SiC SBD

1200V 40A SiC Schottky-diode voor auto's Nederland

Inleiding

Inleiding

Plaats van herkomst:	Zhejiang
Merk:	Inventchip-technologie
Model nummer:	IV1D12040U3Z
Certificering:	AEC-Q101 gekwalificeerd

Minimale verpakkingshoeveelheid:	450PCS
Prijs:
Details van de verpakking:
Levertijd:
Betalingscondities:
Capaciteit van de levering:

Kenmerken

Maximale verbindingstemperatuur 175°C
Hoge piekstroomcapaciteit
Nul omgekeerde herstelstroom
Nul voorwaarts herstelspanning
Hoogfrequente werking
Temperatuuronafhankelijk schakelgedrag
Positieve temperatuurcoëfficiënt op VF
AEC-Q101 gekwalificeerd

Toepassingen

Vrijloopdiodes voor auto-omvormers
EV-opladerstapels
Weense 3-fase PFC
Zonne-energieboost
Voedingen met schakelmodus

schets

beeld

Markeringsschema

beeld

Absolute maximale beoordelingen(Tc=25°C tenzij anders gespecificeerd)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VRRM	Speerspanning (herhaalde piek)	1200	V
VDC	DC-blokkeerspanning	1200	V
IF	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=25°C	54 *	A
	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=135°C	28 *	A
	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=151°C	20 *	A
IFSM	Piek niet-repetitieve voorwaartse stroom sinus halve golf @Tc=25°C tp=10ms	140 *	A
IFRM	Piek repetitieve voorwaartse stroom (Freq=0.1 Hz, 100 cycli) sinus halve golf @ Tamb = 25 ° C tp = 10 ms	115 *	A
Ptot	Totale vermogensdissipatie @ Tc=25°C	272 *	W
	Totale vermogensdissipatie @ Tc=150°C	45 *
	I2t-waarde @Tc=25°C tp=10ms	98 *	A2s
Tstg	Bereik opslagtemperatuur	-55 tot 175	° C
Tj	Temperatuurbereik van operationele junctie	-55 tot 175	° C

*Per been

Een spanning die de waarden in de tabel met maximale waarden overschrijdt, kan het apparaat beschadigen. Als een van deze limieten wordt overschreden, moet het apparaat

functionaliteit mag niet worden aangenomen, er kan schade optreden en de betrouwbaarheid kan worden aangetast.

Elektrische kenmerken

Symbool	Parameter	Type.	Max.	Eenheid	Test voorwaarden	Note
VF	Voorspanning	1.48 *	1.8 *	V	ALS = 20 A TJ =25°C	figuur 1
		2.1 *	3.0 *		ALS = 20 A TJ =175°C
IR	Tegenstroom	10 *	200 *	A	VR = 1200 VTJ =25°C	figuur 2
		45 *	800 *		VR = 1200 VTJ =175°C
C	Totale capaciteit	1114 *		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	figuur 3
		100 *			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77 *			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Totale capacitieve lading	107 *		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	figuur 4
EC	Capaciteit Opgeslagen energie	31 *		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	figuur 5