Vehiculele electrice au devenit din ce în ce mai răspândite în ultimii ani datorită designului lor ecologic. Oricum, mașinile electrice se confruntă încă cu probleme legate de distanța scurtă de parcurgere și timpul lung de încărcare. MOSFET-urile SiC au potențialul de a rezolva aceste probleme și de a deschide o nouă eră a tehnologiei vehiculelor electrice.
Tranzistorii MOSFET cu SiC sunt o generează nouă de electronica energetică și oferă performanțe superioare față de alternativele bazate pe siliciu, în ceea ce privește tensiunea, frecvența, eficiența și temperatura. Tranzistorii MOSFET cu SiC pot îmbunătăți semnificativ eficiența de conversie și performanța energiei într-un vehicul electric prin capacitatea lor de a funcționa la frecvențe și temperaturi mai ridicate. Cu alte cuvinte, tranzistorii MOSFET cu SiC ar putea deschide drumul către autoturisme electrice care se încarcă mai repede și sunt mai rapide/eficiente în ceea ce privește autonomia bateriei, prin reducerea efectelor negative precum cerințele de răcire.
Cu toate acestea, tranzistoarele MOSFET cu SiC nu sunt exclusiv pentru vehicule electrice. Tehnologia este de asemenea concepută să aducă beneficii în cazul vehiculelor hibride, care combina motoare cu combustie internă cu motoare electrice pentru o eficiență sporită a combustibilului. Prin creșterea densității puterii sistemelor de conducere a motorului și prin îmbunătățirea sistemelor de incarcare/dezincarcare a bateriilor cu tranzistoare MOSFET cu SiC, mașinile hibride pot să se amelioreze în ceea ce privește eficiența și performanța. Aceste inovații ar trebui să determine îmbunătățiri ale economisirii de combustibil și o reducere a emisiilor de carbon pe durata ciclului de viață al vehiculelor hibride.
Pe lângă hibride, vehiculele cu motoare cu combustie internă mai vechi - unele dintre cele mai mari emisori de gaze cu efect de seră în uz utilizat astăzi - pot atinge îmbunătățiri prin integrarea tehnologiei SiC MOSFET. Dispozitivele SiC MOSFET pot îmbunătăți eficiența sistemelor de propulsie, ceea ce duce la o creștere a economiei de combustibil, permițând vehiculelor convenționale să reducă emisiile la nivel global. Mai mult, dispozitivele SiC MOSFET din sistemele auxiliare, cum ar fi direcția electrică și climatizarea, pot contribui, de asemenea, la o eficiență sporită a combustibilului și la o reducere a emisiilor de carbon.
Înşiruirea discreetă despre viitor, tehnologia de conducere autonoma se pregăteşte pentru o valoare neoprinire în industria automotive - promiţând un avantaj sau o limitare a electronicii de putere extrem de eficiente şi fiabile. Această tranziţie va fi condusă de tranzistoarele SiC MOSFET sau de Electronica de Putere pentru vehicule autonome, care a accelerat dezvoltarea automotive. Între timp, tranzistoarele SiC MOSFET permit capacităţi mai mari de tensiune şi curent şi reduc pierderile la comutare, îmbunătăţind performanţa termică pentru a face conducerea autonoma mai sigură.
În sinteză, se așteaptă ca adoptarea înaltă a transistorilor SiC MOSFET în vehicule electrice/hibride/autonome să joace un rol important în reducerea emisiilor globale de carbon și în creșterea distanței de mers/eficienței consumului de combustibil. Piața automobilelor ajunge rapid la un punct de nesupunere, cu producătorii care concurează să fabrică vehicule eficiente energetic și prietenoase mediului. Rezolvarea acestor probleme este importantă pentru a atinge un viitor în care vehiculele sunt ecologice și de încredere, ceea ce face tehnologia SiC MOSFET fără rival.