Alle kategorier
TA KONTAKT
SiC Modul

Hjemmeside /  Produkter  /  Komponenter /  SiC Modul

SiC Modul

1200V 25mohm SiC MODUL Motorstyrere
1200V 25mohm SiC MODUL Motorstyrere

1200V 25mohm SiC MODUL Motorstyrere

  • Introduksjon

Introduksjon

Opprinnelsessted: Zhejiang
Merkenavn: Inventchip Technology
Modellnummer: IV1B12025HC1L
Sertifisering: AEC-Q101


Egenskaper

  • Høy blokkeringsspenning med lav påstand

  • Høy hastighetsbytting med lav kapasitans

  • Høy driftsforbindings temperaturførenhet

  • Veldig rask og robust innbygget kroppsdiode


Anvendelser

  • Solenergiapplikasjoner

  • ups-system

  • Motorstyrere

  • Høyspenninger DC/DC-konvertere


Pakke

image


image


Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol Parameter verdi enhet Testbetingelser Merk
VDS Spenningsforskjell mellom drain og kilde 1200V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Maksimal DC-spenning -5 til 22 V Stilleliggende (DC)
VGSmax (Spikk) Maksimal spissespenning -10 til 25 V <1% syklusforhold, og pulsbredde<200ns
VGSon Anbefalt skru-oppvoltage 20±0.5 V
VGSoff Anbefalt skru-avvoltage -3.5 til -2 V
ID Avledningsstrøm (kontinuerlig) 74A VGS =20V, TC =25°C
50A VGS =20V, TC =94°C
IDM Avledningsstrøm (pulsert) 185A Pulsbredde begrenset av SOA Fig.26
Ptot Total effektdissipasjon 250W TC =25°C Fig.24
Tstg Lagertemperaturområde -40 til 150 °C
Tj Maksimal virtuell krysspunktstemperatur under skiftebetingelser -40 til 150 °C Drift
-55 til 175 °C Intermittent med redusert levetid


Termisk data

Symbol Parameter verdi enhet Merk
Rθ(J-C) Termisk motstand fra forbindelse til husking 0.5°C/W Fig.25


Elektriske eigenskapar (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol Parameter verdi enhet Testbetingelser Merk
Min. Typ. Maks.
IDSS Nullegate-spenning drainstrøm 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Gateteknisk strøm 2±200 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Gateskleringsvoltasje 3.2V VGS=VDS , ID =12mA Fig.9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
ron Statisk drain-kilde på-motstand 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Fig.4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Inngangskapasitet 5.5NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Fig.16
Coss Utgangskapasitet 285PF
Crss Omvendt overføringskapasitans 20PF
Eoss Coss lagret energi 105μJ Fig.17
Qg Total spesifikasjon av gate-ladning 240NC: VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 til 20V Fig.18
Qgs Gate-kilde ladning 50NC:
Qgd Gate-drain ladning 96NC:
Rg Gate inndata motstand 1.4Ω f=100kHz
EON Slå-på skifteenergi 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 til 20V, RG(ext)slå-av/ RG(ext)slå-på =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
EOFF Slukkingsenergi for skifting 135μJ
td(on) Forsinkelsestid ved tænding 15NS
TR Stigningstid 4.1
td(off) Forsinkelsestid ved slukking 24
TF Falltid 17
LsCE Stray-induktans 8.8NH


Omvendt diodekarakteristikk (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol Parameter verdi enhet Testbetingelser Merk
Min. Typ. Maks.
VSD Diode fremover spenning 4.9V ISD =40A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Omvendt gjenopptakstid 18NS VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Gjenopprettingsladning i motsatt retning 1068NC:
IRRM Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning 96.3A


Egenskaper for NTC-termistor

Symbol Parameter verdi enhet Testbetingelser Merk
Min. Typ. Maks.
RNTC Nominal motstand 5TNTC =25℃ Fig.27
ΔR\/R Motstandstolerans ved 25℃ -55%
β25\/50 Beta-verdi 3380K ±1%
Pmax effektforbruk 5mW


Typisk ytelse (kurver)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Forpakningsdimensjoner (mm)

image



Notater


For mer informasjon, vennligst kontakt IVCT's Salgsavdeling.

Opphavsrett©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Alle rettigheter forbeholdt.

Informasjonen i dette dokumentet er underlagt endringer uten varsel.


Relaterte lenker


http://www.inventchip.com.cn


RELATERT PRODUKT