1700V 1000mΩ Hjelpestrømforsyninger SiC MOSFET

Egenskaper

⚫ 2. generasjon SiC MOSFET-teknologi med

+15~+18V gategång

⚫ Høy blokkeringsplassering med lav påmotstand

⚫ Høyhastighetskommuttering med lav kapasitans

⚫ Opererende knytte temperaturkapasitet på 175℃

⚫ Ultra rask og robust innbygget kroppsdiode

⚫ Kelvin-gate-ingang som enkel driverkretsdesign

Anvendelser

⚫ Solcelleinvertere

⚫ Hjelpekraftforsyninger

⚫ Byttemodusstrømforsyninger

⚫ Fløyteføringere

Omriss:

Merketegningsskjema:

Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	verdi	enhet	Testbetingelser	Merk
VDS	Spenningsforskjell mellom drain og kilde	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Midlertidig)	Maksimal spissespenning	-10 til 23	V	Lastgrad <1%, og pulsbredd <200ns
VGSon	Anbefalt skru-på spenning	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalt skru-av spenning	-5 til -2	V	Typisk verdi -3.5V
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Fig. 23
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Fig. 23
IDM	Avledningsstrøm (pulsert)	15.7	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Strøm i kroppsdioden (pulsert)	15.7	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Total effektdissipasjon	73	W	TC=25°C	Fig. 24
Tstg	Lagertemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftstemperatur for junction	-55 til 175	°C

Termisk data

Symbol	Parameter	verdi	enhet	Merk
Rθ(J-C)	Termisk motstand fra forbindelse til husking	2.05	°C/W	Fig. 25

Elektriske eigenskapar (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	verdi			enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	enhet	Testbetingelser	Merk
IDSS	Nullegate-spenning drainstrøm		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Gateteknisk strøm			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Gateskleringsvoltasje	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	Gateskleringsvoltasje		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Fig. 8, 9
ron	Statisk drain-kilde på-motstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
ron	Statisk drain-kilde på-motstand		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Inngangskapasitet		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgangskapasitet		15.3		PF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		2.2		PF
Eoss	Coss lagret energi		11		μJ		Fig. 17
Qg	Total spesifikasjon av gate-ladning		16.5		NC:	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-kilde ladning		2.7		NC:
Qgd	Gate-drain ladning		12.5		NC:
Rg	Gate inndata motstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Slå-på skifteenergi		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V til 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		17.0		μJ
td(on)	Forsinkelsestid ved tænding		4.8		NS
TR	Stigningstid		13.2
td(off)	Forsinkelsestid ved slukking		12.0
TF	Falltid		66.8
EON	Slå-på skifteenergi		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V til 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		22.0		μJ		Fig. 22

Omvendt diodekarakteristikk (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	verdi			enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	enhet	Testbetingelser	Merk
VSD	Diode fremover spenning		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremover spenning		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
er	Diode fremover strøm (kontinuerlig)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
er	Diode fremover strøm (kontinuerlig)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Omvendt gjenopptakstid		20.6		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Gjenopprettingsladning i motsatt retning		54.2		NC:
IRRM	Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning		8.2		A