အမျိုးအစားအားလုံး
ဆက်သွယ်ပါ

SiC မော်ဂျူးများ၏ ပြည့်စုံသော အကြောင်းအရာနှင့် Power Electronics တွင် သူတို့၏ အရာဝတ္တု

2024-07-19 17:16:15
SiC မော်ဂျူးများ၏ ပြည့်စုံသော အကြောင်းအရာနှင့် Power Electronics တွင် သူတို့၏ အရာဝတ္တု

SiC (Silicon Carbide) မော်ဒိုင်တွေဟာ ကျေးဇူးပြီးစေမှားနေသော အချို့ရဲ့ ตลาดများကို အလွန်ပြောင်းလဲစေမည်ဖြစ်ပါတယ်၊ အိုင်းလက်ထုတ်ကွန်ပြူတာစနစ်များ သို့မဟုတ် ပြန်လည်သုံးနိုင်သော အင်္ဂါအင်အား ဆက်တင်ရေးအဖြစ် ရွေးချယ်ထားသော အရာများဖြစ်ပါသည်။ ဒီ အ้างပြောထားသော အုပ်ချုပ်မှုကြီးမားတွေဟာ "အင်အားကို အကျိုးသော အဆင့်တစ်ဆင့်" ဖြစ်ပြီး၊ ပြန်လည်သုံးနိုင်သော အင်အားနှင့် အသစ်တွေရဲ့ လှုပ်ရှားမှုအတွက် အရေးကြီးပါဝင်သည်။ ဒီ စာပိုဒ်ရဲ့ အစောပိုင်းများတွင် SiC တကူနည်းပညာရဲ့ အထူးသဘောတူညီမှုများကို ဖော်ပြခဲ့ပါသည်၊ ဒါပေမယ့် ဒီ အရာတွေရဲ့ အခြားသော အရာတွေနဲ့ ဆက်စပ်မှုကို အကြောင်းအရာကို အမှန်တကယ် သိချင်ရင် ပိုမို အရေးကြီးတဲ့ စုစည်းမှုလိုအပ်ပါတယ်။

အင်အားကို အကျိုးသော အဆင့်တွင် ပြောင်းလဲမှုအတွက် ပြင်ဆင်မှု ပြုစုပါ

SiC မော်ဒိုင်းများသည် အားကစ်ခန်လက်ရှိပြီး အထူးသတင်းအချက်အလက်များ၏ အဓိကအဆုံးဖြစ်သည်။ သဲလီကွန်အခြေခံအစိတ်အပိုင်းများသည် အီလက်ထရွန်စနစ်များတွင် အခြေခံဖြစ်သည့် စီးရီးဖြစ်ပြီး အများအားဖြင့်နှစ်များစွာအသုံးပြုခဲ့သည်။ ဒီဇိုင်းများသည် သဲလီကွန်အခြေခံတရားဝင်တရားများ၏ အဆင့်အတန်းဖြစ်သော်လည်း မူလအခါတွင် မှားယွင်းသော အိမ်အားကို ထိန်းသိမ်းခြင်းဖြင့် အထက်မှာ အဆုံးအမြတ်ကို ထိန်းသိမ်းခဲ့သည်။ အဆက်မပြတ်သော အဆင့်တွင် SiC ပစ္စည်းအတွင်းရှိအချို့သည် အဆုံးအမြတ်အားလုံးကို 25% သာ ရှိနေသည်။ အဲဒါတွေဟာ အမြင့်အပူချိန်များနဲ့ အမြင့်လော့ကျသော လက်တွေ့မှုများအတွင်း လုပ်ဆောင်နိုင်တဲ့အတွက်ပါ။ အမြင့်အစွမ်းသုံးစွဲမှုဖြင့် အသုံးပြုသူများအား စနစ်တွင် အောက်ပိုင်းအားဖြင့် အလွန်လျော့နည်းပြီး အမြင့်ဆုံးအကျိုးသုံးစွဲမှုကို ရရှိနိုင်စေသည်။ အဲဒီအတိုင်းအတာကို အခြေခံအဖြစ်သုံးပြီး အီကော်ဂို-မျဉ်းချုပ်များကို ရှာဖွေရေးနှင့် ပတ်သက်သည်။

အသိအမှတ်: ပြောင်းရောင်းရေး၊ WHOA - SiC သည် သွားရမည့်လမ်းဖြစ်သည်

အပိုင်းတစ်ခုအပြင်၊ လှည့်ရောက်မီးသွားပိုင်းယူမှု၏ ပိုမိုစိုက်ပျိုးသော ထုတ်လုပ်မှုကို SiC မော်ဂျူးများလည်း ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြင့် ဆောင်ရွက်နေပါသည်။ SiC inverters & controllers သည် EVs (လှည့်ရောက်မီးသွားပိုင်းယူမှု) အတွက် ပုံမှန်အကျိုးသီးသန့်ကို ပေးဆောင်ပြီး ဒီဇိုင်းသည် EVs ၏ အသုံးများကို လျော့နည်းစေရန်အတွက် အရေးကြီးသော ပုံမှန်အကျိုးသီးသန့်ဟု သတ်မှတ်ထားပါသည်။ ထိုသို့မဟုတ် ပိုမိုများစွာ ရောင်းချရန်အတွက် မော်ဂျူးများ၊ တစ်ခုခုရဲ့ ဆဲလ်များ၏ အင်္ဂါသိပ်ကို ပိုမိုများစွာ အသုံးပြုနိုင်စေရန်၊ ပုံမှန်အကျိုးသီးသန့်ကို လျော့နည်းစေရန် အသုံးပြုသည့် အရောင်းအဝယ်များကို လျော့နည်းစေရန် အသုံးပြုသည့် အရောင်းအဝယ်များကို လျော့နည်းစေရန် အသုံးပြုသည်။

SiC မော်ဂျူးများတွင် သိပ္ပံပညာ: အစပိုင်း

အိမ်ပြောင်းစနစ်က SiC ဒြပ်စင်အလွယ်တကူပြောင်းလဲမှုများအား ဖြည့်ဆည်းပါသည်။ သံ့ကာရိုက်၏ အကြီးမားသော bandgap သည် ပိုင်းခြားရောင်းဝယ်ပစ္စည်းရှိ ရောင်းဝယ်အခြေခံသဘောတရားတစ်ခုဖြစ်ပြီး ထိုဒြပ်စင်သည် မည်သည့်အရွေ့အစားများအောက်တွင် ကောင်းမွန်စွာအလုပ်လုပ်နိုင်မည်ဟု ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။ အပိုင်းအခြားအင်တာเฟေးစ်ရှိ အသုံးပြုနိုင်သော စက်မှုများကို အသေးစိတ်သို့ ပိုင်းခြားရောင်းဝယ်အင်တာဖေးစ်များကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် အရည်အချင်းများကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ SiC သည် သံ့ကာရိုက်ထက် နိမ့်ချိန်ရှိပြီး အလွယ်တကူ အရွေ့အစားများကို လျှော့ချနိုင်သည်၊ ထို့ပြင် အလွယ်တကူ အရွေ့အစားများကို ထိန်းသိမ်းနိုင်သည့် အရွေ့အစားများကို ပိုင်းခြားရောင်းဝယ်အင်တာဖေးစ်များကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ထို့အပြင် SiC သည် အရွေ့အစားများနှင့် အကြီးမားသော အရွေ့အစားများကို ပိုင်းခြားရောင်းဝယ်အင်တာဖေးစ်များအား လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

SiC မော်ဂျူး အသုံးပြုမှုများ

အခုအချိန်တွင် ကားလုပ်ငန်းများထက်ပို၍ကြီးမားသောအသုံးပြုမှုများအတွက် SiC မော်ဒူးလ်များကို ပေါင်းစည်းနေပါသည်။ ယင်းတို့ကို SiC တဲ့နည်းပညာဖြင့် ရေကူးကိရိယာအင်ဗာ့တာ၏ အလုပ်ဆောင်မှုကိုဘယ်လိုပြင်ဆင်နိုင်သနည်း၊ လေယာဉ်ပျံစနစ်များအတွက် အလွန်လျင်မြန်သောကွန်ပျူတာစနစ်များကို အလေးချိန်ကိုအရောင်းလျှော့ချပြီး လုပ်ငန်းများအတွက် အကျိုးဝင်သောအင်တာဗားများကို ပိုမိုလွန်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်စေရန် အင်အားမှာယူမှုကိုလျှော့ချနိုင်သည်ဟု မေးခွန်းများဖြင့် အတူတကွရှိနေသည်။ ကျော်လွှားသောအခါမှာ ရောဂါရေးဆိုင်ရာလုပ်ငန်းများလည်း အလေးချိန်အနည်းငယ်ဖြင့် ပိုမိုလွန်စွာ အသုံးပြုနိုင်သည့် SiC MTTE (စနစ်အသက်များစွာမှ မျှော်လင့်ချက်) ပြင်ဆင်မှုများကို အသုံးပြု၍ ပုဂ္ဂိုလ်များ၏ အကောင်အထည်ဖော်မှုကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေနိုင်သည်။ SiC မော်ဒူးလ်များ၏ ပြောင်းလဲမှုများသည် ကျွန်ုပ်တို့၏ လုပ်ငန်းများနှင့် အသုံးပြုမှုများကို ပြောင်းလဲနိုင်သည့် အရေးကြီးသည့်အချက်ဖြစ်နိုင်သည်။

SiC အခြေခံအင်အားစနစ်တွင် နောက်ဆုံးအသစ်ပြောင်းလဲမှုများ

Darkhouse သုတေသနများက SiC အခြေစိုက်လှုပ်ရှားမှုအင်းပါယားများအတွက် အပြင်ဆင်ထားသည့်အတိုင်း အပြီးသတ်ဖြစ်သည် [120]။ တစ်ခုမှားတစ်ခုထဲမှာပေါင်းစပ်ထားသော လုပ်ဆောင်ချက်များ၊ ဥပမာ integrated power modules နှင့် ပိုမိုမြင့်မားသော bandgap ဒေသများ (ဥပမာ၊ Gallium Nitride on SiC substrate) တို့သည် အသစ်တွေကို လုပ်ဆောင်နိုင်မည့် စနစ်များကို ဖွံ့ဖြိုးစေရန် ကူညီသည်။ ထပ်ပြောရောက်လျှင်၊ ထိုနိုင်ငံတွင် ပိုမိုကarbon-ကျော်လွှမ်းမှုရှိသော ထုတ်လုပ်မှုများကို လုပ်ဆောင်နိုင်စေရန်သာမက၊ silicon carbide တာဝန်ဆောင်မှုအပေါ်တွင် အလုံးစုံ sector များတွင်လည်း အကြောင်းအရာများအတွက် price များကို လျော့နည်းစေမည်ဟု မျှော်လင့်ထားသည်။

SiC မော်ဒိုင်တွေဟာ လူကြီးသူကြီးရဲ့ အထုပ်အဆုံးကို တိုးတက်စေမယ့် လူကြီးသူကြီးရဲ့ ဘာသာရပ်ဆိုင်ရာ ဒီဇိုင်းအလုပ်တွေရဲ့ အကျိုးအမြတ်ကို တိုးတက်စေမှာဖြစ်ပါတယ်။ လူတွေရဲ့ ဘဝကို အားလုံးကို အားနည်းစေတဲ့ အရာတွေကနေ ကာကွယ်ပေးမယ့် ကမ္ဘာတစ်ခုကို လူတွေကို ရောက်ရှိလာတဲ့အခါ အလုပ်လုပ်ရင်းမှာ အခြားသော အသစ်များကို အသုံးပြုပြီး အပူပိုင်းကို လျှော့ချနိုင်ပါမယ်။ SiC အခြေစိုက် အင်္ဂါရှင်းစနစ်များရဲ့ ပြောင်းလဲမှု: ရှစ်လွှတ်သော အစဥ်အလာ အင်အားများကို မျှော်လင့်ခြင်း (2020၊ ဇူန်လ)