Toate categoriile
ÎNTRAȚI ÎN LEGĂTURĂ
Modul SiC

Pagina principală /  Produse  /  Componente /  Modul SiC

Modul SiC

1200V 25mohm MODUL SiC Motor drivers
1200V 25mohm MODUL SiC Motor drivers

1200V 25mohm MODUL SiC Motor drivers

  • Introducere

Introducere

Locul de origine: Zhejiang
Nume de marcă: Inventchip Technology
Numărul modelului: IV1B12025HC1L
Certificare: AEC-Q101


Caracteristici

  • Tensiune ridicată de blocare cu rezistență mică la conductare

  • Comutare rapidă cu capacitance mică

  • Capacitate de funcționare la temperaturi ridicate ale uniunii

  • Dioda internă foarte rapidă și robustă


Aplicații

  • Aplicații solare

  • sistem ups

  • Conducătoare de motoare

  • Convertitori DC/DC la tense ridicate


Pachet

image


image


Evaluări Maxim Absolute (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol Parametru valoare unitate Condiții de Testare Notă
VDS Tensiune Drain-Sursă 1200V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Voltaj DC maxim -5 la 22 V Static (DC)
VGSmax (Spike) Tensiune maximă de spike -10 la 25 V <1% ciclu de lucru, și lățimea pulsului <200ns
VGSon Tensiune de pornire recomandată 20±0.5 V
VGSoff Tensiune de oprire recomandată -3.5 la -2 V
Numărul Curent de drain (continuu) 74A VGS =20V, TC =25°C
50A VGS =20V, TC =94°C
IDM Curent de drain (impulsuri) 185A Lățimea impulsului limitată de SOA Fig.26
Ptot Dissipare totală de putere 250W TC =25°C Fig.24
Tstg interval de temperatură de depozitare -40 la 150 °C
Tj Temperatura maximă a junctiei virtuale în condiții de comutare -40 la 150 °C Operațiune
-55 la 175 °C Intermitent cu viață redusă


Date termice

Simbol Parametru valoare unitate Notă
Rθ(J-C) Rezistență Termică de la Junction până la Cutie 0.5°C/W Fig.25


caracteristici electrice (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol Parametru valoare unitate Condiții de Testare Notă
Min. Typ. Max.
IDSS Curentul de colectare la tensiune zero la grilă 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Curent de scurgere al grilei 2±200 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Tensiune de prag a porții 3.2V VGS=VDS , ID =12mA Fig.9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
ron Rezistență statică de pe drain-către-sursă când este pe 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Fig.4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Capacitate de intrare 5.5NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Fig.16
Coss Capacitate de ieșire 285PF
Crss Capacitate de transfer inversă 20PF
Eoss Energia stocată în Coss 105μJ Fig.17
Qg Sarcina totală a porților 240NC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 la 20V Fig.18
Qgs Sarcina gate-source 50NC
Qgd Sarcină gate-drain 96NC
Rg Rezistență de intrare a gate-ului 1.4Ω f=100kHz
EON Energie de comutare la pornire 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 la 20V, RG(ext)pe / RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
EOFF Energie de comutare la oprire 135μJ
td(on) Timp de întârziere la pornire 15NS
TR Timp de creștere 4.1
td(off) Timp de întârziere la oprire 24
TF Timp de cădere 17
LsCE Autoinducție străină 8.8Nu


Caracteristici ale diodului invers (Tc=25°C decât altfel specificat)

Simbol Parametru valoare unitate Condiții de Testare Notă
Min. Typ. Max.
VSD Tensiune direcțională a diodei 4.9V ISD =40A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Timp de recuperare inversă 18NS VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Taxă de recuperare inversă 1068NC
IRRM Curent maxim de recuperare inversă 96.3A


Caracteristici termodrezor NTC

Simbol Parametru valoare unitate Condiții de Testare Notă
Min. Typ. Max.
RNTC Rezistență nominală 5TNTC = 25℃ Fig. 27
ΔR\/R Toleranța rezistenței la 25℃ -55%
β25\/50 Valoare Beta 3380K ±1%
Pmax consum de putere 5mW


Performanță tipică (curbe)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Dimensiuni ambalaj (mm)

image



Notă


Pentru mai multe informații, vă rugăm să contactați Biroul de Vânzări al IVCT.

Drepturi de autor ©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Toate drepturile rezervate.

Informațiile din acest document sunt supuse modificări fără notificare prealabilă.


Legături asociate


http://www.inventchip.com.cn


PRODUS ÎN RELAȚIE