1700В 1000мΩ SiC MOSFET Инверторы для солнечных панелей

Место происхождения:	Чжэцзян
Название бренда:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV2Q171R0D7Z
Сертификация:	соответствует AEC-Q101

Особенности

• Технология второго поколения SiC MOSFET с напряжением управления затвором +15~+18В

• Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении включения

• Высокоскоростной переключающий с низкой ёмкостью

• Возможность работы при температуре перехода 175℃

• Ультрабыстрый и надежный встроенный диод

• Вход на ворота Kelvin, облегчающий проектирование цепи драйвера

• соответствует AEC-Q101

Применения

• Инверторы солнечных батарей

• Вспомогательные источники питания

• Блоки питания импульсного режима

• Умные счетчики

Описание:

 

Маркировочный диаграмма:

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	значение	единица	Условия испытаний	Заметка
VDS	Напряжение между стоком и истоком	1700	в	VGS =0В, ID =10мкА
VGSmax (Транзитный)	Максимальное напряжение импульса	-10 до 23	в	Цикл работы <1%, и ширина импульса <200нс
VGSon	Рекомендуемое напряжение включения	15 до 18	в
VGSoff	Рекомендуемое напряжение выключения	-5 до -2	в	Типовое значение -3.5В
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	6.3	A	VGS =18В, TC =25°C	Рис. 23
		4.8	A	VGS =18В, TC =100°C
IDM	Ток стока (импульсный)	15.7	A	Ширина импульса ограничена SOA и динамическим Rθ(J-C)	Рис. 25, 26
ISM	Ток диода корпуса (импульсный)	15.7	A	Ширина импульса ограничена SOA и динамическим Rθ(J-C)	Рис. 25, 26
Ptot	Общая рассеиваемость мощности	73	В	TC =25°C	Рис. 24
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-55 до 175	°C
Tj	Температура соединения	-55 до 175	°C

Тепловые данные

Символ	Параметр	значение	единица	Заметка
Rθ(J-C)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	2.05	°C/W	Рис. 25

Электрические характеристики (TC =25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	значение			единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора		1	10	μA	VDS =1700В, VGS =0В
IGSS	Ток утечки затвора			±100	НД	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Напряжение порога затвора	1.8	3.0	4.5	в	VGS =VDS , ID =380мкА	Рис. 8, 9
			2.0		в	VGS =VDS, ID =380мкА @ TJ =175°C
Рон	Статическое сопротивление канала между стоком и истоком в режиме включения		700 1280	910	мОм	VGS=18В, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Рис. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	мОм	VGS=15В, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Цисс	Входной пропускной способностью		285		PF	VDS =1000В, VGS =0В, f=1МГц, VAC=25мВ	Рис. 16
Косс	Выходной объем		15.3		PF
Крсс	Капацитет обратной передачи		2.2		PF
Еосс	Энергия, запасаемая в Косс		11		мкДж		Рис. 17
Главный офис	Общий заряд затвора		16.5		nC	VDS =1000В, ID =1А, VGS =-5 до 18В	Рис. 18
Qgs	Заряд между затвором и истоком		2.7		nC
Qgd	Заряд между затвором и стоком		12.5		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		13		Ω	f=1МГц
EON	Включение переменной энергии		51.0		мкДж	VDS =1000В, ID =2А, VGS =-3.5В до 18В, RG(внеш.) =10Ом, L=2330мкГн Tj=25°C	Рис. 19, 20
EOFF	Выключение переменной энергии		17.0		мкДж
td(on)	Время задержки включения		4.8		NS
tr	Время нарастания		13.2
td(off)	Время задержки выключения		12.0
TF	Время спада		66.8
EON	Включение переменной энергии		90.3		мкДж	VDS =1000В, ID =2А, VGS =-3.5В до 18В, RG(внеш.) =10Ом, L=2330мкГн Tj=175°C	Рис. 22

Характеристики обратного диода (TC =25.С, если не указано иное)

Символ	Параметр	значение			единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
VSD	Прямое напряжение диода		4.0		в	ISD =1A, VGS =0V	Рис. 10, 11, 12
			3.8		в	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175.С
есть	Прямой ток диода (непрерывный)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25.С
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100.С
trr	Время восстановления		20.6		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(внеш)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Сбор за возврат средств		54.2		nC
IRRM	Пиковый обратный восстановительный ток		8.2		A

Типичная производительность (кривые)

 

Размеры упаковки

Примечание:

1. Справочная информация по корпусу: JEDEC TO263, Вариация AD

2. Все размеры указаны в мм

3. Подлежит изменению без уведомления