IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm MODUL SiC Solar

Caracteristici

Aplicații

Pachet

Diagramă de Marcare

Evaluări Maxim Absolute (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol	Parametru	valoare	unitate	Condiții de Testare	Notă
VDS	Tensiune Drain-Sursă	1200	V
VGSmax (DC)	Voltaj DC maxim	-5 la 22	V	Static (DC)
VGSmax (Spike)	Tensiune maximă de spike	-10 la 25	V	<1% ciclu de lucru, și lățimea pulsului <200ns
VGSon	Tensiune de pornire recomandată	20±0.5	V
VGSoff	Tensiune de oprire recomandată	-3.5 la -2	V
Numărul	Curent de drain (continuu)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Curent de drain (impulsuri)	204	A	Lățimea impulsului limitată de SOA	Fig.26
Ptot	Dissipare totală de putere	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
Tstg	interval de temperatură de depozitare	-40 la 150	°C
Tj	Temperatura maximă a junctiei virtuale în condiții de comutare	-40 la 150	°C	Operațiune
Tj		-55 la 175	°C	Intermitent cu viață redusă

Date termice

Simbol	Parametru	valoare	unitate	Notă
Rθ(J-H)	Rezistență termică de la uniunea electrică la dissipator	0.596	°C/W	Fig.25

caracteristici electrice (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol	Parametru	valoare			unitate	Condiții de Testare	Notă
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Curentul de colectare la tensiune zero la grilă		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Curent de scurgere al grilei			±200	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tensiune de prag a porții	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150. C
ron	Rezistență statică de pe dren-sursă când este pe		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25. C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150. C
Ciss	Capacitate de intrare		11		NF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Capacitate de ieșire		507		PF
Crss	Capacitate de transfer inversă		31		PF
Eoss	Energia stocată în Coss		203		μJ		Fig.17
Qg	Sarcina totală a porților		480		NC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 to 20V	Fig.18
Qgs	Sarcina gate-source		100		NC
Qgd	Sarcină gate-drain		192		NC
Rg	Rezistență de intrare a gate-ului		1.0		Ω	f=100kHz
EON	Energie de comutare la pornire		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 până la 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Energie de comutare la oprire		182		μJ
td(on)	Timp de întârziere la pornire		30		NS
TR	Timp de creștere		5.9
td(off)	Timp de întârziere la oprire		37
TF	Timp de cădere		21
LsCE	Autoinducție străină		7.6		Nu

Caracteristici ale diodului invers (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol	Parametru	valoare			unitate	Condiții de Testare	Notă
Simbol	Parametru	Min.	Typ.	Max.	unitate	Condiții de Testare	Notă
VSD	Tensiune direcțională a diodei		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
VSD	Tensiune direcțională a diodei		4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C	Fig.10- 12
trr	Timp de recuperare inversă		17.4		NS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Taxă de recuperare inversă		1095		NC
IRRM	Curent maxim de recuperare inversă		114		A

Caracteristici termodrezor NTC