Elektrické vozidlá sa v posledných rokoch čoraz viac využívajú pre svoj ekologický dizajn. V každom prípade sú elektromobily stále výzvou nízkemu dojazdu a dlhým časom nabíjania. SiC MOSFET však majú potenciál vyriešiť tieto problémy a začať novú éru technológie elektrických vozidiel.
SiC MOSFET sú druhom výkonovej elektroniky novej generácie a ponúkajú vynikajúce výkony oproti kremíkovým alternatívam z hľadiska napätia, frekvencie, účinnosti a teploty. SiC MOSFET môžu výrazne zlepšiť účinnosť konverzie a výkon v elektrickom vozidle vďaka svojej schopnosti pracovať pri vyšších frekvenciách a teplotách. Inými slovami, SiC MOSFET by mohli pripraviť cestu pre elektrické autá, ktoré sa nabíjajú rýchlejšie a rýchlejšie/efektívnejšie pri dojazde batérie znížením negatívnych vplyvov, ako sú požiadavky na chladenie.
SiC MOSFET však nie sú výhradne pre elektrické vozidlá. Táto technológia je tiež navrhnutá tak, aby vyplatila dividendy v hybridných vozidlách, ktoré spájajú spaľovacie motory s elektromotormi pre zvýšenie spotreby paliva. Zvýšením hustoty výkonu motorových pohonov a zlepšením systémov nabíjania/vybíjania batérií pomocou SiC MOSFET môžu hybridné autá zlepšiť efektivitu a výkon. Tieto inovácie by mali priniesť zlepšenie spotreby paliva a zníženie emisií uhlíka počas životného cyklu hybridných vozidiel.
Okrem hybridov môžu staršie vozidlá poháňané spaľovacím motorom, ktoré sú dnes jednými z najväčších emitentov skleníkových plynov, dosiahnuť zlepšenie prostredníctvom integrácie SiC MOSFET. SiC MOSFET môžu zlepšiť účinnosť systémov hnacej sústavy, čo vedie k zvýšeniu spotreby paliva, čo umožňuje konvenčným vozidlám znižovať emisie na globálnej úrovni. Okrem toho, SiC MOSFET v pomocných systémoch, ako je elektrický posilňovač riadenia a klimatizácia, môžu tiež prispieť k vyššej spotrebe paliva a zníženiu emisií uhlíka.
Ticho o budúcnosti, technológia autonómneho riadenia sa chystá na nezastaviteľnú vlnu v automobilovom priemysle – sľubuje požehnanie alebo spájanie mimoriadne efektívnej a spoľahlivej výkonovej elektroniky. Tento prechod povedú SiC MOSFET alebo výkonová elektronika pre autonómne vozidlá, čo urýchlilo vývoj automobilov. Medzitým SiC MOSFET umožňujú vyššie napäťové a prúdové schopnosti a znižujú spínacie straty a zároveň zlepšujú tepelný výkon, čím sa zvyšuje bezpečnosť autonómnej jazdy.
V súhrne sa očakáva, že vysoká miera prijatia SiC MOSFET v elektrických/hybridných/autonómnych vozidlách bude hrať významnú úlohu pri znižovaní globálnych emisií uhlíka a zvyšovaní dojazdu/spotreby paliva. Automobilový trh sa rýchlo blíži k bodu zlomu a výrobcovia sa predháňajú vo výrobe energeticky účinných a ekologických vozidiel. Riešenie týchto problémov je dôležité pre dosiahnutie budúcnosti, v ktorej budú vozidlá ekologické a spoľahlivé, vďaka čomu je technológia SiC MOSFET na špičkovej úrovni.