SiC SBD

1200V 40A Automobilový SiC Schottky Dióda

Úvod

Úvod

Miesto pôvodu:	Zhejiang
Názov značky:	Inventchip Technology
Číslo modelu:	IV1D12040U3Z
Certifikácia:	AEC-Q101 kvalifikované

Minimálna množstvo pre dodanie:	450 kusov
cena:
Podrobnosti o balení:
Doba dodania:
Platobné podmienky:
Zásobovateľnosť:

Vlastnosti

Maximálna spojovacia teplota 175°C
Vysoká kapacita prechodového prúdu
Nulový opačný obnovovací prúd
Nulové vpredné obnovovacie napätie
Vysokočastotná prevádzka
Prepínacia chovanie nezávislé na teplote
Kladný teplotný koeficient pri VF
AEC-Q101 kvalifikované

Aplikácie

Automobilové inverterové diódy s voľným kolieskom
Stĺpy naťahovačov elektromobilov
Viedeňský 3-fázový PFC
Zvýšenie solárnej energie
Zdroje napájania v režime prechodového stavu

Obrys

Označovací diagram

Absolútne maximálne hodnoty (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	hodnota	Jednotka
VRRM	Obrátené napätie (opakovaný pík)	1200	V
VDC	Blokujúce napätie DC	1200	V
ak	Predná súčasť (kontinuálna) @Tc=25°C	54*	A
	Predná súčasť (kontinuálna) @Tc=135°C	28*	A
	Vpredný prúd (neustály) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	Prúd vpredného preťaženia, nepovratný sinusový polovlny @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	Prúd vpredného preťaženia, povratný (Frekvencia=0.1Hz, 100 cyklov) sinusový polovlny @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A
PTOT	Celkové spotrebované mocnosť @ Tc=25°C	272*	W
	Celkové výkonové vypúšťanie pri Tc=150°C	45*
	Hodnota I2t pri Tc=25°C, tp=10ms	98*	A2s
Tstg	Rozsah teploty skladovania	-55 do 175	°C
TJ	Rozsah pracovnej spojovacej teploty	-55 do 175	°C

*Na nohu

Strety prekračujúce hodnoty uvedené v tabuľke maximálnych hodnôt môžu poškodiť zariadenie. Ak je ktorákoľvek z týchto hraníc prekročená, nemôže sa predpokladať funkčnosť zariadenia, môže dojsť ku škоде a ovlivniť sa môže spolehlivosť.

funkčnosť by nemala byť predpokladaná, môže dojsť ku škоде a spolehlivosť môže byť ovplyvnená.

Elektrické charakteristiky

Súbor	Parameter	Typ.	Max, čo sa deje?	Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
VF	Vpredné napätie	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	Obr. 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
IR	Spätný prúd	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Obr. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Celková kapacita	1114*		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Obr. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Celkový kapacitívny náboj	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Obr. 4
ec	Energia uložená v kondenzátore	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Obr. 5