fig. 25, 26
Ptot	Humbja totale e energjisë	73	W	TC=25°C	Fig. 24
TSTG	Varg temperatura e ruajtjes	-55 në 175	vj
Tj	Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit	-55 në 175	vj

Të dhënat termike

ndryshe	Parametri	Vlera	Njësia	Shënim
Rθ(J-C)	Rezistencë Termike prej Larg dhe deri tek Rastri	2.05	°C/W	Fig. 25

Karakteristikat Elektrike (TC=25°C në qof shqetër të tjera)

ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
IDSS	Sasi e drejtuesit kur voltazhi i kapakut është zero		1	10	= 0V	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Rryma e derdhjes së portës			±100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	(TH)	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	(TH)		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA në TJ=175°C	Fig. 8, 9
ton	Rezistencë e rritur statike midis drainit dhe burrit		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A në TJ=25°C në TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
ton	Rezistencë e rritur statike midis drainit dhe burrit		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A në TJ=25°C në TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	ies		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Kapaciteti i prodhimit		15.3		PF
Crss	Kapaciteti i transferit të kundërt		2.2		PF
Eoss	energji e depozituar në Coss		11		μJ		Fig. 17
Qg	Larg total i qiellit		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 deri në 18V	Fig. 18
Qgs	Larg dhe mbulon gjysmë të burimit		2.7		nC
Qgd	Larg dhe mbulon gjysmë të drejtes		12.5		nC
Rg	Rezistencë hyrjeje e portit		13		Oh	f=1MHz
EON	Energjia e Kalimit të Aktivizimit		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V deri në 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
Eof	Energjia e Kalimit të Çaktivizimit		17.0		μJ
td(on)	Koha e vonesës së ndezjes		4.8		ns
tr	Koha e ngritjes		13.2
td(off)	Koha e vonesës së fikjes		12.0
tf	Koha e rënies		66.8
EON	Energjia e Kalimit të Aktivizimit		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V në 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
Eof	Energjia e Kalimit të Çaktivizimit		22.0		μJ		Fig. 22

Karakteristikat e Diodës Larg (TC=25°C në qof shqetër të tjera)

ndryshe	Parametri	Vlera			Njësia	Kushtet e provës	Shënim
ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia	Kushtet e provës	Shënim
VSD	1ms		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	1ms		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
is	Rrjedhje e diodës përpara (përmbajtje)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
is	Rrjedhje e diodës përpara (përmbajtje)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Ngarkesa e Rikuperimit të Prapambetjes		54.2		nC
IRRM	Rrjeta e kthimit të pandryshme		8.2		A