SiC SBD

1200V 40A Automotief SiC Schottky Diode

Inleiding

Inleiding

Oorsprong:	Zhejiang
Merkennaam:	Inventchip Technology
Modelnummer:	IV1D12040U3Z
Certificering:	AEC-Q101 gecertificeerd

Minimumpacking Hoeveelheid:	450 stuks
Prijs:
Verpakking:
Levertijd:
Betalingstermen:
Leveringscapaciteit:

Kenmerken

Maximale junctionstemperatuur 175°C
Hoge overstromingsstroomcapaciteit
Nul terugloopstroom
Nul voorwaartse herstelspanning
hoogfrequente werking
Temperatuur onafhankelijk schakelgedrag
Positieve temperatuurcoëfficiënt op VF
AEC-Q101 gecertificeerd

Toepassingen

Automobiel Inverter Vrij wielende Diodes
Oplader kolommen voor elektrische voertuigen
Vienna 3-Fase PFC
Zonnepower Versterking
Schakelmodusvoedingen

Overzicht

Markeringsschema

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	waarde	eenheid
VRRM	Omgekeerde spanning (herhalende piek)	1200	V.
VDC	DC-blokkeerspanning	1200	V.
IF	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=25°C	54*	A
	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=135°C	28*	A
	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	Stoot niet-herhalende voorwaartse stroom sinus halfgolf @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	Stoot herhalende voorwaartse stroom (Frequentie=0.1Hz, 100 cycli) sinus halfgolf @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A
Ptot	Totale vermogensdissipatie @ Tc=25°C	272*	W
	Totale vermogensdissipatie @ Tc=150°C	45*
	I2t waarde @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	°C
Tj	Bereik van de bedradingstemperatuur	-55 tot 175	°C

*Per been

Belastingen die de waarden in de tabel met maximale waardes overschrijden, kunnen de apparatuur schaden. Indien een van deze limieten wordt overschreden, mag de functionaliteit niet worden verondersteld, er kan schade optreden en de betrouwbaarheid kan worden beïnvloed.

functionaliteit mag niet worden verondersteld, er kan schade optreden en de betrouwbaarheid kan worden beïnvloed.

Elektrische Kenmerken

Symbool	Parameter	- Een type.	Max.	eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VF	Voorwaartse Spanning	1.48*	1.8*	V.	IF = 20 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
Ir	Terugstroom	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Totale capaciteit	1114*		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Kwaliteitscontrole	Totale Capacitieve Lading	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
ec	Energie van Capaciteit Opgeslagen	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5