SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky-diode AC/DC-converters Nederland

Inleiding

Inleiding

Plaats van herkomst:	Zhejiang
Merk:	Inventchip-technologie
Model nummer:	IV1D12010T2
Certificering:

Minimale verpakkingshoeveelheid:	450PCS
Prijs:
Details van de verpakking:
Levertijd:
Betalingscondities:
Capaciteit van de levering:

Kenmerken

Maximale verbindingstemperatuur 175°C
Hoge piekstroomcapaciteit
Nul omgekeerde herstelstroom
Zero Forward Recovery-spanning
Hoogfrequente werking
temperatuuronafhankelijk schakelgedrag
Positieve temperatuurcoëfficiënt op VF

Toepassingen

Zonne-energieboost
Omvormer vrijloopdiodes
Weense 3-fase PFC
AC/DC-converters
Voedingen met schakelmodus

schets

beeld

Markeringsschema

beeld

Absolute maximale beoordelingen(Tc=25°C tenzij anders gespecificeerd)

Symbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VRRM	Speerspanning (herhaalde piek)	1200	V
VDC	DC-blokkeerspanning	1200	V
IF	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=25°C	30	A
	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=135°C	15.2	A
	Voorwaartse stroom (continu) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Piek niet-repetitieve voorwaartse stroom sinus halve golf @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Piek repetitieve voorwaartse stroom (Freq=0.1 Hz, 100 cycli) sinus halve golf @ Tamb = 25 ° C tp = 10 ms	56	A
Ptot	Totale vermogensdissipatie @ Tc=25°C	176	W
	Totale vermogensdissipatie @ Tc=150°C	29
	I2t-waarde @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Bereik opslagtemperatuur	-55 tot 175	° C
Tj	Temperatuurbereik van operationele junctie	-55 tot 175	° C

Een spanning die de waarden in de tabel met maximale waarden overschrijdt, kan het apparaat beschadigen. Als een van deze limieten wordt overschreden, mag niet worden uitgegaan van de functionaliteit van het apparaat; er kan schade optreden en de betrouwbaarheid kan worden aangetast.

Elektrische kenmerken

Symbool	Parameter	Type.	Max.	Eenheid	Test voorwaarden	Note
VF	Voorspanning	1.48	1.7	V	ALS = 10 A TJ =25°C	figuur 1
		2.0	3.0		ALS = 10 A TJ =175°C
IR	Tegenstroom	1	100	A	VR = 1200 VTJ =25°C	figuur 2
		10	250		VR = 1200 VTJ =175°C
C	Totale capaciteit	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	figuur 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Totale capacitieve lading	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	figuur 4
EC	Capaciteit Opgeslagen energie	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	figuur 5