Miejsce pochodzenia: | Zhejiang |
Nazwa marki: | Inventchip Technology |
Numer modelu: | IV1B12025HC1L |
Certyfikacja: | AEC-Q101 |
Charakterystyka
Wysokie napięcie blokujące przy niskim oporze włączeniowym
Szybkie przełączanie przy niskiej pojemności
Wysoka zdolność pracy przy wysokiej temperaturze stycznej
Bardzo szybka i odporna wewnętrzna dioda przewodnicy
Wnioski
Zastosowania solarne
system ups
Sterowniki silników
Konwertery napięciowe DC/DC wysokiego napięcia
Opakowanie
Bezwzględne Wartości Maksymalne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)
Symbol | Parametry | wartość | jednostka | Warunki testowe | Uwaga |
VDS | Napięcie między drainersem a źródłem | 1200 | V | VGS =0V, ID =200μA | |
VGSmax (DC) | Maksymalne napięcie DC | -5 do 22 | V | Statyczne (DC) | |
VGSmax (Szczyt) | Maksymalne napięcie szczytowe | -10 do 25 | V | <1% cykl pracy, szerokość impulsu <200ns | |
VGSon | Polecane napięcie włączania | 20±0.5 | V | ||
VGSoff | Polecane napięcie wyłączania | -3.5 do -2 | V | ||
Id | Prąd drajnu (ciągły) | 74 | A. | VGS =20V, TC =25°C | |
50 | A. | VGS =20V, TC =94°C | |||
IDM | Prąd drajnu (pulsowany) | 185 | A. | Szerokość impulsu ograniczona przez SOA | Rys.26 |
Ptot | Całkowita dyssypacja mocy | 250 | W | TC =25°C | Rys.24 |
Tstg | Zakres temperatury przechowywania | -40 do 150 | °C | ||
Tj | Maksymalna wirtualna temperatura przewodu w warunkach przełączania | -40 do 150 | °C | Działanie | |
-55 do 175 | °C | Przewodnicze z obniżonym czasem życia |
Dane termiczne
Symbol | Parametry | wartość | jednostka | Uwaga |
Rθ(J-C) | Opór Termiczny od Junctury do Obudowy | 0.5 | °C/W | Rys.25 |
Charakterystyki elektryczne (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)
Symbol | Parametr | wartość | jednostka | Warunki testowe | Uwaga | ||
Min. | Typ. | Max. | |||||
IDSS | Prąd drainowy przy zerowym napięciu bramki | 10 | 200 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
IGSS | Prąd ucieczkowy bramki | 2 | ±200 | NA | VDS =0V, VGS = -5~20V | ||
VTH | Próg napięcia bramki | 3.2 | V | VGS=VDS , ID =12mA | fig.9 | ||
2.3 | VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C | ||||||
ron | Statyczny opór drań-podścieżka | 25 | 33 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C | Rys.4-7 | |
36 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C | |||||
Ciss | Pojemność wejściowa | 5.5 | NF | VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV | Rys.16 | ||
Coss | Pojemność wyjściowa | 285 | PF | ||||
Crss | Pojemność przewodzenia odwrotnego | 20 | PF | ||||
Eoss | Energia przechowywana w Coss | 105 | μJ | Rys.17 | |||
Qg | Całkowity ładunek bramki | 240 | NC | VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 do 20V | Rys.18 | ||
Qgs | Ładunek bramka-źródło | 50 | NC | ||||
Qgd | Naładowanie bramki-drainu | 96 | NC | ||||
Rg | Opór wejściowy bramki | 1.4 | Ω | f=100kHZ | |||
EON | Energia przemiennika przy włączaniu | 795 | μJ | VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 do 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH | Rys.19-22 | ||
EOFF | Energia przemiennika wyłączania | 135 | μJ | ||||
td(wł) | Czas opóźnienia włączenia | 15 | NS | ||||
TR | Czas narastania | 4.1 | |||||
td(wył) | Czas opóźnienia wyłączenia | 24 | |||||
TF | Czas spadku | 17 | |||||
LsCE | Indukcyjność pasożytnicza | 8.8 | - Nie. |
Właściwości diody odwrotnej (Tc=25°C chyba że zaznaczono inaczej)
Symbol | Parametry | wartość | jednostka | Warunki testowe | Uwaga | ||
Min. | Typ. | Max. | |||||
VSD | Napięcie przód-diody | 4.9 | V | ISD =40A, VGS =0V | Rys.10- 12 | ||
4.5 | V | ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C | |||||
trr | Czas odzysku wstecznego | 18 | NS | VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH | |||
Qrr | Opłata za odzyskiwanie wsteczne | 1068 | NC | ||||
IRRM | Maksymalny prąd odzyskiwania wstecznego | 96.3 | A. |
Charakterystyka termistora NTC
Symbol | Parametry | wartość | jednostka | Warunki testowe | Uwaga | ||
Min. | Typ. | Max. | |||||
RNTC | Nominalny opór | 5 | kΩ | TNTC = 25℃ | Rys.27 | ||
ΔR/R | Dopuszczalny rozrzut oporu przy 25℃ | -5 | 5 | % | |||
β25/50 | Wartość Beta | 3380 | K | ±1% | |||
Pmax | rozpraszanie mocy | 5 | mW |
Typowe wydajność (krzywe)
Wymiary Opakowania (mm)
NOTATKI
Aby uzyskać więcej informacji, skontaktuj się z Biurem Sprzedaży IVCT.
Prawa autorskie ©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Wszelkie prawa zastrzeżone.
Informacje zawarte w tym dokumencie mogą ulec zmianie bez uprzedzenia.
Powiązane Linki
http://www.inventchip.com.cn