IV1B12013HA1L – MÓDULO SiC 1200V 13mohm Solar

Lugar de origem:	Zhejiang
Marca:	Tecnologia Inventchip
Número modelo:	IV1B12013HA1L
Certificação:	AEC-Q101

Funcionalidades

• Alta tensão de bloqueio com baixa resistência

• Comutação de alta velocidade com baixa capacitância

• Capacidade de alta temperatura de junção operacional

• Diodo de corpo intrínseco muito rápido e robusto

Aplicações

• Aplicações solares

• Sistema UPS

• Motoristas

• Conversores CC/CC de alta tensão

Pacote

Diagrama de marcação

Classificações máximas absolutas(TC=25°C salvo especificação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Condições de teste	Note
VDS	Tensão de fonte de drenagem	1200	V
VGSmáx (DC)	Tensão CC máxima	-5 a 22	V	Estático (CC)
VGSmax (pico)	Tensão máxima de pico	-10 a 25	V	<1% do ciclo de trabalho e largura de pulso <200ns
VGSon	Tensão de ativação recomendada	20 0.5 ±	V
VGS desligado	Tensão de desligamento recomendada	-3.5 a -2	V
ID	Corrente de drenagem (contínua)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Corrente de drenagem (pulsada)	204	A	Largura de pulso limitada por SOA	Fig.26
PTOT	Dissipação total de energia	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
Tstg	Amplitude Térmica de armazenamento	-40 a 150	° C
TJ	Temperatura máxima da junção virtual sob condições de comutação	-40 a 150	° C	Divisão de
		-55 a 175	° C	Intermitente com vida útil reduzida

Dados Térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Note
Rθ(JH)	Resistência térmica da junção ao dissipador de calor	0.596	° C / W	Fig.25

Características elétricas(TC=25°C salvo especificação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de teste	Note
		Min.	Tipo	Max.
IDSS	Corrente de dreno de tensão de porta zero		10	200	µA	VDS=1200V, VGS=0V
IGSS	Corrente de fuga da porta			± 200	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
CARTÃO VTH	Tensão limite da porta	1.8	3.2	5	V	VGS = VDS, ID = 24mA	Fig.9
			2.3			VGS = VDS, ID = 24mA @ TC = 150。C
RON	Resistência ligada à fonte de drenagem estática		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig. 4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Capacitância de entrada		11		nF	VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 100 kHz, VAC = 25 mV	Fig.16
Coss	Capacitância de saída		507		pF
Cruz	Capacitância de transferência reversa		31		pF
Eoss	Coss energia armazenada		203		µJ		Fig.17
Qg	Cobrança total do portão		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 a 20V	Fig.18
Perguntas frequentes	Cobrança de origem do portão		100		nC
Qgd	Carga de drenagem do portão		192		nC
Rg	Resistência de entrada do portão		1.0		Ω	f=100kHz
EON	Ligue a energia de comutação		783		µJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig. 19-22
EOFF	Desligue a energia de comutação		182		µJ
td(ligado)	Tempo de atraso de ativação		30		ns
tr	Tempo de subida		5.9
td(desligado)	Tempo de atraso de desligamento		37
tf	Tempo de outono		21
LsCE	Indutância parasita		7.6		nH

Características do diodo reverso(TC=25°C salvo especificação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de teste	Note
		Min.	Tipo	Max.
VSD	Tensão direta do diodo		4.9		V	ISD=80A, VGS=0V	Figura 10-12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
tr	Tempo de recuperação reversa		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
qrr	Cobrança de recuperação reversa		1095		nC
IRRM	Corrente de recuperação reversa de pico		114		A

Características do termistor NTC

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de teste	Note
		Min.	Tipo	Max.
RNTC	Resistência nominal		5		kΩ	TNT = 25 ℃	Fig.27
ΔR/R	Tolerância de resistência a 25℃	-5		5	%
β25/50	Valor beta		3380		K	± 1%
Pmáx	Dissipação de energia		5		mW

Desempenho típico (curvas)

         

Dimensões do pacote (mm)