SiC SBD

1200V 40A Automobilová SiC Schottkyho dióda Slovensko

úvod

úvod

Miesto pôvodu:	Zhejiang
Výrobca:	Technológia Inventchip
Model:	IV1D12040U3Z
Certifikat:	Kvalifikácia AEC-Q101

Minimálne množstvo v balení:	450PCS
cena:
Balenie Podrobnosti:
Dodacia lehota:
Platobné podmienky:
Dodávka Schopnosť:

Vlastnosti

Maximálna teplota spoja 175°C
Vysoká kapacita nárazového prúdu
Zero Reverse Recovery Current
Zero Forward Recovery Voltage
Vysokofrekvenčná prevádzka
Spínanie nezávislé od teploty
Pozitívny teplotný koeficient na VF
Kvalifikácia AEC-Q101

použitie

Automotive Invertor Free Wheeling Diódy
Hromady nabíjačky EV
Viedenská 3-fázová PFC
Zosilnenie solárnej energie
Prepínacie zdroje napájania

obrys

obraz

Diagram označovania

obraz

aboslútne maximálne hodnotenie(Tc=25°C, pokiaľ nie je uvedené inak)

symbol	Parameter	Hodnota	Jednotka
VRRM	Reverzné napätie (opakovaná špička)	1200	V
VDC	DC blokovacie napätie	1200	V
IF	Dopredný prúd (nepretržitý) @Tc=25°C	54 *	A
	Dopredný prúd (nepretržitý) @Tc=135°C	28 *	A
	Dopredný prúd (nepretržitý) @Tc=151°C	20 *	A
IFSM	Nárazový neopakovateľný dopredný prúd sínusová polvlna @Tc=25°C tp=10ms	140 *	A
IFRM	Rázový opakovaný dopredný prúd (frekvencia=0.1Hz, 100 cyklov) sínusová polvlna @Tamb=25°C tp=10ms	115 *	A
Ptot	Celkový stratový výkon @ Tc = 25 °C	272 *	W
	Celkový stratový výkon @ Tc = 150 °C	45 *
	Hodnota I2t @Tc=25°C tp=10ms	98 *	A2s
Tstg	Rozsah skladovacích teplôt	-55 až 175	° C
Tj	Rozsah teplôt prevádzkovej križovatky	-55 až 175	° C

*Na nohu

Namáhania, ktoré presahujú hodnoty uvedené v tabuľke maximálnych hodnotení, môžu poškodiť zariadenie. Ak dôjde k prekročeniu ktoréhokoľvek z týchto limitov, zariadenie

funkčnosť by sa nemala predpokladať, môže dôjsť k poškodeniu a môže byť ovplyvnená spoľahlivosť.

Elektrické vlastnosti

symbol	Parameter	Typ.	Max.	Jednotka	Testovacie podmienky	Poznámky
VF	Dopredné napätie	1.48 *	1.8 *	V	IF = 20 A TJ = 25 °C	Obr
		2.1 *	3.0 *		IF = 20 A TJ = 175 °C
IR	Reverzný prúd	10 *	200 *	μA	VR = 1200 V TJ =25 °C	Obr
		45 *	800 *		VR = 1200 V TJ =175 °C
C	Celková kapacita	1114 *		pF	VR = 1 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz	Obr
		100 *			VR = 400 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz
		77 *			VR = 800 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz
QC	Celkové kapacitné nabitie	107 *		nC	VR = 800 V, TJ = 25 °C, Qc = C(v)dv	Obr
EC	Kapacita uložená energia	31 *		μJ	VR = 800 V, TJ = 25 °C, Ec = C(v) ⋅vdv	Obr