1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solárne invertery

Miesto pôvodu:	Zhejiang
Názov značky:	Inventchip Technology
Číslo modelu:	IV2Q171R0D7Z
Certifikácia:	AEC-Q101 kvalifikované

Vlastnosti

• 2. generácia technológie SiC MOSFET s +15~+18V vodičom brány

• Vysoké blokovacie napätie s nízkym odporom pri vedení

• Rýchle preklápajúce sa s nízkou kapacitou

• Schopnosť prevádzky pri teplotách spojov až 175℃

• Ultrarýchla a robustná vlastná dióda

• Kelvinový vstup brány zjednodušujúci dizajn obvodu vodiča

• AEC-Q101 kvalifikované

Aplikácie

• solárne invertory

• Pomocné zdroje napätia

• Zdroje napájania v režime prechodového stavu

• Inteligentné meracie zariadenia

Náčrt:

 

Označovacia schéma:

Absolútne maximálne hodnoty (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	hodnota	Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
VDS	Napätie medzi odberárom a zdrojom	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Prechádzka)	Maximálna bodová napätie	-10 do 23	V	Cyklus <1%, a šírka impulzu <200ns
VGSon	Odporúčané zapalovacie napätie	15 do 18	V
VGSoff	Odporúčané vypínacie napätie	-5 do -2	V	Typická hodnota -3,5V
Identifikácia	Prúd drainu (neustály)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Obr. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Prúd drainu (impulzívny)	15.7	A	Šírka impulzu obmedzená SOA a dynamickým Rθ(J-C)	Obr. 25, 26
ISM	Prúd teliesového diódu (impulzívny)	15.7	A	Šírka impulzu obmedzená SOA a dynamickým Rθ(J-C)	Obr. 25, 26
PTOT	Celkové spotrebované výkon	73	W	TC =25°C	Obr. 24
Tstg	Rozsah teploty skladovania	-55 do 175	°C
TJ	Prevádzková teplota spoje	-55 do 175	°C

Teplotné údaje

Súbor	Parameter	hodnota	Jednotka	Poznámka
Rθ(J-C)	Teplotná odpornosť od spojenia ku krabici	2.05	°C/W	Obr. 25

Elektrické charakteristiky (TC =25°C, pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
		Min.	Typ.	Max, čo sa deje?
IDSS	Drenážny prúd pri nulovej gatovej napäťe		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Utečový prúd brány			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Prahové napätie brány	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Obr. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
hrabe	Statická odpor medzi drainom a zdrojom		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Obr. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Vstupná kapacita		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Obr. 16
Coss	Výstupná kapacita		15.3		PF
Crss	Kapacita opačného prenosu		2.2		PF
Eoss	Uložená energia Coss		11		μJ		Obr. 17
Qg	Celkový vratný náboj		16.5		nC	VDS = 1000V, ID = 1A, VGS = -5 až 18V	Obr. 18
Qgs	Náboj medzi bránou a zdrojom		2.7		nC
Qgd	Náboj medzi bránou a drenom		12.5		nC
Rg	Vstupný odpor brány		13		Ω	f=1MHz
EON	Energetické prepnutie pri zapnutí		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V až 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Obr. 19, 20
EOFF	Energetické prepnutie pri vypnutí		17.0		μJ
td(zač)	Čas oneskorenia pri zapnutí		4.8		NS
TR	Čas nárastu		13.2
td(vyp)	Čas oneskorenia pri vypnutí		12.0
TF	Čas pádu		66.8
EON	Energetické prepnutie pri zapnutí		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V až 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Obr. 22

Vlastnosti reverzného diódy (TC =25。C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
		Min.	Typ.	Max, čo sa deje?
VSD	Predná diódová elektrická súčasť		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Obr. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175. C
je	Predný prúd diódy (neustály)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25. C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100. C
trr	Čas opačného obnovenia		20.6		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Náboj opačného obnovenia		54.2		nC
IRRM	Maximálny vrcholný prúd opačného obnovenia		8.2		A

Typické vlastnosti (krivky)

 

Rozmery balenia

Poznámka:

1. Referenčný balík: JEDEC TO263, varianta AD

2. Všetky rozmery sú v mm

3. Bez upozornenia môžu byť zmenené