IV1B12013HA1L – МОДУЛЬ SiC, 1200 В, 13 МОм, солнечная батарея Россия

Место происхождения:	Чжэцзян
Фирменное наименование:	Технология Инвенчип
Номер модели:	IV1B12013HA1L
сертификация:	АЭК-Q101

Особенности

• Высокое запирающее напряжение с низким сопротивлением в открытом состоянии

• Высокоскоростное переключение с низкой емкостью

• Высокая рабочая температура перехода

• Очень быстрый и надежный внутренний диод

Приложения

• Солнечные приложения

• Система ИБП

• Водители мотора

• Преобразователи постоянного тока высокого напряжения

Упаковка

Схема маркировки

Абсолютные максимальные значения(TC=25°C, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Ед.	Условия испытаний	Внимание
VDS	Напряжение сток-исток	1200	V
ВГСмакс (постоянный ток)	Максимальное напряжение постоянного тока	-5 до 22	V	Статический (постоянный ток)
ВГСмакс (Спайк)	Максимальное пиковое напряжение	-10 до 25	V	Рабочий цикл <1% и длительность импульса <200 нс
ВГСон	Рекомендуемое напряжение включения	20 0.5 ±	V
ВГСофф	Рекомендуемое напряжение выключения	от -3.5 до -2	V
ID	Ток стока (постоянный)	96	A	VGS = 20 В, Th = 50 ° C, Tvj≤150 ℃
		102	A	VGS = 20 В, Th = 50 ° C, Tvj≤175 ℃
IDM	Ток стока (импульсный)	204	A	Ширина импульса ограничена SOA	Fig.26
ПТОТ	Общая рассеиваемая мощность	210	W	Твдж≤150℃	Fig.24
Tstg	Диапазон температур хранения	-40 до 150	° C
TJ	Максимальная температура виртуального перехода в условиях переключения	-40 до 150	° C	Эксплуатация
		-55 до 175	° C	Прерывистый с сокращением срока службы

Тепловые данные

Символ	Параметр	Значение	Ед.	Внимание
Rθ(JH)	Термическое сопротивление от перехода до радиатора	0.596	° C / Вт	Fig.25

Электрические характеристики(TC=25°C, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Ед.	Условия испытаний	Внимание
		Минимум	Тип.	Максимум
ИДСС	Ток стока напряжения нулевого затвора		10	200	мкА	ВДС =1200В, ВГС =0В
ИГСС	Ток утечки затвора			± 200	nA	VDS = 0 В, VGS = -5 ~ 20 В
КАРТА VTH	Пороговое напряжение затвора	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS, ID=24мА	Fig.9
			2.3			VGS=VDS, ID=24мА при TC=150。C
RON	Статическое сопротивление включения сток-исток		12.5	16.3	мОм	VGS = 20 В, ID = 80 А @ TJ = 25 °C	Рис.4-7
			18		мОм	VGS = 20 В, ID = 80 А @ TJ = 150 °C
Сисс	Входная емкость		11		nF	VDS = 800 В, VGS = 0 В, f = 100 кГц, В переменного тока = 25 мВ	Fig.16
Косс	Выходная емкость		507		pF
Крсс	Обратная передаточная емкость		31		pF
Эосс	Запасенная энергия		203		мкДж		Fig.17
Qg	Общая плата за ворота		480		nC	VDS = 800 В, ID = 80 А, VGS = от -5 до 20 В.	Fig.18
вопросы	Плата затвор-источник		100		nC
Qгд	Зарядка затвора		192		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		1.0		Ω	f=100 кГц
EON	Включение энергии переключения		783		мкДж	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Рис.19-22
ЭОФФ	Выключить энергию переключения		182		мкДж
тд (включено)	Время задержки включения		30		ns
tr	Время нарастания		5.9
тд (выкл.)	Время задержки выключения		37
tf	Время падения		21
ЛсЦЭ	Паразитная индуктивность		7.6		nH

Характеристики обратного диода(TC=25°C, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Ед.	Условия испытаний	Внимание
		Минимум	Тип.	Максимум
VSD	Прямое напряжение диода		4.9		V	ИСД =80А, ВГС =0В	Рис.10- 12
			4.5		V	ISD =80А, VGS =0В, TJ =150°C
TRR	Обратное время восстановления		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Крр	Обратный сбор за восстановление		1095		nC
ИРРМ	Пиковый обратный ток восстановления		114		A

Характеристики термистора NTC

Символ	Параметр	Значение			Ед.	Условия испытаний	Внимание
		Минимум	Тип.	Максимум
РНТЦ	Номинальное сопротивление		5		кОм	ТНТЦ =25℃	Fig.27
ΔР/Р	Допуск сопротивления при 25 ℃	-5		5	%
β25/50	Бета Значение		3380		K	± 1%
Pмакс.	Рассеяние мощности		5		mW

Типичные характеристики (кривые)

         

Размеры упаковки (мм)