1200V 40mΩ Gen2 SiC MOSFET for biler Norge

Egenskaper

Applikasjoner

Outline:

Markeringsdiagram:

bilde

Absolutte maksimale rangeringer(TC=25°C med mindre annet er spesifisert)

symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Testbetingelser	Merknader
VDS	Drain-Source spenning	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (forbigående)	Maksimal transient spenning	-10 til 23	V	Driftssyklus <1 %, og pulsbredde <200 ns
VGSon	Anbefalt tenningsspenning	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalt avstengingsspenning	-5 til -2	V	Typisk -3.5V
ID	Tappestrøm (kontinuerlig)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Figur 23
ID	Tappestrøm (kontinuerlig)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Figur 23
IDM	Tappestrøm (pulserende)	162	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(JC)	Fig. 25, 26
ISM	Kroppsdiodestrøm (pulset)	162	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(JC)	Fig. 25, 26
PTOT	Totalt effekttap	375	W	TC = 25°C	Figur 24
Tstg	Oppbevaringstemperaturområde	-55 til 175	° C
TJ	Driftstemperatur for kryss	-55 til 175	° C
TL	Loddetemperatur	260	° C	bølgelodding kun tillatt ved ledninger, 1.6 mm fra huset i 10 s

Termiske data

symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Merknader
Rθ(JC)	Termisk motstand fra knutepunkt til kasse	0.4	° C / W	Figur 25

Elektriske egenskaper (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merknader
symbol	Parameter	Min.	Type.	Maks.	Enhet	Testbetingelser	Merknader
Idss	Null gate spenning drain strøm		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Portlekkasjestrøm			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH KORT	Gateterskelspenning	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS, ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH KORT	Gateterskelspenning		2.1			VGS =VDS, ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
RON	Statisk avløpskilde på - motstand		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Inngangskapasitans		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Figur 16
Coss	Utgangskapasitans		100		pF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		5.8		pF
Eoss	Coss lagret energi		40		μJ		Figur 17
Qg	Total portavgift		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 til 18V	Figur 18
Qgs	Gate-kilde avgift		25		nC
Qgd	Gate-dren ladning		59		nC
Rg	Portinngangsmotstand		2.1		Ω	f=1MHz
EON	Slå på bytteenergi		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slå av bytteenergi		70.0		μJ
td (på)	Forsinkelsestid for oppstart		9.6		ns
tr	Stigetid		22.1
td (av)	Slå av forsinkelsestid		19.3
tf	Fall tid		10.5
EON	Slå på bytteenergi		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Figur 22
EOFF	Slå av bytteenergi		73.8		μJ		Figur 22

Omvendt diodekarakteristikk (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merknader
symbol	Parameter	Min.	Type.	Maks.	Enhet	Testbetingelser	Merknader
VSD	Diode fremoverspenning		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremoverspenning		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
IS	Diode fremoverstrøm (kontinuerlig)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
IS	Diode fremoverstrøm (kontinuerlig)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Omvendt gjenopprettingstid		42.0		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Omvendt gjenopprettingsavgift		198.1		nC
IRRM	Maksimal reverseringsstrøm		17.4		A