1700V 1000mΩ Hulpbronnen SiC MOSFET

Oorsprong:	Zhejiang
Merkennaam:	Inventchip
Modelnummer:	IV2Q171R0D7
Minimale verpakkinghoeveelheid:	450

Kenmerken

⚫ 2 e Generatie SiC MOSFET Technologie met

+15~+18V gate-aansturing

⚫ Hoog blokkingspanning met lage aansluitweerstand

⚫ Hoogsnelheidschakeling met lage capaciteit

⚫ Capaciteit om tot een voegtemperatuur van 175℃ te werken

⚫ Ultra snel en robuust intrinsiek body-diode

⚫ Kelvin poort invoer die het ontwerpen van de drijfcircuit vereenvoudigt

Toepassingen

⚫ Zonnepanelen omvormers

⚫ Hulpbronnen voor elektriciteit

⚫ Schakelmodusvoedingen

⚫ Slimme meters

Schets:

Markeringsschema:

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	waarde	eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VDS	Aansluitingspanning	1700	V.	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Tijdelijk)	Maximale piekspanning	-10 tot 23	V.	Duty cycle <1%, en pulse width<200ns
VGSaan	Aanbevolen aanzettingspanning	15 tot 18	V.
VGSuit	Aanbevolen uitzettingspanning	-5 tot -2	V.	Typische waarde -3,5V
ID	Drainspanning (continu)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Fig. 23
ID	Drainspanning (continu)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Fig. 23
IDM	Afrasterstroom (gepulst)	15.7	A	Pulsbreedte beperkt door SOA en dynamische Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Body-diode-stroom (gepulst)	15.7	A	Pulsbreedte beperkt door SOA en dynamische Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Totale vermogensverliezen	73	W	TC=25°C	Fig. 24
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	°C
Tj	Werktemperatuur van de knooppunt	-55 tot 175	°C

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	waarde	eenheid	Opmerking
Rθ(J-C)	Thermische weerstand van junction naar case	2.05	°C/W	Fig. 25

Elektrische Kenmerken (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	waarde			eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
IDSS	Drainstroom bij nul gate-spanning		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Doorlaatstroom			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	De grensspanning van de poort	1.8	3.0	4.5	V.	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	De grensspanning van de poort		2.0		V.	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Fig. 8, 9
ron	Statische drain-source aansluitweerstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
ron	Statische drain-source aansluitweerstand		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Ingangs capaciteit		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Uitgangscondensator		15.3		PF
Crss	Omgekeerde overdracht capaciteit		2.2		PF
Eoss	Coss opgeslagen energie		11		μJ		Fig. 17
Qg	Totale gatespanningsoplaadcapaciteit		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-source lading		2.7		nC
Qgd	Gate-drain lading		12.5		nC
Rg	Gate ingangweerstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Inschakelovergangsenergie		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V tot 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		17.0		μJ
Td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand		4.8		n
- Het is...	Opstijgtijd		13.2
Td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling		12.0
TF	Ouderdom		66.8
EON	Inschakelovergangsenergie		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V tot 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		22.0		μJ		Fig. 22

Karakteristieken van omgekeerde diode (TC=25°C tenzij anders aangegeven)

Symbool	Parameter	waarde			eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VSD	Diode-spanning naar voren		4.0		V.	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode-spanning naar voren		3.8		V.	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
is	Diode voorspoedstroom (continu)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
is	Diode voorspoedstroom (continu)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Teruglooptijd		20.6		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Teruglooplading		54.2		nC
IRRM	Pieks omkeringsherstelstroom		8.2		A