650V 25mΩ Gen2 Automobilový SiC MOSFET

Vlastnosti

Aplikácie

Náčrt:

Označovacia schéma:

Absolútne maximálne hodnoty (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	hodnota	Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
VDS	Napätie medzi odberárom a zdrojom	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maximálne DC napätie	-5 do 20	V	Statické (DC)
VGSmax (Výpěnka)	Maximálna bodová napätie	-10 do 23	V	Cyklus pracovnej výkonovosti <1%, a šírka impulzu <200ns
VGSon	Odporúčané zapalovacie napätie	18±0.5	V
VGSoff	Odporúčané vypínacie napätie	-3.5 do -2	V
Identifikácia	Prúd drainu (neustály)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Obr. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Prúd drainu (impulzívny)	247	A	Šírka impulzu obmedzená SOA	Obr. 26
PTOT	Celkové spotrebované výkon	454	W	TC =25°C	Obr. 24
Tstg	Rozsah teploty skladovania	-55 do 175	°C
TJ	Prevádzková teplota spoje	-55 do 175	°C
TL	Teplota lútinovania	260	°C	lútinovanie je dovolené iba na vodičoch, 1,6 mm od tiaла počas 10 s

Teplotné údaje

Súbor	Parameter	hodnota	Jednotka	Poznámka
Rθ(J-C)	Teplotná odpornosť od spojenia ku krabici	0.33	°C/W	Obr. 25

Elektrické charakteristiky (TC =25。C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
Súbor	Parameter	Min.	Typ.	Max, čo sa deje?	Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
IDSS	Drenážny prúd pri nulovej gatovej napäťe		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Utečový prúd brány			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Prahové napätie brány	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Obr. 8, 9
VTH	Prahové napätie brány		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175.°C	Obr. 8, 9
hrabe	Statický odpor medzi drainom a zdrojom v stave zapnutia		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Obr. 4, 5, 6, 7
hrabe	Statický odpor medzi drainom a zdrojom v stave zapnutia		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Obr. 4, 5, 6, 7
Ciss	Vstupná kapacita		3090		PF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Obr. 16
Coss	Výstupná kapacita		251		PF
Crss	Kapacita opačného prenosu		19		PF
Eoss	Uložená energia Coss		52		μJ		Obr. 17
Qg	Celkový vratný náboj		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 do 18V	Obr. 18
Qgs	Náboj medzi bránou a zdrojom		35.7		nC
Qgd	Náboj medzi bránou a drenom		38.5		nC
Rg	Vstupný odpor brány		1.5		Ω	f=1MHz
EON	Energetické prepnutie pri zapnutí		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Obr. 19, 20
EOFF	Energetické prepnutie pri vypnutí		95.0		μJ
td(zač)	Čas oneskorenia pri zapnutí		12.9		NS
TR	Čas nárastu		26.5
td(vyp)	Čas oneskorenia pri vypnutí		23.2
TF	Čas pádu		11.7
EON	Energetické prepnutie pri zapnutí		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Obr. 22
EOFF	Energetické prepnutie pri vypnutí		99.7		μJ		Obr. 22

Vlastnosti reverzného diódy (TC =25。C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
Súbor	Parameter	Min.	Typ.	Max, čo sa deje?	Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
VSD	Predná diódová elektrická súčasť		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Obr. 10, 11, 12
VSD	Predná diódová elektrická súčasť		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175. C	Obr. 10, 11, 12
trr	Čas opačného obnovenia		32		NS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Náboj opačného obnovenia		195.3		nC
IRRM	Maximálny vrcholný prúd opačného obnovenia		20.2		A