MOSFET SiC auto de 650V 25mΩ Gen2 România

DESCRIERE

Aplicatii

Schiță:

imagine

Diagrama de marcare:

Evaluări maxime absolute(TC=25°C dacă nu se specifică altfel)

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	Condiții de test	notițe
VDS	Tensiune dren-sursă	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Tensiune DC maximă	-5 până la 20	V	Static (DC)
VGSmax (Spike)	Tensiune maximă de vârf	-10 până la 23	V	Ciclu de lucru <1% și lățimea impulsului <200ns
VGSon	Tensiune de pornire recomandată	18 0.5 ±	V
VGSoff	Tensiunea de oprire recomandată	-3.5 până la -2	V
ID	Curent de scurgere (continuu)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Curent de scurgere (pulsat)	247	A	Lățimea impulsului limitată de SOA	Fig. 26
PTOT	Disiparea totală a puterii	454	W	TC = 25°C	Fig. 24
Tstg	Interval de temperatură de depozitare	-55 până la 175	° C
TJ	Temperatura joncțiunii de funcționare	-55 până la 175	° C
TL	Temperatura de lipit	260	° C	lipirea prin val permisă numai la cabluri, la 1.6 mm de carcasă timp de 10 s

Date termice

Simbol	Parametru	Valoare	Unitate	notițe
Rθ(JC)	Rezistență termică de la joncțiune la carcasă	0.33	° C / V	Fig. 25

Caracteristici electrice(TC =25。C dacă nu se specifică altfel)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de test	notițe
Simbol	Parametru	Min.	Tip.	Max.	Unitate	Condiții de test	notițe
IDSS	Curent de scurgere de tensiune de poartă zero		3	100	μA	VDS = 650 V, VGS = 0 V
IGSS	Curent de scurgere la poartă			± 100	nA	VDS = 0V, VGS = -5~20V
CARDUL VTH	Tensiunea de prag de poartă	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS, ID=12mA	Fig. 8, 9
CARDUL VTH	Tensiunea de prag de poartă		2.0			VGS=VDS, ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
RON	Rezistenta la sursa de scurgere statica		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
RON	Rezistenta la sursa de scurgere statica		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacitate de intrare		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacitate de ieșire		251		pF
Crs	Capacitate de transfer invers		19		pF
Eoss	Coss a stocat energie		52		μJ		Fig. 17
Qg	Taxa totala la poarta		125		nC	VDS = 400 V, ID = 40 A, VGS = -3 până la 18 V	Fig. 18
Qgs	Taxa poarta-sursa		35.7		nC
Qgd	Încărcătură poarta de scurgere		38.5		nC
Rg	Rezistența de intrare pe poartă		1.5		Ω	f=1MHz
EON	Porniți energia de comutare		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Opriți energia de comutare		95.0		μJ
td(activat)	Timp de întârziere la pornire		12.9		ns
tr	Timpul de creștere		26.5
td(off)	Timp de întârziere la oprire		23.2
tf	Toamna		11.7
EON	Porniți energia de comutare		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Opriți energia de comutare		99.7		μJ		Fig. 22

Caracteristicile diodei inverse(TC =25。C dacă nu se specifică altfel)

Simbol	Parametru	Valoare			Unitate	Condiții de test	notițe
Simbol	Parametru	Min.	Tip.	Max.	Unitate	Condiții de test	notițe
VSD	Tensiunea directă a diodei		3.7		V	ISD = 20 A, VGS = 0 V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensiunea directă a diodei		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Timp de recuperare invers		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Taxa de recuperare inversa		195.3		nC
IRRM	Curent de vârf de recuperare invers		20.2		A