Všetky kategórie
KONTAKTUJTE NÁS
SiC Modul

Domovská stránka /  Produky /  Komponenty /  SiC Modul

SiC Modul

1200V 25mohm SiC MODUL Otočné pohonové systémy
1200V 25mohm SiC MODUL Otočné pohonové systémy

1200V 25mohm SiC MODUL Otočné pohonové systémy

  • Úvod

Úvod

Miesto pôvodu: Zhejiang
Názov značky: Inventchip Technology
Číslo modelu: IV1B12025HC1L
Certifikácia: AEC-Q101


Vlastnosti

  • Vysoké blokovacie napätie s nízkym odporom pri vedení

  • Rýchle preklápajúce sa s nízkou kapacitou

  • Vysoká schopnosť prevádzky pri spojovacej teplote

  • Veľmi rýchla a robustná vlastná vnútorná dióda


Aplikácie

  • Solárne aplikácie

  • Systém neprerušiteľného zdroja energie (UPS)

  • Motorové ovládače

  • Vysokonapätové konvertory DC/DC


Balenie

image


image


Absolútne maximálne hodnoty (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor Parameter hodnota Jednotka Podmienky testovania Poznámka
VDS Napätie medzi odberárom a zdrojom 1200V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Maximálne DC napätie -5 do 22 V Statické (DC)
VGSmax (Výpěnka) Maximálna bodová napätie -10 do 25 V <1% časová zložka, a šírka impulzu <200ns
VGSon Odporúčané napätie zapnutia 20±0.5 V
VGSoff Odporúčané napätie vypnutia -3.5 do -2 V
Identifikácia Prúd drainu (neustály) 74A VGS =20V, TC =25°C
50A VGS =20V, TC =94°C
IDM Prúd drainu (impulzívny) 185A Šírka impulzu obmedzená SOA Obr.26
PTOT Celkové spotrebované výkon 250W TC =25°C Obr.24
Tstg Rozsah teploty skladovania -40 do 150 °C
TJ Maximálna virtuálna teplota spojov pri prechodových podmienkach -40 do 150 °C Operácia
-55 do 175 °C Intermitentne s redukovanej životnosťou


Teplotné údaje

Súbor Parameter hodnota Jednotka Poznámka
Rθ(J-C) Teplotná odpornosť od spojenia ku krabici 0.5°C/W Obr.25


Elektrické charakteristiky (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor Parameter hodnota Jednotka Podmienky testovania Poznámka
Min. Typ. Max, čo sa deje?
IDSS Drenážny prúd pri nulovej gatovej napäťe 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Utečový prúd brány 2±200 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Prahové napätie brány 3.2V VGS=VDS , ID =12mA Obr.9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
hrabe Statická odpor medzi drainom a zdrojom 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Obr.4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Vstupná kapacita 5.5NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Obr.16
Coss Výstupná kapacita 285PF
Crss Kapacita opačného prenosu 20PF
Eoss Uložená energia Coss 105μJ Obr.17
Qg Celkový vratný náboj 240nC VDS = 800V, ID = 40A, VGS = -5 do 20V Obr. 18
Qgs Náboj medzi bránou a zdrojom 50nC
Qgd Náboj medzi bránou a drenom 96nC
Rg Vstupný odpor brány 1.4Ω f=100kHZ
EON Energetické prepnutie pri zapnutí 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 až 20V, RG(ext)zap./ RG(ext)vyp. =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Obraz.19-22
EOFF Energetické prepnutie pri vypnutí 135μJ
td(zač) Čas oneskorenia pri zapnutí 15NS
TR Čas nárastu 4.1
td(vyp) Čas oneskorenia pri vypnutí 24
TF Čas pádu 17
LsCE Nehodnotená indukcia 8.8NH


Vlastnosti reverzného diódy (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor Parameter hodnota Jednotka Podmienky testovania Poznámka
Min. Typ. Max, čo sa deje?
VSD Predná diódová elektrická súčasť 4.9V ISD =40A, VGS =0V Obr.10- 12
4.5V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Čas opačného obnovenia 18NS VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Náboj opačného obnovenia 1068nC
IRRM Maximálny vrcholný prúd opačného obnovenia 96.3A


Charakteristiky NTC termistoru

Súbor Parameter hodnota Jednotka Podmienky testovania Poznámka
Min. Typ. Max, čo sa deje?
RNTC Nominálny odpor 5TNTC =25℃ Obr.27
ΔR/R Tolerancia odporu pri 25℃ -55%
β25/50 Beta hodnota 3380K ± 1%
Pmax Spotreba energie 5mW


Typické vlastnosti (krivky)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Rozmery obalu (mm)

image



Poznámky


Pre ďalšie informácie sa prosím obráťte na obchodnú kanceláriu IVCT.

Autorské práva © 2022 InventChip Technology Co., Ltd. Všetky práva vyhradené.

Informácie v tomto dokumente sú predmetom zmeny bez upozornenia.


Súvisiace odkazy


http://www.inventchip.com.cn


SÚVISIACI PRODUKT