Opprinnelsessted: | Zhejiang |
Merkenavn: | Inventchip Technology |
Modellnummer: | IV1B12025HC1L |
Sertifisering: | AEC-Q101 |
Egenskaper
Høy blokkeringsspenning med lav påstand
Høy hastighetsbytting med lav kapasitans
Høy driftsforbindings temperaturførenhet
Veldig rask og robust innbygget kroppsdiode
Anvendelser
Solenergiapplikasjoner
ups-system
Motorstyrere
Høyspenninger DC/DC-konvertere
Pakke
Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)
Symbol | Parameter | verdi | enhet | Testbetingelser | Merk |
VDS | Spenningsforskjell mellom drain og kilde | 1200 | V | VGS =0V, ID =200μA | |
VGSmax (DC) | Maksimal DC-spenning | -5 til 22 | V | Stilleliggende (DC) | |
VGSmax (Spikk) | Maksimal spissespenning | -10 til 25 | V | <1% syklusforhold, og pulsbredde<200ns | |
VGSon | Anbefalt skru-oppvoltage | 20±0.5 | V | ||
VGSoff | Anbefalt skru-avvoltage | -3.5 til -2 | V | ||
ID | Avledningsstrøm (kontinuerlig) | 74 | A | VGS =20V, TC =25°C | |
50 | A | VGS =20V, TC =94°C | |||
IDM | Avledningsstrøm (pulsert) | 185 | A | Pulsbredde begrenset av SOA | Fig.26 |
Ptot | Total effektdissipasjon | 250 | W | TC =25°C | Fig.24 |
Tstg | Lagertemperaturområde | -40 til 150 | °C | ||
Tj | Maksimal virtuell krysspunktstemperatur under skiftebetingelser | -40 til 150 | °C | Drift | |
-55 til 175 | °C | Intermittent med redusert levetid |
Termisk data
Symbol | Parameter | verdi | enhet | Merk |
Rθ(J-C) | Termisk motstand fra forbindelse til husking | 0.5 | °C/W | Fig.25 |
Elektriske eigenskapar (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)
Symbol | Parameter | verdi | enhet | Testbetingelser | Merk | ||
Min. | Typ. | Maks. | |||||
IDSS | Nullegate-spenning drainstrøm | 10 | 200 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
IGSS | Gateteknisk strøm | 2 | ±200 | NA | VDS =0V, VGS = -5~20V | ||
VTH | Gateskleringsvoltasje | 3.2 | V | VGS=VDS , ID =12mA | Fig.9 | ||
2.3 | VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C | ||||||
ron | Statisk drain-kilde på-motstand | 25 | 33 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C | Fig.4-7 | |
36 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C | |||||
Ciss | Inngangskapasitet | 5.5 | NF | VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV | Fig.16 | ||
Coss | Utgangskapasitet | 285 | PF | ||||
Crss | Omvendt overføringskapasitans | 20 | PF | ||||
Eoss | Coss lagret energi | 105 | μJ | Fig.17 | |||
Qg | Total spesifikasjon av gate-ladning | 240 | NC: | VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 til 20V | Fig.18 | ||
Qgs | Gate-kilde ladning | 50 | NC: | ||||
Qgd | Gate-drain ladning | 96 | NC: | ||||
Rg | Gate inndata motstand | 1.4 | Ω | f=100kHz | |||
EON | Slå-på skifteenergi | 795 | μJ | VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 til 20V, RG(ext)slå-av/ RG(ext)slå-på =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH | Fig.19-22 | ||
EOFF | Slukkingsenergi for skifting | 135 | μJ | ||||
td(on) | Forsinkelsestid ved tænding | 15 | NS | ||||
TR | Stigningstid | 4.1 | |||||
td(off) | Forsinkelsestid ved slukking | 24 | |||||
TF | Falltid | 17 | |||||
LsCE | Stray-induktans | 8.8 | NH |
Omvendt diodekarakteristikk (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)
Symbol | Parameter | verdi | enhet | Testbetingelser | Merk | ||
Min. | Typ. | Maks. | |||||
VSD | Diode fremover spenning | 4.9 | V | ISD =40A, VGS =0V | Fig.10- 12 | ||
4.5 | V | ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C | |||||
trr | Omvendt gjenopptakstid | 18 | NS | VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH | |||
Qrr | Gjenopprettingsladning i motsatt retning | 1068 | NC: | ||||
IRRM | Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning | 96.3 | A |
Egenskaper for NTC-termistor
Symbol | Parameter | verdi | enhet | Testbetingelser | Merk | ||
Min. | Typ. | Maks. | |||||
RNTC | Nominal motstand | 5 | kΩ | TNTC =25℃ | Fig.27 | ||
ΔR\/R | Motstandstolerans ved 25℃ | -5 | 5 | % | |||
β25\/50 | Beta-verdi | 3380 | K | ±1% | |||
Pmax | effektforbruk | 5 | mW |
Typisk ytelse (kurver)
Forpakningsdimensjoner (mm)
Notater
For mer informasjon, vennligst kontakt IVCT's Salgsavdeling.
Opphavsrett©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Alle rettigheter forbeholdt.
Informasjonen i dette dokumentet er underlagt endringer uten varsel.
Relaterte lenker
http://www.inventchip.com.cn