Elektriske kjøretøy har blitt mer og mer utbredt i bruk de siste årene på grunn av deres økologiske design. Elbiler utfordres uansett fortsatt av lav rekkevidde og lang ladetid. SiC MOSFET-er har imidlertid potensialet til å løse disse problemene og innlede en ny æra innen elbilteknologi.
SiC MOSFET-er er en slags ny generasjons kraftelektronikk og tilbyr overlegen ytelse i forhold til silisiumalternativer når det gjelder spenning, frekvens, effektivitet og temperatur. SiC MOSFET-er kan i stor grad forbedre konverteringseffektiviteten og ytelsen til kraften i et elektrisk kjøretøy ved deres evne til å operere ved høyere frekvenser og temperaturer. Med andre ord kan SiC MOSFET-er bane vei for elbiler som er raskere å lade og raskere/mer effektive på batterirekkevidden ved å redusere negative påvirkninger som kjølekrav.
SiC MOSFET-er er imidlertid ikke utelukkende for elektriske kjøretøy. Teknologien er også utviklet for å betale utbytte i hybridbiler, som kombinerer forbrenningsmotorer med elektriske motorer for økt drivstoffeffektivitet. Ved å øke krafttettheten til motordrevne og forbedre batterilading/-utladingssystemer med SiC MOSFET-er, kan hybridbiler forbedre effektivitet og ytelse. Disse innovasjonene bør gi forbedringer i drivstofføkonomi, og en reduksjon av karbonutslipp over livssyklusen for hybridbiler.
I tillegg til hybrider, kan eldre forbrenningsmotordrevne kjøretøy - noen av de største utslippene av klimagasser i bruk i dag - oppnå forbedringer gjennom SiC MOSFET-integrasjon. SiC MOSFET-er kan forbedre effektiviteten til drivverkssystemer, noe som fører til en økning i drivstofføkonomi som gjør det mulig for konvensjonelle kjøretøy å kutte utslipp på globalt nivå. Videre kan SiC MOSFET-ene i hjelpesystemer som elektrisk servostyring og klimaanlegg også bidra til høyere drivstoffeffektivitet og reduserte karbonutslipp.
Hysj-hysj om fremtiden, teknologi for autonom kjøring legger til rette for en ustoppelig bølge i bilindustrien - og lover en velsignelse eller grense for ekstremt effektiv og pålitelig kraftelektronikk. Denne overgangen vil bli ledet av SiC MOSFETs eller Power Electronics for autonome kjøretøyer som har akselerert bilutviklingen. I mellomtiden muliggjør SiC MOSFET-er høyere spennings- og strømkapasiteter og reduserer svitsjetap samtidig som de forbedrer termisk ytelse for å gjøre autonom kjøring tryggere.
Oppsummert forventes høy bruk av SiC MOSFET-er i elektriske/hybrid/autonome kjøretøy å spille en betydelig rolle i reduserte globale karbonutslipp og økt rekkevidde/drivstofføkonomi. Bilmarkedet nærmer seg raskt et vippepunkt, med produsenter som kjemper for å produsere energieffektive og miljøvennlige kjøretøy. Å løse disse problemene er viktig for å oppnå en fremtid der kjøretøy er miljøvennlige og pålitelige, noe som gjør SiC MOSFET-teknologi uten sidestykke.