Сик мосфета

1700В 1000мОм Вспомогательные источники питания SiC MOSFET

Введение

Введение

Место происхождения:	Чжэцзян
Название бренда:	Inventchip
Номер модели:	IV2Q171R0D7
Минимальное количество упаковки:	450

Особенности

⚫ Второе поколение технологии SiC MOSFET с

+15~+18V напряжением управления затвором

⚫ Высоким блокирующим напряжением при низком сопротивлении канала

⚫ Высокоскоростным переключением при низкой ёмкости

⚫ Возможностью работы при температуре перехода до 175℃

⚫ Ультрабыстрый и надёжный интегральный диод тела

⚫ Вход кельвиновского затвора, упрощающий проектирование цепи привода

Применения

⚫ Солнечные инверторы

⚫ Вспомогательные источники питания

⚫ Импульсные источники питания

⚫ Умные счетчики

Описание:

Маркировочный диаграмма:

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	значение	единица	Условия испытаний	Заметка
VDS	Напряжение между стоком и истоком	1700	в	VGS=0В, ID=10μA
VGSmax (Транзитный)	Максимальное напряжение импульса	-10 до 23	в	Цикл работы <1%, и ширина импульса <200нс
VGSon	Рекомендуемое напряжение включения	15 до 18	в
VGSoff	Рекомендуемое напряжение выключения	-5 до -2	в	Типовое значение -3.5В
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	6.3	A	VGS=18В, TC=25°C	Рис. 23
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	4.8	A	VGS=18В, TC=100°C	Рис. 23
IDM	Ток стока (импульсный)	15.7	A	Ширина импульса ограничена SOA и динамическим Rθ(J-C)	Рис. 25, 26
ISM	Ток диода корпуса (импульсный)	15.7	A	Ширина импульса ограничена SOA и динамическим Rθ(J-C)	Рис. 25, 26
Ptot	Общая рассеиваемость мощности	73	В	TC=25°C	Рис. 24
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-55 до 175	°C
Tj	Тепловая температура рабочего раздела	-55 до 175	°C

Тепловые данные

Символ	Параметр	значение	единица	Заметка
Rθ(J-C)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	2.05	°C/W	Рис. 25

Электрические характеристики (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	значение			единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица	Условия испытаний	Заметка
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора		1	10	μA	VDS=1700В, VGS=0В
IGSS	Ток утечки затвора			±100	НД	VDS=0В, VGS=-5~20В
VTH	Напряжение порога затвора	1.8	3.0	4.5	в	VGS=VDS, ID=380мкА	Рис. 8, 9
VTH	Напряжение порога затвора		2.0		в	VGS=VDS, ID=380мкА при TJ=175°C	Рис. 8, 9
Рон	Статическое сопротивление между стоком и истоком в режиме включения		700 1280	910	мОм	VGS=18В, ID=1A при TJ=25°C при TJ=175°C	Рис. 4, 5, 6, 7
Рон			950 1450	1250	мОм	VGS=15В, ID=1A при TJ=25°C при TJ=175°C	Рис. 4, 5, 6, 7
Цисс	Входной пропускной способностью		285		PF	VDS=1000В, VGS=0В, f=1МГц, VAC=25мВ	Рис. 16
Косс	Выходной объем		15.3		PF
Крсс	Капацитет обратной передачи		2.2		PF
Еосс	Энергия, запасаемая в Косс		11		мкДж		Рис. 17
Главный офис	Общий заряд затвора		16.5		nC	VDS=1000В, ID=1А, VGS=-5 до 18В	Рис. 18
Qgs	Заряд между затвором и истоком		2.7		nC
Qgd	Заряд между затвором и стоком		12.5		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		13		Ω	f=1МГц
EON	Включение переменной энергии		51.0		мкДж	VDS=1000В, ID=2А, VGS=-3.5В до 18В, RG(внеш)=10Ом, L=2330мкГн Tj=25°C	Рис. 19, 20
EOFF	Выключение переменной энергии		17.0		мкДж
td(on)	Время задержки включения		4.8		NS
tr	Время нарастания		13.2
td(off)	Время задержки выключения		12.0
TF	Время спада		66.8
EON	Включение переменной энергии		90.3		мкДж	VDS=1000В, ID=2А, VGS=-3.5В до 18В, RG(внеш)=10Ом, L=2330мкГн Tj=175°C	Рис. 22
EOFF	Выключение переменной энергии		22.0		мкДж		Рис. 22

Характеристики обратного диода (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	значение			единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица	Условия испытаний	Заметка
VSD	Прямое напряжение диода		4.0		в	ISD=1A, VGS=0V	Рис. 10, 11, 12
VSD	Прямое напряжение диода		3.8		в	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Рис. 10, 11, 12
есть	Прямой ток диода (непрерывный)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
есть	Прямой ток диода (непрерывный)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Время восстановления		20.6		NS	VGS=-3.5В/ +18В, ISD=2А, VR=1000В, RG(внеш.)=10Ом L=2330мкГн di/dt=5000А/мкс
Qrr	Сбор за возврат средств		54.2		nC
IRRM	Пиковый обратный восстановительный ток		8.2		A