W ciągu ostatnich kilku lat pojazdy elektryczne stały się coraz bardziej powszechne w użyciu ze względu na ich ekologiczną konstrukcję. Tak czy inaczej, wyzwania dla samochodów elektrycznych w dalszym ciągu stanowią niski zasięg i długi czas ładowania. Jednakże tranzystory MOSFET SiC mają potencjał rozwiązania tych problemów i zapoczątkowania nowej ery technologii pojazdów elektrycznych.
Tranzystory MOSFET SiC są rodzajem energoelektroniki nowej generacji i oferują lepszą wydajność w porównaniu z alternatywami krzemowymi pod względem napięcia, częstotliwości, wydajności i temperatury. Tranzystory MOSFET SiC mogą znacznie poprawić wydajność konwersji i wydajność mocy w pojeździe elektrycznym dzięki ich zdolności do pracy przy wyższych częstotliwościach i temperaturach. Innymi słowy, tranzystory MOSFET SiC mogą utorować drogę samochodom elektrycznym, które można szybciej ładować i które szybciej/bardziej efektywnie zużywają akumulatory, zmniejszając negatywny wpływ, taki jak wymagania dotyczące chłodzenia.
Jednak tranzystory MOSFET SiC nie są przeznaczone wyłącznie do pojazdów elektrycznych. Technologia ta ma także przynieść korzyści pojazdom hybrydowym, które łączą silniki spalinowe z silnikami elektrycznymi w celu zwiększenia efektywności paliwowej. Zwiększając gęstość mocy napędów silnikowych i ulepszając systemy ładowania/rozładowywania akumulatorów za pomocą tranzystorów MOSFET SiC, samochody hybrydowe mogą poprawić wydajność i wydajność. Innowacje te powinny skutkować poprawą zużycia paliwa i redukcją emisji gazów cieplarnianych w całym cyklu życia pojazdów hybrydowych.
Oprócz hybryd, starsze pojazdy napędzane silnikiem spalinowym – jedne z największych obecnie stosowanych emitentów gazów cieplarnianych – mogą osiągnąć ulepszenia dzięki integracji SiC MOSFET. Tranzystory MOSFET SiC mogą poprawić wydajność układów napędowych, prowadząc do zwiększenia oszczędności paliwa, umożliwiając konwencjonalnym pojazdom zmniejszenie emisji na poziomie globalnym. Co więcej, tranzystory MOSFET SiC w układach pomocniczych, takich jak elektryczne wspomaganie kierownicy i klimatyzacja, mogą również przyczynić się do zwiększenia oszczędności paliwa i zmniejszenia emisji dwutlenku węgla.
Cicho o przyszłości, technologia jazdy autonomicznej wywołuje niepowstrzymaną falę w przemyśle motoryzacyjnym – obiecując dobrodziejstwo lub granicę w postaci niezwykle wydajnej i niezawodnej elektroniki mocy. Przejście to będzie realizowane przez tranzystory MOSFET SiC lub elektronikę mocy do pojazdów autonomicznych, co przyspieszyło rozwój motoryzacji. Tymczasem tranzystory MOSFET SiC umożliwiają wyższe napięcie i prąd oraz zmniejszają straty przełączania, poprawiając jednocześnie wydajność cieplną, dzięki czemu autonomiczna jazda jest bezpieczniejsza.
Podsumowując, oczekuje się, że szerokie zastosowanie tranzystorów MOSFET SiC w pojazdach elektrycznych/hybrydowych/autonomicznych odegra znaczącą rolę w zmniejszeniu globalnej emisji dwutlenku węgla i zwiększeniu zasięgu jazdy/zmniejszeniu zużycia paliwa. Rynek motoryzacyjny szybko zbliża się do punktu krytycznego, a producenci ścigają się, aby produkować pojazdy energooszczędne i przyjazne dla środowiska. Rozwiązanie tych problemów jest ważne dla osiągnięcia przyszłości, w której pojazdy będą przyjazne dla środowiska i niezawodne, dzięki czemu technologia SiC MOSFET nie będzie miała sobie równych.