SiC (Silicon Carbide) မော်ဂျူးများသည် အချို့သောစျေးကွက်များ၊ အော်တိုလျှပ်စစ်စနစ်များ သို့မဟုတ် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုကို ရွေးချယ်ရန် ကိုယ်စားလှယ်လောင်းများအဖြစ် ပြင်းထန်စွာ နှောင့်ယှက်တော့မည်ဖြစ်သည်။ ဤစွပ်စွဲထားသော superba သတ္တုတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် "ပါဝါထိရောက်မှုတွင် အထင်ကရနေရာတစ်ခု" ကိုပေးဆောင်ပြီး ရေရှည်တည်တံ့သောစွမ်းအင်တိုးတက်မှုအပြင် ရွေ့လျားနိုင်သောနည်းပညာအသစ်များအတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ဤစာတမ်း၏ အစောပိုင်းတွင် ထပ်တလဲလဲပြုလုပ်မှုများသည် SiC နည်းပညာ၏ထူးခြားသောအရည်အသွေးများကို အကြမ်းဖျင်းဖော်ပြထားသော်လည်း ကျွန်ုပ်တို့၏စာကြောင်းများကို အားကောင်းစေမည့် အခြားအရာအားလုံးနှင့်ပတ်သက်သည့်အရာအားလုံးကို အမှန်တကယ်နားလည်သဘောပေါက်လိုပါက ပိုမိုအသေးစိတ်စစ်ဆေးရန်လိုအပ်ပါသည်။
ပါဝါထိရောက်မှု ဖြတ်ကျော်မှုတစ်ခုအတွက် ပြင်ဆင်ပါ။
SiC module များသည် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် အဓိကခြေလှမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်အခြေခံ အစိတ်အပိုင်းများသည် အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များတွင် စံနှုန်းတစ်ခုဖြစ်လာပြီး နှစ်ပေါင်းများစွာ အသုံးပြုလာခဲ့သည်။ ဤအပလီကေးရှင်းများသည် ဆီလီကွန်အခြေခံထရန်စစ္စတာများ၏ ဂန္ထဝင်ဧရိယာတစ်ခုဖြစ်သော်လည်း ၎င်းတို့၏ ဆိုးရွားသောအပူစီးကူးနိုင်မှုအပေါ် ကောက်လှိုင်းကန့်သတ်ချက်ကို ချမှတ်ထားသည်။ spectrum ၏ ဆန့်ကျင်ဘက် အဆုံးတွင်၊ SiC နှင့် သက်ဆိုင်သော အစိတ်အပိုင်းသည် ဆုံးရှုံးမှုကို များစွာ လျော့နည်းစေပြီး ၎င်းတို့သည် ၎င်းတို့၏ ဆီလီကွန်နှင့် ညီမျှသော အစိတ်အပိုင်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 25 ရာခိုင်နှုန်းသာ ဆုံးရှုံးသွားသောကြောင့် အဆိုပါ အစိတ်အပိုင်းများသည် မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် ပိုမိုမြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများတွင် အန္တရာယ်ကင်းစွာ လည်ပတ်နိုင်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။ အသုံးပြုသူများကို ပိုမိုမြင့်မားသော စနစ်ထိရောက်မှုကို မောင်းနှင်နိုင်ရန် ထိရောက်စွာအသုံးပြုနိုင်သည့် ပါဝါ-သိပ်သည်းဆဖြေရှင်းချက်သည် စနစ်များတွင် ၎င်းတို့၏အအေးခံရန်လိုအပ်မှုကို အဆုံးစွန်လျှော့ချပြီး ဤ class-E RFPA ဖြင့် ဖြစ်နိုင်သမျှ အမြင့်ဆုံးထိရောက်မှုရရှိစေရန် ခွင့်ပြုပေးမည်ဖြစ်သည်။ ဤဂေဟစနစ်ရည်မှန်းချက်များအောင်မြင်ရန် အခြေခံအုတ်မြစ်အဖြစ် SiC နည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်း။
သတင်း- သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးဆိုင်ရာ၊ WHOA - SiC သည် သွားရမည့်လမ်းဖြစ်သည်။
ထို့အပြင်၊ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးပိုမိုစိမ်းလန်းသောမုဒ်ကို လျင်မြန်စွာဖြန့်ကျက်ခြင်းသည် SiC modules မှလည်း မောင်းနှင်လျက်ရှိသည်။ SiC အင်ဗာတာများနှင့် ထိန်းချုပ်ကိရိယာများသည် လျှပ်စစ်ကားများ (EV) များအတွက် ပြီးပြည့်စုံသော အကျိုးကျေးဇူးများ ရှိသည်၊ ၎င်းတို့တွင် ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ အားပြန်သွင်းသည့် မော်ဂျူးများ၊ ၎င်းတို့၏ ဆဲလ်တစ်ခုချင်းစီ၏ တစ်ကီလိုဝပ်နာရီ စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆကို ချဲ့ထွင်ပြီး ပြီးပြည့်စုံသော ဘက်ထရီစနစ်တွင် အလေးချိန် နည်းပါးသည်- ရှားပါးပစ္စည်းများကို အသုံးပြု၍ အလွန်မြင့်မားသော ထိရောက်မှုရှိသော ရှားပါးပစ္စည်းများကို အသုံးပြုထားသည်။
SiC Modules ရှိ သိပ္ပံ- အစ
ဤနတ်ဝိဇ္ဇာပညာသည် SiC ရုပ်ပြောင်းခြင်း မော်ဒယ်များအတွက် သတ်မှတ်ပေးမည်ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ကျယ်ပြန့်သော bandgap — ကုန်ခမ်းမသွားမီ မြင့်မားသောဗို့အားများအောက်တွင် ပစ္စည်းသည် မည်မျှကောင်းစွာ ပြုမူနေမည်ကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည့် solid state physics တွင် အရေးကြီးသော ပိုင်ဆိုင်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပိုသေးငယ်သော အရွယ်အစားနှင့် အလေးချိန်တွင် ပါဝါပိုမိုမြင့်မားသော မျက်နှာပြင်နှစ်ခု စွမ်းရည်ဖြင့်၊ ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆများကို ကိုင်တွယ်နိုင်သည့် စက်ပစ္စည်းများ၏ နောက်ထပ်အသေးစားအသေးစားပြုလုပ်ခြင်းကို ဖြစ်နိုင်သည်။ SiC သည် ဆီလီကွန်ထက် ခံနိုင်ရည် နိမ့်ပါးစွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး conduction နှင့် switching losses နှစ်မျိုးလုံးကို လျှော့ချနိုင်သည်၊ တစ်ချိန်တည်းတွင် ၎င်းသည် ပါဝါကူးပြောင်းမှုကို ပိုမိုထိရောက်စေရန်အတွက် မြန်နှုန်းမြင့်ခလုတ်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည့် မြန်ဆန်သောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအဆုံးသတ်အတွက် SiC နည်းပညာသည် အရွယ်အစား-ထိရောက်မှုအချိုးများနှင့် နှိုင်းယှဉ်၍ မကြုံစဖူးအထွတ်အထိပ်မှ ပျမ်းမျှထွက်ရှိမှုဖြင့် ပါဝါနှင့် ဆားကစ်စွမ်းဆောင်ရည် အဆင့်အသစ်များသို့ တံခါးဖွင့်ပေးပါသည်။
SiC Module များစွာသော Application များ
၎င်းသည် လက်ရှိတွင် မော်တော်ယာဥ်စက်မှုလုပ်ငန်းထက် ကျော်လွန်သော အပလီကေးရှင်းများအတွက် SiC module များကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။ SiC နည်းပညာသည် ဆိုလာအင်ဗာတာ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးနေသည့် နည်းလမ်းများ၊ အလေးချိန် အလွန်လျှော့ချထားသော အာကာသယာဉ်စနစ်များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးပြီး ပိုမိုထိရောက်သော၊ စွမ်းအင်ကို မှီခိုနေရသည့် စက်မှုမော်တာဒရိုက်များကို ယခင်ကထက် ပိုမိုထိရောက်စွာ တွန်းလှန်နိုင်စေမည့် နည်းလမ်းများနှင့် ပတ်သက်သည့် စုံစမ်းမေးမြန်းမှုများဖြင့် လိုက်ပါသွားပါသည်။ ကံကောင်းထောက်မစွာ၊ ယုံကြည်စိတ်ချရသော SiC MTTE (မျှော်မှန်းထားသောစနစ်ဘဝအတွက်အချိန်ကို ဆိုလိုသည်) မြှင့်တင်မှုများနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော အဆိုပါအသေးစားပုံစံအချက်မှ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းများကိုပင် အကျိုးကျေးဇူးရရှိနိုင်ပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်သော လူနာရလဒ်များဆီသို့ ဦးတည်စေသည်။ SiC မော်ဂျူးများ၏ ဘက်စုံသုံးနိုင်မှုသည် မတူညီသောစက်မှုလုပ်ငန်း/အပလီကေးရှင်းများစွာကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေရန် ၎င်းတို့၏ သော့ချက်ဖြစ်နိုင်သည်။
SiC-Based Power System ရှိ မျိုးဆက်သစ် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများ
Darkhouse သုတေသနသည် SiC အခြေပြု ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း [120] ၏ ကတိများနှင့် တူညီပါသည်။ ပေါင်းစပ်ပါဝါ module များနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသော bandgap ပစ္စည်းများ (ဥပမာ SiC အလွှာရှိ Gallium Nitride) ကဲ့သို့သော ပက်ကေ့ခ်ျတစ်ခုတွင် ပေါင်းစပ်လုပ်ဆောင်ချက်များသည် ယခင်ကကဲ့သို့ လုပ်ဆောင်မည့် စနစ်အသစ်များကို အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။ ထို့အပြင် ကာဗွန်ကို ပိုမိုထိရောက်စွာ ထုတ်လုပ်မှုနှင့် လျှော့ချထုတ်လုပ်ခြင်းသည် ကဏ္ဍအားလုံးတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နည်းပညာအတွက် ဈေးနှုန်းများ လျှော့ချရန် မျှော်လင့်ပါသည်။
SiC မော်ဂျူးများသည် ထိရောက်မှု၊ ရေရှည်တည်တံ့မှုနှင့် အလုံးစုံနည်းပညာပါဝါကို တိုးမြှင့်ပေးသည့်အတွက် လျှပ်စစ်ဒီဇိုင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးမည်ဖြစ်သည်။ လူတွေနေထိုင်တဲ့ ကမ္ဘာကြီးကို ဒီလိုမျိုးအရာတွေကနေ ပိုလုံခြုံစေမယ့် လမ်းကြောင်းပေါ်ကို လျှောက်လှမ်းနေတာ တွေ့ရတာ ကောင်းပါတယ် ဘာဖြစ်လို့လဲဆိုတော့ အခုနောက်ပိုင်းမှာ စိမ်းလန်းစိုပြေပြီး စွမ်းအင်ချွေတာဖို့အတွက် လမ်းက အရမ်းကျယ်ပြန့်လာပါပြီ။ SiC အခြေပြု ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များ၏ တော်လှန်ရေး- အနာဂတ်စွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှုအတွက် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက် (ဇွန်၊ 2020)