1200V 30mΩ Gen2 Automotief SiC MOSFET

Kenmerken

Toepassingen

Schets:

Markeringsschema:

Absolute maximale ratings (TC=25°C tenzij anders gespecificeerd)

Symbool	Parameter	waarde	eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VDS	Aansluitingspanning	1200	V.	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	maximale dc-spanning	-5 tot 20	V.	Statisch (DC)
VGSmax (Piek)	Maximale piekspanning	-10 tot 23	V.	Dutycycle<1%, en pulsgrootte<200ns
VGSaan	Aanbevolen aanzettingspanning	18±0.5	V.
VGSuit	Aanbevolen uitzettingspanning	-3.5 tot -2	V.
ID	Drainspanning (continu)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afrasterstroom (gepulst)	198	A	Pulsgrootte beperkt door SOA	Fig. 26
Ptot	Totale vermogensverliezen	395	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	°C
Tj	Werkschakeltemperatuur	-55 tot 175	°C
TL	Loddestemperatuur	260	°C	golflooden alleen toegestaan aan aansluitingen, 1.6mm van de behuizing voor 10 s

Thermische gegevens

Symbool	Parameter	waarde	eenheid	Opmerking
Rθ(J-C)	Thermische weerstand van junction naar case	0.38	°C/W	Fig. 23

Elektrische Kenmerken (TC =25。C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	waarde			eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
IDSS	Drainstroom bij nul gate-spanning		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Doorlaatstroom			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	De grensspanning van de poort	1.8	2.8	4.5	V.	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	De grensspanning van de poort		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
ron	Statische drain-source-aan-weerstand		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Ingangs capaciteit		3000		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Uitgangscondensator		140		PF
Crss	Omgekeerde overdracht capaciteit		7.7		PF
Eoss	Coss opgeslagen energie		57		μJ		Fig. 17
Qg	Totale gatespanningsoplaadcapaciteit		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-source lading		36.8		nC
Qgd	Gate-drain lading		45.3		nC
Rg	Gate ingangweerstand		2.3		Ω	f=1MHz
EON	Inschakelovergangsenergie		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3,5 tot 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitschakelovergangsenergie		118.0		μJ
Td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand		15.4		n
- Het is...	Opstijgtijd		24.6
Td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling		28.6
TF	Ouderdom		13.6

Karakteristieken van omgekeerde diode (TC =25。C tenzij anders vermeld)

Symbool	Parameter	waarde			eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid	Testomstandigheden	Opmerking
VSD	Diode-spanning naar voren		4.2		V.	ISD =30A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode-spanning naar voren		4.0		V.	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Teruglooptijd		54.8		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Teruglooplading		470.7		nC
IRRM	Pieks omkeringsherstelstroom		20.3		A