1700V 1000mΩ SiC MOSFET Zonnewindenergie-inverter

Oorsprong:	Zhejiang
Merkennaam:	Inventchip Technology
Modelnummer:	IV2Q171R0D7Z
Certificering:	AEC-Q101 gecertificeerd

Kenmerken

• 2e generatie SiC MOSFET-technologie met +15~+18V gate aandrijving

• Hoog blokkingspanning met lage aansluitweerstand

• Hoge snelheidsschakeling met lage capaciteit

• Capaciteit voor een werkende aansluittemperatuur van 175℃

• Uiterst snel en robuust intrinsiek body-diode

• Kelvin gate invoer die driver-circuitontwerp vereenvoudigt

• AEC-Q101 gecertificeerd

Toepassingen

• zonne-inverters

• Bijbehorende voedingen

• Schakelmodusvoedingen

• Slimme meters

Schets:

 

Markeringsschema:

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	waarde	eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VDS	Aansluitingspanning	1700	V.	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Tijdelijk)	Maximale piekspanning	-10 tot 23	V.	Duty cycle <1%, en pulse width<200ns
VGSaan	Aanbevolen aanzettingspanning	15 tot 18	V.
VGSuit	Aanbevolen uitzettingspanning	-5 tot -2	V.	Typische waarde -3,5V
ID	Drainspanning (continu)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afrasterstroom (gepulst)	15.7	A	Pulsbreedte beperkt door SOA en dynamische Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Body-diode-stroom (gepulst)	15.7	A	Pulsbreedte beperkt door SOA en dynamische Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Totale vermogensverliezen	73	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	°C
Tj	Werkschakeltemperatuur	-55 tot 175	°C

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	waarde	eenheid	Opmerking
Rθ(J-C)	Thermische weerstand van junction naar case	2.05	°C/W	Fig. 25

Elektrische Kenmerken (TC =25°C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	waarde			eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
IDSS	Drainstroom bij nul gate-spanning		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Doorlaatstroom			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	De grensspanning van de poort	1.8	3.0	4.5	V.	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V.	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
ron	Statische drain-source-aan-weerstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Ingangs capaciteit		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Uitgangscondensator		15.3		PF
Crss	Omgekeerde overdracht capaciteit		2.2		PF
Eoss	Coss opgeslagen energie		11		μJ		Fig. 17
Qg	Totale gatespanningsoplaadcapaciteit		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-source lading		2.7		nC
Qgd	Gate-drain lading		12.5		nC
Rg	Gate ingangweerstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Inschakelovergangsenergie		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3,5V tot 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		17.0		μJ
Td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand		4.8		n
- Het is...	Opstijgtijd		13.2
Td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling		12.0
TF	Ouderdom		66.8
EON	Inschakelovergangsenergie		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3,5V tot 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Karakteristieken van omgekeerde diode (TC =25。C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	waarde			eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
		Min.	- Een type.	Max.
VSD	Diode-spanning naar voren		4.0		V.	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V.	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
is	Diode voorspoedstroom (continu)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Teruglooptijd		20.6		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Teruglooplading		54.2		nC
IRRM	Pieks omkeringsherstelstroom		8.2		A

Typische prestaties (kurven)

 

Pakketafmetingen

Note:

1. Verpakking Referentie: JEDEC TO263, Variatie AD

2. Alle afmetingen zijn in mm

3. Onderhevig aan Wijzigingen Zonder Voorafgaande Kennisgeving