За последние несколько лет электромобили получили все большее распространение благодаря своему экологическому дизайну. В любом случае, электромобили по-прежнему страдают от малого запаса хода и длительного времени зарядки. Однако SiC MOSFET могут решить эти проблемы и открыть новую эру технологий электромобилей.
SiC MOSFET представляют собой разновидность силовой электроники нового поколения и обеспечивают превосходные характеристики по сравнению с кремниевыми альтернативами с точки зрения напряжения, частоты, эффективности и температуры. SiC MOSFET могут значительно улучшить эффективность преобразования и мощность электромобиля благодаря их способности работать при более высоких частотах и температурах. Другими словами, SiC MOSFET могут проложить путь к электромобилям, которые быстрее заряжаются и быстрее/более эффективно расходуют заряд батареи за счет снижения негативных воздействий, таких как требования к охлаждению.
Однако SiC MOSFET предназначены не только для электромобилей. Эта технология также призвана принести пользу гибридным автомобилям, в которых двигатели внутреннего сгорания сочетаются с электродвигателями для повышения топливной эффективности. За счет увеличения удельной мощности приводов двигателей и усовершенствования систем зарядки/разрядки аккумуляторов с помощью SiC MOSFET гибридные автомобили могут повысить эффективность и производительность. Эти инновации должны привести к улучшению экономии топлива и сокращению выбросов углекислого газа в течение жизненного цикла гибридных автомобилей.
Помимо гибридов, старые автомобили с двигателями внутреннего сгорания — одни из крупнейших источников выбросов парниковых газов, используемых сегодня — могут добиться улучшений за счет интеграции SiC MOSFET. SiC MOSFET могут повысить эффективность систем трансмиссии, что приведет к увеличению экономии топлива, позволяя обычным транспортным средствам сократить выбросы на глобальном уровне. Кроме того, SiC MOSFET во вспомогательных системах, таких как электроусилитель рулевого управления и кондиционер, также могут способствовать повышению топливной эффективности и снижению выбросов углекислого газа.
Не говоря уже о будущем, технология автономного вождения создает непреодолимую волну в автомобильной промышленности, обещая благо или предел чрезвычайно эффективной и надежной силовой электроники. Этот переход будет возглавляться SiC MOSFET или силовой электроникой для автономных транспортных средств, что ускорило развитие автомобилестроения. Между тем, SiC MOSFET обеспечивают более высокие напряжения и токи, снижают потери на переключение и одновременно улучшают тепловые характеристики, делая автономное вождение более безопасным.
Таким образом, ожидается, что широкое внедрение SiC MOSFET в электрических/гибридных/автономных транспортных средствах сыграет значительную роль в сокращении глобальных выбросов углекислого газа и увеличении запаса хода/экономии топлива. Автомобильный рынок быстро приближается к переломному моменту: производители стремятся производить энергоэффективные и экологически чистые автомобили. Решение этих проблем важно для достижения будущего, в котором транспортные средства будут экологически чистыми и надежными, что сделает технологию SiC MOSFET непревзойденной.