MOSFET de SiC

650V 25mΩ Gen2 SiC MOSFET automotivo

Introdução

Introdução

Lugar de origem:	Zhejiang
Marca:	Tecnologia Inventchip
Número modelo:	IV2Q06025T4Z
Certificação:	AEC-Q101

Funcionalidades

Tecnologia SiC MOSFET de 2ª Geração com
Acionamento de portão +18V
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência
Comutação de alta velocidade com baixa capacitância
Capacidade de alta temperatura de junção operacional
Diodo de corpo intrínseco muito rápido e robusto
Entrada da porta Kelvin facilitando o projeto do circuito do driver

Aplicações

Motoristas
Inversores solares
Conversores DC/DC automotivos
Inversores de compressores automotivos
Fontes de alimentação em modo de comutação

Esboço:

imagem

Diagrama de marcação:

Classificações máximas absolutas(TC=25°C salvo especificação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Condições de teste	Note
VDS	Tensão de fonte de drenagem	650	V	VGS=0V, ID=100μA
VGSmáx (DC)	Tensão CC máxima	-5 a 20	V	Estático (CC)
VGSmax (pico)	Tensão máxima de pico	-10 a 23	V	Ciclo de trabalho<1% e largura de pulso<200ns
VGSon	Tensão de ativação recomendada	18 0.5 ±	V
VGS desligado	Tensão de desligamento recomendada	-3.5 a -2	V
ID	Corrente de drenagem (contínua)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Figura 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corrente de drenagem (pulsada)	247	A	Largura de pulso limitada por SOA	Figura 26
PTOT	Dissipação total de energia	454	W	CT=25°C	Figura 24
Tstg	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 175	° C
TJ	Temperatura de junção operacional	-55 a 175	° C
TL	Temperatura de solda	260	° C	soldagem por onda permitida apenas nos terminais, 1.6 mm da caixa por 10 s

Dados Térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Note
Rθ(JC)	Resistência Térmica da Junção à Caixa	0.33	° C / W	Figura 25

Características elétricas(TC =25。C salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de teste	Note
Símbolo	Parâmetro	Min.	Tipo	Max.	Unidade	Condições de teste	Note
IDSS	Corrente de dreno de tensão de porta zero		3	100	µA	VDS=650V, VGS=0V
IGSS	Corrente de fuga da porta			± 100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
CARTÃO VTH	Tensão limite da porta	1.8	2.8	4.5	V	VGS = VDS, ID = 12mA	Figuras 8, 9
CARTÃO VTH	Tensão limite da porta		2.0			VGS = VDS, ID = 12mA @ TJ = 175。C	Figuras 8, 9
RON	Resistência ligada à fonte de drenagem estática		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Figuras 4, 5, 6, 7
RON	Resistência ligada à fonte de drenagem estática		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Figuras 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacitância de entrada		3090		pF	VDS = 600 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz, VAC = 25 mV	Figura 16
Coss	Capacitância de saída		251		pF
Cruz	Capacitância de transferência reversa		19		pF
Eoss	Coss energia armazenada		52		µJ		Figura 17
Qg	Cobrança total do portão		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 a 18V	Figura 18
Perguntas frequentes	Cobrança de origem do portão		35.7		nC
Qgd	Carga de drenagem do portão		38.5		nC
Rg	Resistência de entrada do portão		1.5		Ω	f=1MHz
EON	Ligue a energia de comutação		218.8		µJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Figuras 19, 20
EOFF	Desligue a energia de comutação		95.0		µJ
td(ligado)	Tempo de atraso de ativação		12.9		ns
tr	Tempo de subida		26.5
td(desligado)	Tempo de atraso de desligamento		23.2
tf	Tempo de outono		11.7
EON	Ligue a energia de comutação		248.5		µJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Figura 22
EOFF	Desligue a energia de comutação		99.7		µJ		Figura 22

Características do diodo reverso(TC =25。C salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de teste	Note
Símbolo	Parâmetro	Min.	Tipo	Max.	Unidade	Condições de teste	Note
VSD	Tensão direta do diodo		3.7		V	ISD=20A, VGS=0V	Figuras 10, 11, 12
VSD	Tensão direta do diodo		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Figuras 10, 11, 12
tr	Tempo de recuperação reversa		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
qrr	Cobrança de recuperação reversa		195.3		nC
IRRM	Corrente de recuperação reversa de pico		20.2		A