SiC МОП-транзистор

1200 В, 160 мОм, автомобильный SiC MOSFET Gen 2 Россия

Введение

Введение

Место происхождения:	Чжэцзян
Фирменное наименование:	Технология Инвенчип
Номер модели:	IV2Q12160T4Z
сертификация:	АЭК-Q101

Минимальное количество заказа:	450PCS
Цена:
Упаковка Подробности:

Условия оплаты:
Производительность:

Особенности

Технология SiC MOSFET 2-го поколения с приводом затвора +18 В
Высокое запирающее напряжение с низким сопротивлением в открытом состоянии
Высокоскоростное переключение с низкой емкостью
Высокая рабочая температура перехода
Очень быстрый и надежный внутренний диод
Конструкция схемы драйвера облегчения входа затвора Кельвина

Приложения

Автомобильные преобразователи постоянного тока в постоянный ток
Бортовые зарядные устройства
Солнечные инверторы
Водители мотора
Инверторы автомобильных компрессоров
Импульсные источники питания

Outline:

Схема маркировки:

Абсолютные максимальные значения(TC=25°C, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Ед.	Условия испытаний	Внимание
VDS	Напряжение сток-исток	1200	V	VGS = 0 В, ID = 100 мкА
ВГСмакс (постоянный ток)	Максимальное напряжение постоянного тока	-5 до 20	V	Статический (постоянный ток)
ВГСмакс (Спайк)	Максимальное пиковое напряжение	-10 до 23	V	Рабочий цикл<1% и длительность импульса<200 нс
ВГСон	Рекомендуемое напряжение включения	18 0.5 ±	V
ВГСофф	Рекомендуемое напряжение выключения	от -3.5 до -2	V
ID	Ток стока (постоянный)	19	A	ВГС =18В, ТК =25°С	рисунок 23
		14	A	ВГС =18В, ТК =100°С
IDM	Ток стока (импульсный)	47	A	Ширина импульса ограничена SOA	рисунок 26
ПТОТ	Общая рассеиваемая мощность	136	W	ТК =25°С	рисунок 24
Tstg	Диапазон температур хранения	-55 до 175	° C
TJ	Рабочая температура спая	-55 до 175	° C
TL	Температура пайки	260	° C	Пайка волновой пайкой разрешена только на выводах на расстоянии 1.6 мм от корпуса в течение 10 с.

Тепловые данные

Символ	Параметр	Значение	Ед.	Внимание
Rθ(JC)	Термическое сопротивление от соединения до корпуса	1.1	° C / Вт	рисунок 25

Электрические характеристики(TC = 25°C, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Ед.	Условия испытаний	Внимание
		Минимум	Тип.	Максимум
ИДСС	Ток стока напряжения нулевого затвора		5	100	мкА	ВДС =1200В, ВГС =0В
ИГСС	Ток утечки затвора			± 100	nA	VDS = 0 В, VGS = -5 ~ 20 В
КАРТА VTH	Пороговое напряжение затвора	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS, ID =2мА	Рис. 8, 9
			2.1			VGS =VDS, ID =2мА @ TJ =175。C
RON	Статический сток-источник включен – сопротивление		160	208	мОм	VGS = 18 В, ID = 5 А @ TJ = 25 °C	Рис. 4, 5, 6, 7
			285		мОм	VGS = 18 В, ID = 5 А @ TJ = 175 °C
Сисс	Входная емкость		575		pF	VDS=800В, VGS=0В, f=1МГц, ВАС=25мВ	рисунок 16
Косс	Выходная емкость		34		pF
Крсс	Обратная передаточная емкость		2.3		pF
Эосс	Запасенная энергия		14		мкДж		рисунок 17
Qg	Общая плата за ворота		29		nC	VDS = 800 В, ID = 10 А, VGS = от -3 до 18 В.	рисунок 18
вопросы	Плата затвор-источник		6.6		nC
Qгд	Зарядка затвора		14.4		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		10		Ω	f=1 МГц
EON	Включение энергии переключения		115		мкДж	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Рис. 19, 20
ЭОФФ	Выключить энергию переключения		22		мкДж
тд (включено)	Время задержки включения		2.5		ns
tr	Время нарастания		9.5
тд (выкл.)	Время задержки выключения		7.3
tf	Время падения		11.0
EON	Включение энергии переключения		194		мкДж	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	рисунок 22
ЭОФФ	Выключить энергию переключения		19		мкДж

Характеристики обратного диода(TC = 25°C, если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Ед.	Условия испытаний	Внимание
Символ	Параметр	Минимум	Тип.	Максимум	Ед.	Условия испытаний	Внимание
VSD	Прямое напряжение диода		4.0		V	ИСД =5А, ВГС =0В	Рис. 10, 11, 12
VSD	Прямое напряжение диода		3.7		V	ISD = 5 А, VGS = 0 В, TJ = 175 °C	Рис. 10, 11, 12
TRR	Обратное время восстановления		26		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Крр	Обратный сбор за восстановление		92		nC
ИРРМ	Пиковый обратный ток восстановления		10.6		A