1700V 1000mΩ SiC MOSFET Zonne-omvormers Nederland

Plaats van herkomst:	Zhejiang
Merk:	Inventchip-technologie
Model nummer:	IV2Q171R0D7Z
Certificering:	AEC-Q101 gekwalificeerd

Kenmerken

• 2e generatie SiC MOSFET-technologie met +15~+18V gate-drive

• Hoge blokkeerspanning met lage aan-weerstand

• Hoge snelheidsschakeling met lage capaciteit

• 175℃ operationele junctietemperatuur mogelijk

• Ultrasnelle en robuuste intrinsieke lichaamsdiode

• Kelvin-poortinvoerversoepeling van het stuurcircuitontwerp

• AEC-Q101 gekwalificeerd

Toepassingen

• Zonne-omvormers

• Hulpvoedingen

• Schakelende voedingen

• Slimme meters

Overzicht:

 

Markeringsdiagram:

Absolute maximale beoordelingen(TC=25°C tenzij anders gespecificeerd)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Test voorwaarden	Note
VDS	Afvoerbronspanning	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (tijdelijk)	Maximale piekspanning	-10 tot 23	V	Inschakelduur <1% en pulsbreedte<200ns
VGSon	Aanbevolen inschakelspanning	15 tot 18	V
VGSuit	Aanbevolen uitschakelspanning	-5 tot -2	V	Typische waarde -3.5V
ID	Afvoerstroom (continu)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	figuur 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afvoerstroom (gepulseerd)	15.7	A	Pulsbreedte beperkt door SOA en dynamische Rθ(JC)	Afb. 25, 26
ISM	Lichaamsdiodestroom (gepulseerd)	15.7	A	Pulsbreedte beperkt door SOA en dynamische Rθ(JC)	Afb. 25, 26
POT	Totale vermogensdissipatie	73	W	TC =25°C	figuur 24
Tstg	Bereik opslagtemperatuur	-55 tot 175	° C
TJ	Bedrijfsjunctietemperatuur	-55 tot 175	° C

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Note
Rθ(JC)	Thermische weerstand van verbinding tot behuizing	2.05	° C / W	figuur 25

Elektrische kenmerken(TC =25°C tenzij anders gespecificeerd)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Test voorwaarden	Note
		Min.	Type.	Max.
IDSS	Nul-poort spanningsafvoerstroom		1	10	A	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Poortlekstroom			± 100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH-KAART	Poortdrempelspanning	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Afb. 8, 9
			2.0		V	VGS = VDS, ID = 380uA @ TJ = 175°C
RON	Statische afvoerbron aan - weerstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Afbeelding 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
ciss	Ingangscapaciteit:		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	figuur 16
Coss	Uitgangscapaciteit		15.3		pF
kruis	Omgekeerde overdrachtscapaciteit:		2.2		pF
Eos	Coss opgeslagen energie		11		μJ		figuur 17
Qg	Totale poortkosten		16.5		nC	VDS = 1000V, ID = 1A, VGS = -5 tot 18V	figuur 18
Qgs	Gate-bron lading		2.7		nC
Qgd	Poort-afvoer lading		12.5		nC
Rg	Poortingangsweerstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Schakel energie in		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Afb. 19, 20
EUIT	Schakel energie uit		17.0		μJ
td(aan)	Vertragingstijd inschakelen		4.8		ns
tr	Stijg tijd		13.2
td(uit)	Uitschakeltijd vertraging		12.0
tf	Herfst tijd		66.8
EON	Schakel energie in		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	figuur 22

Kenmerken van omgekeerde diodes(TC =25 。C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Test voorwaarden	Note
		Min.	Type.	Max.
VSD	Diode-doorlaatspanning		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Afbeelding 10, 11, 12
			3.8		V	ISD = 1A, VGS = 0V, TJ = 175 °C
IS	Diodedoorlaatstroom (continu)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
TRR	Omgekeerde hersteltijd		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω  L=2330μ H di/dt=5000A/μs
QR	Terugvorderingskosten		54.2		nC
IRRM	Piek omgekeerde herstelstroom		8.2		A

Typische prestaties (curven)

 

Afmetingen verpakking

Opmerking:

1. Pakketreferentie: JEDEC TO263, Variatie AD

2. Alle afmetingen zijn in mm

3. Wijzigingen voorbehouden zonder voorafgaande kennisgeving