1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solar omformere Norge

Place of Origin:	Zhejiang
Brand Name:	Inventchip-teknologi
Modellnummer:	IV2Q171R0D7Z
sertifisering:	AEC-Q101 kvalifisert

Egenskaper

• 2. generasjons SiC MOSFET-teknologi med +15~+18V portdrift

• Høy blokkeringsspenning med lav på-motstand

• Høyhastighetskobling med lav kapasitans

• 175 ℃ driftstemperaturkapasitet

• Ultrarask og robust indre kroppsdiode

• Kelvin gate input easing driver kretsdesign

• AEC-Q101 kvalifisert

Applikasjoner

• Solcelleomformere

• Hjelpestrømforsyninger

• Strømforsyninger i svitsjemodus

• Smarte målere

Outline:

 

Markeringsdiagram:

Absolutte maksimale rangeringer(TC=25°C med mindre annet er spesifisert)

symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Testbetingelser	Merknader
VDS	Drain-Source spenning	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (forbigående)	Maksimal spikespenning	-10 til 23	V	Driftssyklus <1 %, og pulsbredde <200 ns
VGSon	Anbefalt tenningsspenning	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalt avstengingsspenning	-5 til -2	V	Typisk verdi -3.5V
ID	Tappestrøm (kontinuerlig)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Figur 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Tappestrøm (pulserende)	15.7	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(JC)	Fig. 25, 26
ISM	Kroppsdiodestrøm (pulset)	15.7	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(JC)	Fig. 25, 26
PTOT	Totalt effekttap	73	W	TC = 25°C	Figur 24
Tstg	Oppbevaringstemperaturområde	-55 til 175	° C
TJ	Driftstemperatur for kryss	-55 til 175	° C

Termiske data

symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Merknader
Rθ(JC)	Termisk motstand fra knutepunkt til kasse	2.05	° C / W	Figur 25

Elektriske egenskaper(TC =25°C med mindre annet er spesifisert)

symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merknader
		Min.	Type.	Maks.
Idss	Null gate spenning drain strøm		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Portlekkasjestrøm			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH KORT	Gateterskelspenning	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS, ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS, ID =380uA @ TJ =175°C
RON	Statisk avløpskilde på - motstand		700	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Inngangskapasitans		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Figur 16
Coss	Utgangskapasitans		15.3		pF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		2.2		pF
Eoss	Coss lagret energi		11		μJ		Figur 17
Qg	Total portavgift		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 til 18V	Figur 18
Qgs	Gate-kilde avgift		2.7		nC
Qgd	Gate-dren ladning		12.5		nC
Rg	Portinngangsmotstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Slå på bytteenergi		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Slå av bytteenergi		17.0		μJ
td (på)	Forsinkelsestid for oppstart		4.8		ns
tr	Stigetid		13.2
td (av)	Slå av forsinkelsestid		12.0
tf	Fall tid		66.8
EON	Slå på bytteenergi		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Figur 22

Omvendte diodeegenskaper(TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merknader
		Min.	Type.	Maks.
VSD	Diode fremoverspenning		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	Diode fremoverstrøm (kontinuerlig)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Omvendt gjenopprettingstid		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω  L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Omvendt gjenopprettingsavgift		54.2		nC
IRRM	Maksimal reverseringsstrøm		8.2		A

Typisk ytelse (kurver)

 

Pakningsstørrelse

OBS:

1. Pakkereferanse: JEDEC TO263, Variasjon AD

2. Alle mål er i mm

3. Med forbehold om endringer uten varsel