မြင့်မားသော oltage SiC MOSFETs တို့ဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အဓိကဆုံး အချက်အလက်များ

အင်တာဗျူးများကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက် high voltage SiC MOSFETs များတွင်လွယ်ကူစွာလျှော့ချနိုင်သည်။ ဒီလုပ်ငန်းများကိုအသုံးပြုခြင်းအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ဟာနောက်ထပ်အသုံးပြုသည့်အပြင် ဒီလုပ်ငန်းများကိုအသုံးပြုခြင်းအတွက် အဓိကဆိုင်ရာအချက်များရှိပါသည်။ ဒီလုပ်ငန်းများကိုမှန်ကန်စွာနှင့်လျှော့ချစွာအလုပ်လုပ်နိုင်စေရန်အတွက်လည်း အရေးကြီးသောအချက်များရှိပါသည်။

Power Design တွင် High Voltage SiC MOSFETs များ၏အမြဲတမ်းသဘောတူညီချက်များ

အောက်မှုတိုင်း SiC MOSFET များကို အားပေးရေးအတွက် စီးသည့် လက်ထဲမှားနှင့် တူညီသော အရာဟု ယူဆချိန်ရှိသည်။ ဒါတွေဟာ အလွန်ပြောင်းလဲလာမှာဖြစ်မှာမျိုး အများအားကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ဒီအချက်က သူတို့ဟာ အလွန်ကျောင်းတော်တဲ့ အရာတစ်ခုဖြစ်လာပြီး အင်္ဂါရိုးကြီးများကို လုပ်ဆောင်ခြင်းမှာ အင်္ဂါရိုးကြီးများကို လွန်စြာ အသုံးပြုနိုင်သည်။ ထပ်တိုးလျှင် MOSFET များကို အခြားအရာများထက် အသေးစိတ်နှင့် လျောလွယ်သည်။ ဒီသဘောတူညီမှုက အင်္ဂါရိုးကြီးများကို ဆောင်ရွက်ခြင်းနှင့် ဒီဇိုင်းတွင် အခွေကို သိမ်းဆည်းခြင်းကို လွယ်ကူစေသည်။ အသေးစိတ်ဖြစ်လာခြင်းက ပိုမိုသော အားလုံးကို ဖန်တီးနိုင်သည့် နှင့် ဆောင်ရွက်နိုင်သော အင်္ဂါရိုးကြီးများကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။

အောက်မှုတိုင်း SiC MOSFET များ၏ အပူချိန်ကို ချိုးဖြတ်ခြင်း

အမှတ်ကိန်းလေးရှိသော SiC MOSFET များ၏ လှပသော အလုပ်ဆောင်ခြင်းအပူချိန်ကို ထိန်းသိမ်းခြင်းသည် အရေးကြီးဖြစ်သည်။ မှန်းမှန်ပြီး ပြောင်းလဲလိုက်ပါက သူတို့၏ လုပ်ဆောင်ချက်များကို ရပ်တန့်နိုင်ပြီး ဒါဟာ ဆိုရင် မကောင်းပါဘူး! ဒါကြောင့် ဒီလို ပြောင်းလဲမှုကို ရပ်တန့်ရန် ကျွေးသော အပူချိန်ကို ဖယ်ရှားရန် အကျဉ်းချုပ်များ၊ လှေများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ အကျဉ်းချုပ်များသည် MOSFET များအပေါ်တွင် အဓိပ္ပါယ်ရှိစွာ ပိတ်ပင်ထားသည်။ လှေများကို အသုံးပြု၍ အပူချိန်ကို ဖယ်ရှားနိုင်သည်။ ဒီကိရိယာများကို အမှန်တကယ်အသုံးပြုရန် လိုအပ်သည်။ ထို့အပြင် MOSFET များကို အသုံးပြုလျှင် အရေးကြီးသော အလုပ်ဆောင်ခြင်းများကို မပြောင်းလဲဘဲ ထိန်းသိမ်းနိုင်စေရန် အရေးကြီးသည်။ အပူချိန်ကို ထိန်းသိမ်းခြင်းသည် ကိရိယာများကို ကာကွယ်ပေးပြီး သူတို့၏ အလုပ်ဆောင်ခြင်းကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။

High Voltage SiC MOSFETs ဖြင့် အားသာချက်ဆုံးဖြတ်မှုကို လျှော့ချခြင်းနှင့် အားသာချက်အသုံးပြုမှုကို ပိုမိုလှုံ့ဆော်ခြင်း

ကွန်ပိုင်ဒီအိုကား သို့မဟုတ် ဆျြာစ် အကျဉ်းချုပ် SiC သည် မျှော်လင့်မှုကို ပိုမိုတိုးတက်စေရန်၊ အားလုံးကို ပိုမိုသိမ်းဆည်းနိုင်စေရန် အရေးကြီးသည်။ ထို့ပြင် အင်အားအသုံးပြုမှုကို ရှာဖွေမှာ ကျွန်ုပ်တို့၏ ကျပ်ကွက်ကို သိမ်းဆည်းနိုင်ပါသည် (ဘယ်မှာမှ ကူးစွန်ချိန်ကို လျော့နည်းစေရန်)။ ထို့ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ ကျပ်ကွက်ကို သိမ်းဆည်းရန်အတွက် အဲဒီ အချက်က အသုံးဝင်သည်။ ပြင်းထန်သော ဂိုဏ်းများကို အင်အားဆုံးများကို လျော့နည်းစေရန်၊ သင့်၏ အင်အားဒီဇိုင်းကို ပိုမိုသိမ်းဆည်းနိုင်စေရန် အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသည်။ ထို့ကြောင့် သင့်၏ လုပ်ဆောင်ချက်များကို ပိုမိုကောင်းစေရန်၊ အင်အားအသုံးပြုမှုကို လျော့နည်းစေရန် အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသည်။ ထို့ကြောင့် သင့်၏ ဘဏ္ဍာရေးနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်အတွက် ကောင်းမွန်သည်။

မြင့်ငွေ့အားဖြင့် SiC MOSFETs ဖြင့် ဒီဇိုင်းဆွဲခြင်း: ခallenges

အမြင့်စွမ်းအလုပ်သည် SiC MOSFET များဟာ အားကောင်းသောအဆောက်အအုံဖြစ်ပြီး၊ ဒီဇိုင်းထဲမှာ ခallenges တစ်ခုခုရှိနိုင်ပါတယ်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ သူတို့ဟာ အ溘ြောင်းအလျှော်ရှိသော အားလုံးအလုပ်အတွက် လျှော့ချထားသော အားလုံးအလုပ်များ (voltage spikes) ကို ကြောက်နေစို့ရပါမယ်။ မှန်ကန်စွာ ဆောက်ချင်းမှုမရှိဘူးဆိုရင်၊ ဒီ voltage spikes တွေဟာ MOSFET တွေကို ချိတ်ဆိုင်းနိုင်ပါတယ်။ ဒီ challenges တွေကို သိရှိပြီး အရင်ကန်မှာ ပြင်ဆင်ထားခြင်းဟာ မှန်မှန်တော့ မြင်သာသော အဆုံးဖြတ်ချက်များကို ရှာဖွေရန်အတွက် အရေးကြီးပါတယ်။ ဒီ challenges တွေကို သိရှိခြင်းက သင့်အား အားကောင်းသောအဆောက်အအုံတွေကို ပြည့်စုံစွာ သုံးစွဲနိုင်စေပါတယ်။

အမြင့်စွမ်းအလုပ်သည် SiC MOSFET များကို အလုပ်လုပ်ရာတွင် အားလုံးအလုပ်များကို မျှဝေရန်အတွက် အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်ချက်များ

အမြင့်စွမ်းအလုပ်သည် အားလုံးအလုပ်များကို အသုံးပြုရန်အတွက် အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်ချက်များ SiC MOSFET စနစ်အလုပ်တစ်ခုလုံး၏ ကောင်းမွန်သည့် လုပ်ဆောင်မှုနှင့် ရှုပ်ထွေးမှုကို ချိန်ချိမ်းပေးသည်။ ဒါဟာ အရာအားလုံးကို ကောင်းမွန်စွာ အကြွင်းဖြင့် ပိတ်ပင်ထားပြီး အမြဲတမ်းခံထားသည်ဆိုသည်ဖြစ်သည်။ အကြွင်းက မျှော်လင့်မှုကို အတွင်းသို့ ပိတ်ပင်ပေးပြီး အမြဲတမ်းခံမှုက မှာယူသွားရန် နေရာပေးသည်။ နောက်ဆုံးမှာ SiC MOSFETs ကို သိမ်းပိုက်မှုအတွင်းရှိပြီး လုပ်ဆောင်ရန် ချိန်ချိမ်းပေးရန် လိုအပ်သည်။ ဒီအကြောင်းအရာများကို လိုက်နာရင်း သင့်ရဲ့ မူလအားဖြင့် အောက်ဆီဒ် SiC MOSFET စနစ်ကို ရှုပ်ထွေးမှုနှင့် လုပ်ဆောင်မှုအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေရန် ကူညီပေးပါမည်။ ဒါက အရာအားလုံးက လျှော့ချမှုမရှိဘဲ ပြီးပြည့်စွာ လုပ်ဆောင်မှုရှိပါမည်။

အသစ်သစ်ပြောင်းလဲမှုနည်းပညာ၏ ပထမဆုံးသူများ၊ High Voltage SiC MOSFETs သည် အားပေးမှုဒီဇိုင်း၏ အသစ်သစ်သက်သာချက်ကို ဖွင့်လှစ်ပေးသည်။ သင့်သည် ဒီ များမှာ အသုံးပြုနိုင်သည့် အကောင်းဆုံးအသုံးအဆောင်များကို သိရှိပြီး အောက်ဆီဒ်ဖြင့် ထိန်းသိမ်းပြီး ကျွမ်းကျင်မှုကို တိုးတက်စေရန် အကြောင်းအရာများကို လိုက်နာပါ။ ဒီမှာ အကြောင်းအရာများကို လိုက်နာရင်း အားပေးမှုဒီဇိုင်းတွင် Allswell သည် ပုံမှန်စွာ အားပေးပါသည်။