1700V 1000mΩ Fontes de alimentação auxiliares MOSFET de SiC

Local de Origem:	Zhejiang
Nome da Marca:	Inventchip
Número do Modelo:	IV2Q171R0D7
Quantidade mínima de embalagem:	450

Recursos

⚫ Tecnologia de 2ª Geração de MOSFET de SiC com

+15~+18V de condução do gate

⚫ Alta tensão de bloqueio com baixa resistência ligada

⚫ Comutação de alta velocidade com baixa capacitância

⚫ Capacidade de temperatura de junção operacional de 175℃

⚫ Diodo intrínseco ultra rápido e robusto

⚫ Entrada de porta Kelvin facilitando o design do circuito de driver

Aplicações

⚫ Inversores solares

⚫ Fontes de alimentação auxiliares

⚫ Fontes de alimentação com comutação

⚫ Medidores inteligentes

Esquema:

Diagrama de Marcação:

Classificações Máximas Absolutas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	valor	unidade	Condições de Teste	Nota
VDS	Voltagem Drain-Source	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Transiente)	Tensão de pico máxima	-10 a 23	V	Ciclo de trabalho <1%, e largura do pulso <200ns
VGSon	Voltagem de ligação recomendada	15 a 18	V
VGSoff	Voltagem de desligamento recomendada	-5 a -2	V	Valor típico -3,5V
Identificação	Corrente de drenagem (contínua)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Fig. 23
Identificação	Corrente de drenagem (contínua)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Fig. 23
IDM	Corrente de drenagem (em pulsos)	15.7	A	Largura de pulso limitada pelo SOA e Rθ(J-C) dinâmico	Fig. 25, 26
ISM	Corrente do diodo de corpo (em pulsos)	15.7	A	Largura de pulso limitada pelo SOA e Rθ(J-C) dinâmico	Fig. 25, 26
Ptot	Dissipação total de potência	73	W	TC=25°C	Fig. 24
Tstg	Intervalo de temperatura de armazenamento	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura de junção operacional	-55 a 175	°C

Dados Térmicos

Símbolo	Parâmetro	valor	unidade	Nota
Rθ(J-C)	Resistência Térmica da Junção ao Caso	2.05	°C/W	Fig. 25

Características Elétricas (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	valor			unidade	Condições de Teste	Nota
Símbolo	Parâmetro	Mín.	Typ.	- Max, não.	unidade	Condições de Teste	Nota
IDSS	Corrente de drenagem com tensão zero no gate		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Corrente de fuga do gate			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Tensão limiar da porta	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	Tensão limiar da porta		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Fig. 8, 9
Ron	Resistência estática de drenagem-fonte ligada		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ron	Resistência estática de drenagem-fonte ligada		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacitância de entrada		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacitância de saída		15.3		PF
Crss	Capacitância de transferência reversa		2.2		PF
Eoss	Energia armazenada em Coss		11		μJ		Fig. 17
Qg	Carga total do gate		16.5		NC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carga gate-source		2.7		NC
Qgd	Carga de grade-dreno		12.5		NC
Rg	Resistência de entrada de grade		13		Ω	f=1MHz
EON	Energia de comutação de ligação		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V a 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Energia de comutação na desligagem		17.0		μJ
td( lig )	Tempo de atraso na ligação		4.8		NS
TR	Tempo de subida		13.2
td( desl )	Tempo de atraso na desligagem		12.0
TF	Tempo de Queda		66.8
EON	Energia de comutação de ligação		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V a 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Energia de comutação na desligagem		22.0		μJ		Fig. 22

Características do Diodo Reverso (Tc=25°C a menos que especificado o contrário)

Símbolo	Parâmetro	valor			unidade	Condições de Teste	Nota
Símbolo	Parâmetro	Mín.	Typ.	- Max, não.	unidade	Condições de Teste	Nota
VSD	Tensão direta do diodo		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Tensão direta do diodo		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
é	Corrente contínua do diodo			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
é	Corrente contínua do diodo			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Tempo de recuperação reversa		20.6		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Carga de recuperação reversa		54.2		NC
IRRM	Corrente de recuperação reversa pico		8.2		A