Сик мосфета

1200В 160мΩ Gen2 Автомобильный SiC MOSFET

Введение

Введение

Место происхождения:	Чжэцзян
Название бренда:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV2Q12160T4Z
Сертификация:	AEC-Q101

Минимальное количество заказа:	450 штук
Цена:
Подробности упаковки:
Время доставки:
Условия оплаты:
Способность поставки:

Особенности

Технология второго поколения SiC MOSFET с напряжением на воротах +18В
Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении включения
Высокоскоростной переключающий с низкой ёмкостью
Высокая способность работы при высокой температуре соединения
Очень быстрый и надежный внутренний диод
Вход на ворота Kelvin, облегчающий проектирование цепи драйвера

Применения

Автомобильные преобразователи DC/DC
Бортовые зарядные устройства
Инверторы солнечных батарей
Водители
Автомобильные компрессорные инверторы
Блоки питания импульсного режима

Описание:

Маркировочный диаграмма:

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	значение	единица	Условия испытаний	Заметка
VDS	Напряжение между стоком и истоком	1200	в	VGS =0В, ID =100μA
VGSmax (DC)	максимальное напряжение постоянного тока	-5 до 20	в	Статический (DC)
VGSmax (Импульс)	Максимальное напряжение импульса	-10 до 23	в	Цикл работы<1%, и ширина импульса<200нс
VGSon	Рекомендуемое напряжение включения	18±0.5	в
VGSoff	Рекомендуемое напряжение выключения	-3.5 до -2	в
Идентификатор	Ток стока (непрерывный)	19	A	VGS =18В, TC =25°C	Рис. 23
		14	A	VGS =18В, TC =100°C
IDM	Ток стока (импульсный)	47	A	Ширина импульса ограничена SOA	Рис. 26
Ptot	Общая рассеиваемость мощности	136	В	TC =25°C	Рис. 24
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-55 до 175	°C
Tj	Температура соединения	-55 до 175	°C
ТЛ	Температура пайки	260	°C	пайка волновым методом разрешена только на выводах, на расстоянии 1.6 мм от корпуса в течение 10 с

Тепловые данные

Символ	Параметр	значение	единица	Заметка
Rθ(J-C)	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу	1.1	°C/W	Рис. 25

Электрические характеристики (TC =25.С, если не указано иное)

Символ	Параметр	значение			единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора		5	100	μA	VDS =1200В, VGS =0В
IGSS	Ток утечки затвора			±100	НД	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Напряжение порога затвора	1.8	2.8	4.5	в	VGS =VDS, ID =2mA	Рис. 8, 9
			2.1			VGS =VDS, ID =2mA при TJ =175.С
Рон	Статическое сопротивление канала между стоком и истоком в режиме включения		160	208	мОм	VGS =18V, ID =5A при TJ =25.С	Рис. 4, 5, 6, 7
			285		мОм	VGS =18В, ID =5А при TJ =175.С
Цисс	Входной пропускной способностью		575		PF	VDS=800В, VGS =0В, f=1МГц, VAC=25мВ	Рис. 16
Косс	Выходной объем		34		PF
Крсс	Капацитет обратной передачи		2.3		PF
Еосс	Энергия, запасаемая в Косс		14		мкДж		Рис. 17
Главный офис	Общий заряд затвора		29		nC	VDS = 800В, ID = 10А, VGS = -3 до 18В	Рис. 18
Qgs	Заряд между затвором и истоком		6.6		nC
Qgd	Заряд между затвором и стоком		14.4		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		10		Ω	f=1МГц
EON	Включение переменной энергии		115		мкДж	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 до 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Рис. 19, 20
EOFF	Выключение переменной энергии		22		мкДж
td(on)	Время задержки включения		2.5		NS
tr	Время нарастания		9.5
td(off)	Время задержки выключения		7.3
TF	Время спада		11.0
EON	Включение переменной энергии		194		мкДж	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 до 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Рис. 22
EOFF	Выключение переменной энергии		19		мкДж

Характеристики обратного диода (TC =25.С, если не указано иное)

Символ	Параметр	значение			единица	Условия испытаний	Заметка
Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица	Условия испытаний	Заметка
VSD	Прямое напряжение диода		4.0		в	ISD =5A, VGS =0V	Рис. 10, 11, 12
VSD	Прямое напряжение диода		3.7		в	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Рис. 10, 11, 12
trr	Время восстановления		26		NS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Сбор за возврат средств		92		nC
IRRM	Пиковый обратный восстановительный ток		10.6		A