Vehiculele electrice au devenit din ce în ce mai răspândite în utilizare în ultimii ani pentru designul lor ecologic. În orice caz, mașinile electrice sunt încă provocate de autonomia redusă și timpul lung de încărcare. MOSFET-urile SiC au potențialul de a rezolva aceste probleme și de a introduce totuși o nouă eră a tehnologiei vehiculelor electrice.
MOSFET-urile SiC sunt un fel de electronică de putere de nouă generație și oferă performanțe superioare față de alternativele de siliciu în ceea ce privește tensiunea, frecvența, eficiența și temperatură. MOSFET-urile SiC pot îmbunătăți foarte mult eficiența conversiei și performanța puterii într-un vehicul electric prin capacitatea lor de a funcționa la frecvențe și temperaturi mai ridicate. Cu alte cuvinte, MOSFET-urile SiC ar putea deschide calea pentru mașinile electrice care se încarcă mai rapid și mai rapid/mai eficiente în ceea ce privește autonomia bateriei prin reducerea impactului negativ, cum ar fi cerințele de răcire.
Cu toate acestea, MOSFET-urile SiC nu sunt destinate exclusiv vehiculelor electrice. Tehnologia este, de asemenea, concepută pentru a plăti un dividend în vehiculele hibride, care îmbină motoarele cu ardere internă cu motoare electrice pentru o eficiență sporită a consumului de combustibil. Prin creșterea densității de putere a motoarelor și îmbunătățirea sistemelor de încărcare/descărcare a bateriilor cu MOSFET-uri SiC, mașinile hibride pot îmbunătăți eficiența și performanța. Aceste inovații ar trebui să conducă la îmbunătățiri ale economiei de combustibil și o reducere a emisiilor de carbon pe parcursul ciclului de viață pentru vehiculele hibride.
Pe lângă hibrizi, vehiculele mai vechi alimentate cu motoare cu ardere internă - unii dintre cei mai mari emițători de gaze cu efect de seră în uz astăzi - pot obține îmbunătățiri prin integrarea SiC MOSFET. MOSFET-urile SiC pot îmbunătăți eficiența sistemelor de propulsie, ceea ce duce la o creștere a economiei de combustibil, permițând vehiculelor convenționale să reducă emisiile la nivel global. În plus, MOSFET-urile SiC din sistemele auxiliare, cum ar fi servodirecția electrică și aerul condiționat, pot contribui, de asemenea, la o eficiență mai mare a combustibilului și la reducerea emisiilor de carbon.
Taci-taci cu privire la viitor, tehnologia de conducere autonomă se pregătește pentru un val de neoprit în industria auto - promițând un avantaj sau o limitare a electronicii de putere extrem de eficiente și de încredere. Această tranziție va fi condusă de MOSFET-urile SiC sau Electronica de putere pentru vehicule autonome, care a accelerat dezvoltarea auto. Între timp, MOSFET-urile SiC permit capacități mai mari de tensiune și curent și reduc pierderile de comutare, îmbunătățind în același timp performanța termică pentru a face conducerea autonomă mai sigură.
Pe scurt, adoptarea ridicată a MOSFET-urilor SiC în vehiculele electrice/hibride/autonome este de așteptat să joace un rol semnificativ în reducerea emisiilor globale de carbon și creșterea autonomiei de rulare/economia de combustibil. Piața auto se apropie cu rapiditate de un punct de cotitură, producătorii luptă pentru a produce vehicule eficiente din punct de vedere energetic și ecologice. Rezolvarea acestor probleme este importantă pentru a realiza un viitor în care vehiculele sunt ecologice și fiabile, făcând tehnologia SiC MOSFET pe măsură.