1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solárne invertory Slovensko

Miesto pôvodu:	Zhejiang
Výrobca:	Technológia Inventchip
Model:	IV2Q171R0D7Z
Certifikat:	Kvalifikácia AEC-Q101

Vlastnosti

• Technológia SiC MOSFET 2. generácie s pohonom brány +15~+18V

• Vysoké blokovacie napätie s nízkym odporom pri zapnutí

• Vysokorýchlostné spínanie s nízkou kapacitou

• Schopnosť prevádzkovej teploty spoja 175 ℃

• Ultra rýchla a robustná dióda s vlastným telom

• Návrh obvodu ovládača pre zjednodušenie vstupu Kelvinovej brány

• Kvalifikácia AEC-Q101

použitie

• Solárne invertory

• Pomocné napájacie zdroje

• Spínané napájacie zdroje

• Inteligentné metrov

Osnova:

 

Schéma značenia:

aboslútne maximálne hodnotenie(TC=25°C, pokiaľ nie je uvedené inak)

symbol	Parameter	Hodnota	Jednotka	Testovacie podmienky	Poznámky
VDS	Drain-Source napätie	1700	V	VGS = 0 V, ID = 10 μA
VGSmax (prechodné)	Maximálne špičkové napätie	-10 až 23	V	Pracovný cyklus <1% a šírka impulzu <200ns
VGSon	Odporúčané zapínacie napätie	15 až 18	V
VGSoff	Odporúčané vypínacie napätie	-5 až -2	V	Typická hodnota -3.5V
ID	Odtokový prúd (nepretržitý)	6.3	A	VGS = 18 V, TC = 25 °C	Obr
		4.8	A	VGS = 18 V, TC = 100 °C
IDM	Odtokový prúd (pulzný)	15.7	A	Šírka impulzu obmedzená SOA a dynamickým Rθ(JC)	Obr. 25, 26
ISM	Prúd diódy tela (pulzný)	15.7	A	Šírka impulzu obmedzená SOA a dynamickým Rθ(JC)	Obr. 25, 26
PTOT	Celková strata energie	73	W	TC = 25 °C	Obr
Tstg	Rozsah skladovacích teplôt	-55 až 175	° C
TJ	Prevádzková teplota spoja	-55 až 175	° C

Tepelné údaje

symbol	Parameter	Hodnota	Jednotka	Poznámky
Rθ(JC)	Tepelný odpor od križovatky po puzdro	2.05	° C / W	Obr

Elektrické vlastnosti(TC = 25 °C, pokiaľ nie je uvedené inak)

symbol	Parameter	Hodnota			Jednotka	Testovacie podmienky	Poznámky
		minúta	Typ.	Max.
IDSS	Odtokový prúd nulového napätia brány		1	10	μA	VDS = 1700 V, VGS = 0 V
IGSS	Zvodový prúd brány			± 100	nA	VDS = 0V, VGS = -5~20V
VTH KARTA	Prahové napätie brány	1.8	3.0	4.5	V	VGS = VDS, ID = 380uA	Obr. 8, 9
			2.0		V	VGS = VDS, ID = 380 uA @ TJ = 175 °C
RON	Statický odtok-zdroj zapnutý - odpor		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Obr. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ=25°C @TJ=175°C
Ciss	Vstupná kapacita		285		pF	VDS = 1000 0 V, VGS = 1 V, f = 25 MHz, VAC = XNUMX mV	Obr
Coss	Výstupná kapacita		15.3		pF
Crss	Reverzná prenosová kapacita		2.2		pF
Eoss	Úspora energie		11		μJ		Obr
Qg	Celkový poplatok za bránu		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 až 18V	Obr
Qgs	Nabíjanie zo zdroja brány		2.7		nC
Qgd	Nabíjanie brány-odtok		12.5		nC
Rg	Vstupný odpor brány		13		Ω	f=1 MHz
EON	Zapnutie spínacej energie		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Obr. 19, 20
EOFF	Vypnutie spínacej energie		17.0		μJ
td(on)	Čas oneskorenia zapnutia		4.8		ns
tr	Čas nábehu		13.2
td (vypnuté)	Čas oneskorenia vypnutia		12.0
tf	Jesenný čas		66.8
EON	Zapnutie spínacej energie		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Obr

Charakteristika reverznej diódy(TC = 25 °C, pokiaľ nie je uvedené inak)

symbol	Parameter	Hodnota			Jednotka	Testovacie podmienky	Poznámky
		minúta	Typ.	Max.
VSD	Priepustné napätie diódy		4.0		V	ISD = 1 A, VGS = 0 V	Obr. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD = 1 A, VGS = 0 V, TJ = 175 °C
IS	Dopredný prúd diódy (nepretržitý)			11.8	A	VGS = -2 V, TC = 25 °C
				6.8	A	VGS = -2 V, TC = 100 °C
trr	Obrátený čas zotavenia		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω  L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Reverzný poplatok za obnovenie		54.2		nC
IRRM	Špičkový reverzný obnovovací prúd		8.2		A

Typický výkon (krivky)

 

Rozmery balenia

Poznámka:

1. Označenie balenia: JEDEC TO263, Variácia AD

2. Všetky rozmery sú v mm

3. Vyhradené zmenám bez predchádzajúceho upozornenia