1200V 30mΩ Gen2 SiC MOSFET automotivo

Funcionalidades

Aplicações

Esboço:

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Diagrama de marcação:

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Classificações máximas absolutas(TC=25°C salvo especificação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Condições de teste	Note
VDS	Tensão de fonte de drenagem	1200	V	VGS=0V, ID=100μA
VGSmáx (DC)	Tensão CC máxima	-5 a 20	V	Estático (CC)
VGSmax (pico)	Tensão máxima de pico	-10 a 23	V	Ciclo de trabalho<1% e largura de pulso<200ns
VGSon	Tensão de ativação recomendada	18 0.5 ±	V
VGS desligado	Tensão de desligamento recomendada	-3.5 a -2	V
ID	Corrente de drenagem (contínua)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Figura 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corrente de drenagem (pulsada)	198	A	Largura de pulso limitada por SOA	Figura 26
PTOT	Dissipação total de energia	395	W	CT=25°C	Figura 24
Tstg	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 175	° C
TJ	Temperatura de junção operacional	-55 a 175	° C
TL	Temperatura de solda	260	° C	soldagem por onda permitida apenas nos terminais, 1.6 mm da caixa por 10 s

Dados Térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade	Note
Rθ(JC)	Resistência Térmica da Junção à Caixa	0.38	° C / W	Figura 23

Características elétricas(TC =25。C salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de teste	Note
Símbolo	Parâmetro	Min.	Tipo	Max.	Unidade	Condições de teste	Note
IDSS	Corrente de dreno de tensão de porta zero		5	100	µA	VDS=1200V, VGS=0V
IGSS	Corrente de fuga da porta			± 100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
CARTÃO VTH	Tensão limite da porta	1.8	2.8	4.5	V	VGS = VDS, ID = 12mA	Figuras 8, 9
CARTÃO VTH	Tensão limite da porta		2.0			VGS = VDS, ID = 12mA @ TJ = 175。C	Figuras 8, 9
RON	Fonte de drenagem estática ligada - resistência		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Figuras 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Capacitância de entrada		3000		pF	VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz, VAC = 25 mV	Figura 16
Coss	Capacitância de saída		140		pF
Cruz	Capacitância de transferência reversa		7.7		pF
Eoss	Coss energia armazenada		57		µJ		Figura 17
Qg	Cobrança total do portão		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 a 18V	Figura 18
Perguntas frequentes	Cobrança de origem do portão		36.8		nC
Qgd	Carga de drenagem do portão		45.3		nC
Rg	Resistência de entrada do portão		2.3		Ω	f=1MHz
EON	Ligue a energia de comutação		856.6		µJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Figuras 19, 20
EOFF	Desligue a energia de comutação		118.0		µJ
td(ligado)	Tempo de atraso de ativação		15.4		ns
tr	Tempo de subida		24.6
td(desligado)	Tempo de atraso de desligamento		28.6
tf	Tempo de outono		13.6

Características do diodo reverso(TC =25。C salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor			Unidade	Condições de teste	Note
Símbolo	Parâmetro	Min.	Tipo	Max.	Unidade	Condições de teste	Note
VSD	Tensão direta do diodo		4.2		V	ISD=30A, VGS=0V	Figuras 10, 11, 12
VSD	Tensão direta do diodo		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Figuras 10, 11, 12
tr	Tempo de recuperação reversa		54.8		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
qrr	Cobrança de recuperação reversa		470.7		nC
IRRM	Corrente de recuperação reversa de pico		20.3		A