applications ကို

ဆိုလာစွမ်းအင်သည် အသန့်ရှင်းဆုံးနှင့် အပေါများဆုံး ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင် ရင်းမြစ်ဖြစ်သည်။ Solar photovoltaic (PV) ဆဲလ်များ သို့မဟုတ် panel များသည် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ကို လျှပ်စစ်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးသည့် ကိရိယာများဖြစ်သည်။ အရှိန်အဟုန်ပြင်းစွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် ကြီးမားသော ဆိုလာပြားများ ထုတ်လုပ်မှုသည် ဤထောင်စုနှစ်သစ်မှ စတင်ခဲ့သည်။ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး PV စွမ်းရည်သည် 494.3 ခုနှစ်တွင် 2018GW သို့ရောက်ရှိခဲ့ပြီး 1 နှင့် 2019 ခုနှစ်အကြား 2030 TW နှင့်အထက် တိုးလာရန် မျှော်လင့်ထားသည် (Source: GlobalData Power Database)။ ယင်းကာလအတွင်း စွမ်းရည်မြှင့်တင်မှု အများစုသည် တရုတ်၊ အိန္ဒိယနှင့် အခြားသော အာရှ-ပစိဖိတ်နိုင်ငံများမှ လာမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။ တပ်ဆင်စွမ်းရည်နှင့် နည်းပညာများ အရှိန်အဟုန်ဖြင့် တိုးတက်လာခြင်းနှင့်အတူ ဆိုလာ PV တပ်ဆင်ခြင်းအတွက် ပျမ်းမျှအရင်းအနှီးကုန်ကျစရိတ်မှာ သိသိသာသာ လျော့နည်းသွားသော်လည်း နိုင်ငံတစ်ခုနှင့်တစ်ခု ကွဲပြားနေဆဲဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့် အစိုးရအစီအစဥ်များ ကျဆင်းလာခြင်းကြောင့် ဆိုလာ PV ၏ ပျမ်းမျှစနစ်စျေးနှုန်း ကျဆင်းသွားစေသည်။ ဆိုလာ PV စက်ရုံများ၏ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပျမ်းမျှအရင်းအနှီးကုန်ကျစရိတ်မှာ 4,162 ခုနှစ်တွင် $2010/kilowatt (KW) ဖြစ်ပြီး 1,240 ခုနှစ်တွင် $2018/kW သို့ လျှော့ချကာ နိုင်ငံအများအပြားရှိ ကုန်ကျစရိတ် ခန့်မှန်းချက်အပေါ် အခြေခံ၍ 997 ခုနှစ်တွင် $2030 သို့ ရောက်ရှိရန် ခန့်မှန်းထားသည်။ အောက်ဖော်ပြပါ ပုံတွင် ဖော်ပြထားသည်။ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ဆိုလာ PV ၏ ပျမ်းမျှစနစ်စျေးနှုန်းလမ်းကြောင်းနှင့် 2010 နှင့် 2018 ခုနှစ်အကြား ထိပ်တန်းနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး PV နိုင်ငံငါးနိုင်ငံ။

ဆိုလာ PV စျေးကွက်၊ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ၊ အဓိကနိုင်ငံများ၏ ပျမ်းမျှကုန်ကျစရိတ်နှင့် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ($/KW)၊ 2010-2018 (အရင်းအမြစ်- GlobalData)

ယှဉ်ပြိုင်မှုကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် PV နှင့် ဓာတ်အားစနစ်ထုတ်လုပ်သူများသည် နည်းပညာအသစ်များကို စဉ်ဆက်မပြတ် ရှာဖွေနေပါသည်။ ပါဝါကူးပြောင်းမှုထိရောက်မှုနှင့် အင်ဗာတာအလေးချိန်/အရွယ်အစားနှင့် ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ်အားလုံးသည် ဒီဇိုင်းတစ်ခုအတွက် ထည့်သွင်းတွက်ချက်ရန် လိုအပ်သည့် ကဏ္ဍများဖြစ်သည်။ ဆိုလာပြောင်းစက်၏ ပါဝါနှင့် ဗို့အားအဆင့်များသည် အသုံးချပရိုဂရမ်များအပေါ် မူတည်၍ ကွဲပြားသည်။ လူနေထိုင်မှုလျှောက်လွှာများသည် အများအားဖြင့် 10kW အောက်တွင်ရှိပြီး စီးပွားဖြစ်များသောအားဖြင့် 10kW နှင့် 70kW ကြားတွင်ရှိသည်။ အသုံးဝင်သည့် ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများသည် 70kW အထက်ရှိသည်။ လက်ရှိတွင် ဓာတ်အားပေးစက်ရုံအများစုသည် 1000V အမြင့်ဆုံးဘတ်စ်ဗို့အားကို အသုံးပြုနေကြဆဲဖြစ်သော်လည်း မကြာသေးမီကမှ တီထွင်ခဲ့သော ဆိုလာစက်ရုံကြီးများသည် PV ဗို့အား 1500V မှ 1000V သို့ 1500V သို့ တိုးမြှင့်လာကြသည်။ မြင့်မားသောဗို့အားသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနှင့် ကြေးနီဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ဓာတ်အားစနစ်၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုတိုးတက်စေသည်။ 3V ဘတ်စ်ဗို့အတွက်၊ 1200-level boost နှင့် အင်ဗာတာ topologies များသည် XNUMXV switching devices များဖြင့် တရားဝင်ဖြေရှင်းချက်ဖြစ်လာသည်။

SiC diodes ကို PV boost converter ဒီဇိုင်းတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုခဲ့ပြီး SiC MOSFET များကို စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အင်ဗာတာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု အများအပြားတွင် အသုံးပြုခဲ့သည်။ အောက်ပါတို့သည် PV အင်ဗာတာဒီဇိုင်းတွင်အသုံးပြုသည့် topology ဥပမာနှစ်ခုဖြစ်သည်။

TO-60 SiC MOSFET ဖြေရှင်းချက်ဖြင့် 247kW အင်ဗာတာ

TO-1500 SiC MOSFET နှင့် IV150E SiC Module Solution ပါရှိသော 247V 1kW Inverter သည် SiC diode နှင့် MOSFET စွမ်းဆောင်ရည်ကိုပြသရန် 20kW interleaved boost converter ကို တီထွင်ခဲ့သည်။ converter သည် 80mOhm 1200V IV1Q12080T4 MOSFTE လေးခုနှင့် 10A 1200V IV1D12010T3 diodes လေးခုကို အသုံးပြုသည်။ 65kHz တွင် converter သည် 99.4V input နှင့် 600V output ဖြင့် 800% ထိရောက်မှုကို ရရှိသည်။ MOSFET များကို SiC MOSFET ယာဉ်မောင်း IVCR1401 မှ မောင်းနှင်ပါသည်။ အောက်ဖော်ပြပါ လှိုင်းပုံစံများသည် သန့်ရှင်းသော Vds အတက်အဆင်းနှင့် အစွန်းများကို ပြသသည်။