IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm MODUL SiC Solar România

Locul de origine:	Zhejiang
Nume de brand:	Tehnologia Inventchip
Număr model:	IV1B12013HA1L
Certificare:	AEC-Q101

DESCRIERE

• Tensiune mare de blocare cu rezistență scăzută

• Comutare de mare viteză cu capacitate scăzută

• Capacitate ridicată de temperatură a joncțiunii de funcționare

• Diodă intrinsecă cu corp foarte rapidă și robustă

Aplicatii

• Aplicații solare

• Sistem UPS

• Șoferi de motoare

• Convertoare DC/DC de înaltă tensiune

Pachet

Diagrama de marcare

Evaluări maxime absolute(TC=25°C dacă nu se specifică altfel)

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	Condiții de test	notițe
VDS	Tensiune dren-sursă	1200	V
VGSmax (DC)	Tensiune DC maximă	-5 până la 22	V	Static (DC)
VGSmax (Spike)	Tensiune maximă de vârf	-10 până la 25	V	<1% ciclu de lucru și lățimea impulsului <200ns
VGSon	Tensiune de pornire recomandată	20 0.5 ±	V
VGSoff	Tensiunea de oprire recomandată	-3.5 până la -2	V
ID	Curent de scurgere (continuu)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Curent de scurgere (pulsat)	204	A	Lățimea impulsului limitată de SOA	Fig.26
PTOT	Disiparea totală a puterii	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
Tstg	Interval de temperatură de depozitare	-40 până la 150	° C
TJ	Temperatura maximă a joncțiunii virtuale în condiții de comutare	-40 până la 150	° C	Ziua Operației
		-55 până la 175	° C	Intermitent cu durata de viață redusă

Date termice

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	notițe
Rθ(JH)	Rezistenta termica de la jonctiune la radiator	0.596	° C / V	Fig.25

Caracteristici electrice(TC=25°C dacă nu se specifică altfel)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de test	notițe
		Min.	Tip.	Max.
IDSS	Curent de scurgere de tensiune de poartă zero		10	200	μA	VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS	Curent de scurgere la poartă			± 200	nA	VDS = 0V, VGS = -5~20V
CARDUL VTH	Tensiunea de prag de poartă	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS, ID=24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS, ID =24mA @ TC =150。C
RON	Rezistenta la sursa de scurgere statica		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig. 4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Capacitate de intrare		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ, VAC =25mV	Fig.16
Coss	Capacitate de ieșire		507		pF
Crs	Capacitate de transfer invers		31		pF
Eoss	Coss a stocat energie		203		μJ		Fig.17
Qg	Taxa totala la poarta		480		nC	VDS = 800 V, ID = 80 A, VGS = -5 până la 20 V	Fig.18
Qgs	Taxa poarta-sursa		100		nC
Qgd	Încărcătură poarta de scurgere		192		nC
Rg	Rezistența de intrare pe poartă		1.0		Ω	f=100kHZ
EON	Porniți energia de comutare		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig. 19-22
EOFF	Opriți energia de comutare		182		μJ
td(activat)	Timp de întârziere la pornire		30		ns
tr	Timpul de creștere		5.9
td(off)	Timp de întârziere la oprire		37
tf	Toamna		21
LsCE	Inductanță parazită		7.6		nH

Caracteristicile diodei inverse(TC=25°C dacă nu se specifică altfel)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de test	notițe
		Min.	Tip.	Max.
VSD	Tensiunea directă a diodei		4.9		V	ISD = 80 A, VGS = 0 V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Timp de recuperare invers		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Taxa de recuperare inversa		1095		nC
IRRM	Curent de vârf de recuperare invers		114		A

Caracteristicile termistorului NTC

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de test	notițe
		Min.	Tip.	Max.
RNTC	Rezistenta nominala		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig.27
ΔR/R	Toleranță de rezistență la 25℃	-5		5	%
β25/50	Valoarea beta		3380		K	± 1%
Pmax	Disiparea puterii		5		mW

Performanță tipică (curbe)

         

Dimensiuni pachet (mm)