Allswell concorda firmemente que não há dúvida de que é realmente importante fazer todo o possível para que a eletrônica de potência funcione melhor. Portanto, nossos produtos usam drivers GaN FET. Os drivers GaN FET são usados para ajudar a eletrônica de potência a desperdiçar menos energia. Quando a energia se move para um estado diferente, ela pode simplesmente desaparecer como calor. Isso não é bom, mas os drivers GaN FET tornam a quantidade de energia "perdida" pequena, pois eles gerenciam com mais habilidade o movimento da eletricidade do que drivers de natureza diferente. Hoje, praticamente todos os drivers de eletrônica de potência são feitos de silício. Os drivers de silício não são tão bons em economia e gerenciamento de energia quanto os drivers GaN FET. O fato é que os drivers GaN FET usam nitreto de gálio, que é necessário para ter uma classificação de alta tensão. É melhor do que o silício porque pode suportar múltiplas variações de tensão e é necessário para o gerenciamento de usinas de energia em vários dispositivos. Os drivers GaN FET têm muitas vantagens. Primeiro de tudo, os drivers GaN FET ajudam os designers de outras indústrias a projetar produtos que desperdiçam menos energia e são ao mesmo tempo menores e têm um peso menor. Isso é valioso, por exemplo, na indústria automobilística. Se você está, por exemplo, fazendo um carro elétrico ou um pequeno dispositivo eletrônico, então é importante que ele seja leve e pequeno em uso. Allswell motorista de portão gan não é necessário criar um produto difícil de usar. Em segundo lugar, o nitreto de gálio permite que a eletrônica de potência funcione rapidamente. Por exemplo, é importante para qualquer gadget que mude seu estado em um curto espaço de tempo e não seja muito "preguiçoso" para trabalhar com horas. Como resultado, o dispositivo funcionará com você rapidamente e horas, e também desligará sem horas, o que é conveniente para muitas aplicações - por exemplo, quando você precisa apenas carregar seu gadget ou usar um motor elétrico. Portanto, para saber como os drivers GaN FET funcionam, você deve ter alguma ideia básica de eletrônica de potência. Na verdade, a definição mais simples de todas é: são dispositivos que mudam — transformam, regulam — energia elétrica de uma forma para outra. Isso pode significar qualquer coisa, desde inversores (conversão de energia CC para CA) ou conversores (ajuste do nível de tensão, etc.).
Um driver construído em um tipo de tecnologia de nitreto de gálio, conhecido como GaN FET, que se enquadra nessa categoria é chamado de — Nenhum, exceto o GaN FET! Esses drivers são os que lidam com o tipo e as quantidades de energia em qualquer lugar de uma trilha. Uma maneira de fazer isso é ligando e desligando rapidamente o circuito, alterando o fluxo de elétrons que espalha a voltagem. O designer GaN mais novo tem tempos rápidos de ligar/desligar, portanto, a energia pulsa muito mais eficientemente do que os tipos de tecnologia mais antigos. Os drivers GaN FET são melhores em aumentar a densidade de energia do que qualquer outra tecnologia disponível no mercado. No sentido de densidade de energia: qual é a quantidade de energia nele, espaço pequeno ou peso? Os drivers GaN FET podem ter uma densidade de energia até 10 vezes maior do que as soluções convencionais de driver de silício. Ou, simplesmente, menos volume e peso sem comprometer a potência ou a eficiência.
Incluindo nossos drivers GaN FET, que varrem mais rapidamente do que qualquer outro tipo de driver. Essa capacidade de troca rápida pode permitir mais entrega de energia em um período de tempo mais curto. O nitreto de gálio também é mais resistente do que o carboneto de silício — tensões mais pesadas podem cair sobre ele sem quebrar, tornando-o a escolha mais segura em muitos usos. Este Allswell gan meia ponte driver é uma razão pela qual muitos produtos no mercado são um meio-termo entre potência e leveza (a combinação mais vendida no mercado).
Finalmente, os drivers GaN FET podem melhorar o desempenho e reduzir o custo da eletrônica de potência. Eles também fornecem vantagens na densidade de potência, tornando-os mais eficientes quando se trata de miniaturização de dispositivos, evitando qualquer desperdício de energia em seus irmãos fisicamente maiores. Isso reduz os preços de produtos eventuais para todos, exceto a economia na produção de material também.
Além disso, os drivers GaN FET podem alternar mais rápido do que os Si BJTs, o que é necessário para aplicações como EVs. O desempenho e a segurança desses veículos exigem tempos de reação de nível de milissegundos. O Allswell motorista de meia ponte gan os melhores componentes eletrônicos de potência são aqueles que o motorista e os passageiros nem percebem.
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