Карбид кремния СБД

1200 В 40 А автомобильный SiC диод Шоттки Россия

Введение

Введение

Место происхождения:	Чжэцзян
Фирменное наименование:	Технология Инвенчип
Номер модели:	ИВ1Д12040У3З
сертификация:	Соответствует AEC-Q101

Минимальное количество упаковки:	450PCS
Цена:
Упаковка Подробности:

Условия оплаты:
Производительность:

Особенности

Максимальная температура перехода 175°C
Высокая мощность импульсного тока
Нулевой обратный ток восстановления
Нулевое прямое восстанавливающееся напряжение
Высокочастотная работа
Независимое от температуры поведение переключения
Положительный температурный коэффициент на ФЖ
Соответствует AEC-Q101

Приложения

Безколесные диоды для автомобильных инверторов
Сваи зарядных устройств для электромобилей
Венский 3-фазный PFC
Повышение солнечной энергии
Импульсные источники питания

очертание

Схема маркировки

Абсолютные максимальные значения(Tc=25°C, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Ед.
ВРРМ	Обратное напряжение (повторяющийся пик)	1200	V
В постоянного тока	Блокирующее напряжение постоянного тока	1200	V
IF	Прямой ток (постоянный) @Tc=25°C	54 *	A
	Прямой ток (постоянный) @Tc=135°C	28 *	A
	Прямой ток (постоянный) @Tc=151°C	20 *	A
ИФСМ	Импульсный неповторяющийся прямой ток синусоидальный полупериод @Tc=25°C tp=10мс	140 *	A
ИФРМ	Импульсный повторяющийся прямой ток (частота=0.1 Гц, 100 циклов) синусоидальный полупериод @Tamb =25°C tp=10мс	115 *	A
Птот	Общая рассеиваемая мощность при Tc=25°C	272 *	W
	Общая рассеиваемая мощность при Tc=150°C	45 *
	Значение I2t @Tc=25°C tp=10мс	98 *	A2s
Tstg	Диапазон температур хранения	-55 до 175	° C
Tj	Диапазон рабочих температур спая	-55 до 175	° C

*За ногу

Нагрузки, превышающие значения, указанные в таблице максимальных номинальных значений, могут привести к повреждению устройства. Если какой-либо из этих пределов превышен, устройство

не следует предполагать функциональность, это может привести к повреждению и снижению надежности.

Электрические характеристики

Символ	Параметр	Тип.	Максимум	Ед.	Условия испытаний	Внимание
VF	Прямое напряжение	1.48 *	1.8 *	V	IF = 20 А TJ =25°C	рисунок 1
		2.1 *	3.0 *		IF = 20 А TJ =175°C
IR	Обратный ток	10 *	200 *	мкА	VR = 1200 В TJ =25°C	рисунок 2
		45 *	800 *		VR = 1200 В TJ =175°C
C	Общая емкость	1114 *		pF	VR = 1 В, TJ = 25°C, f = 1 МГц	рисунок 3
		100 *			VR = 400 В, TJ = 25˚C, f = 1 МГц
		77 *			VR = 800 В, TJ = 25˚C, f = 1 МГц
QC	Общий емкостной заряд	107 *		nC	VR = 800 В, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	рисунок 4
EC	Емкостная запасенная энергия	31 *		мкДж	VR = 800 В, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	рисунок 5

*За ногу

Тепловые характеристики (на ногу)

Символ	Параметр	Тип.	Ед.	Внимание
Rth(jc)	Термическое сопротивление от соединения до корпуса	0.55	° C / Вт	Fig.7