1200V 30mΩ Gen2 Bils SiC MOSFET

Egenskaper

Anvendelser

Omriss:

Merketegningsskjema:

Absolutte maksimale verdier (TC=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	verdi	enhet	Testbetingelser	Merk
VDS	Spenningsforskjell mellom drain og kilde	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 20	V	Stilleliggende (DC)
VGSmax (Spikk)	Maksimal spissespenning	-10 til 23	V	Lastgrad<1%, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalt skru-på spenning	18±0,5	V
VGSoff	Anbefalt skru-av spenning	-3.5 til -2	V
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Avledningsstrøm (pulsert)	198	A	Pulsbredde begrenset av SOA	Fig. 26
Ptot	Total effektdissipasjon	395	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Lagertemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftende kobletemperatur	-55 til 175	°C
TL	Løtnings temperatur	260	°C	bølgesoldering kun tillatt ved ledninger, 1.6mm fra huset i 10 sekunder

Termisk data

Symbol	Parameter	verdi	enhet	Merk
Rθ(J-C)	Termisk motstand fra forbindelse til husking	0.38	°C/W	Fig. 23

Elektriske eigenskapar (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	verdi			enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	enhet	Testbetingelser	Merk
IDSS	Nullegate-spenning drainstrøm		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gateteknisk strøm			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Gateskleringsvoltasje	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Gateskleringsvoltasje		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
ron	Statisk drain-kilde på-motstand		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Inngangskapasitet		3000		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgangskapasitet		140		PF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		7.7		PF
Eoss	Coss lagret energi		57		μJ		Fig. 17
Qg	Total spesifikasjon av gate-ladning		135		NC:	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-kilde ladning		36.8		NC:
Qgd	Gate-drain ladning		45.3		NC:
Rg	Gate inndata motstand		2.3		Ω	f=1MHz
EON	Slå-på skifteenergi		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 til 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		118.0		μJ
td(on)	Forsinkelsestid ved tænding		15.4		NS
TR	Stigningstid		24.6
td(off)	Forsinkelsestid ved slukking		28.6
TF	Falltid		13.6

Omvendt diodekarakteristikk (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	verdi			enhet	Testbetingelser	Merk
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	enhet	Testbetingelser	Merk
VSD	Diode fremover spenning		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremover spenning		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Omvendt gjenopptakstid		54.8		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Gjenopprettingsladning i motsatt retning		470.7		NC:
IRRM	Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning		20.3		A