သတင်းအချက်အလက် သိုလှောင်မှု အတွေ့အကြုံသည် ထူးခြားသော အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည့် Floating Gate MOSFETs မှ အလွန်လွှမ်းမိုးပါသည်။ ဒီဘစ်တွေရဲ့ အံသြစရာကောင်းတာက ပါဝါပိတ်ပြီးရင် ဒေတာတွေကို ထိန်းထားနိုင်တာပါပဲ။ ဤဆောင်းပါးတွင် MOS ထရန်စစ္စတာများသည် အဘယ်အရာဖြစ်သည်၊ ၎င်းတို့အလုပ်လုပ်ပုံနှင့် အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်အမျိုးမျိုးအတွက် ဤစက်ပစ္စည်းများက ပေးစွမ်းနိုင်သည့် လက္ခဏာများကို ရှင်းပြပါမည်။
MOSFET သို့မဟုတ် Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors များသည် လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကို ခြယ်လှယ်နိုင်စေမည့် အရေးပါသော အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ MOSFET များကို ကွန်ပျူတာများ၊ ဆဲလ်ဖုန်းများနှင့် ရုပ်မြင်သံကြားများအပါအဝင် အိမ်တစ်ဝိုက်တွင် အသုံးပြုသည့် အရာဝတ္ထုအများအပြားတွင် တွေ့ရှိရသည်။ ရေပေါ်တံခါး MOSFET များသည် MOSFETS အမျိုးအစားအားလုံးအတွက်မဟုတ်သော မည်သည့်ပါဝါမပါဘဲ အားသွင်းနိုင်သောကြောင့် အထူးဖြစ်သည်။
Floating Gate MOSFET သည် သတ္တုအပိုင်းအစ (floating gate) အတွင်းတွင် အီလက်ထရွန်ဟုခေါ်သော အမှုန်အမွှားအနည်းငယ်ကို ထိန်းထားသည်။ ၎င်းကို အီလက်ထရွန်များ ဤချန်နယ်မှတဆင့်သာ ဝင်နိုင် သို့မဟုတ် လွတ်မြောက်နိုင်သည့် နေရာတွင် သီးသန့် လျှပ်ကာပစ္စည်းဖြင့် ဝန်းရံထားသည်။ ဤတံခါးသို့ အီလက်ထရွန်များ သက်ရောက်သောအခါ—ထို့ကြောင့် လက်ရှိလျှပ်စစ်စီးကြောင်းအရ၊ ဤအခန်းနှစ်ခုကြားတွင် တံခါးပေါက်တစ်ခုဖွင့်ထားသောကြောင့် “မြစ်” ၏တစ်ဖက်ခြမ်းသို့ဝင်သော အီလက်ထရွန်တစ်ခုစီသည် အပေါ်ဘက်တွင် ပိတ်မိနေသည်။ ဤနေရာတွင် စိတ်ဝင်စားစရာကောင်းသည်မှာ ဤဖမ်းယူထားသော အီလက်ထရွန်များသည် ဂိတ်ပေါက်တွင် အချိန်အတော်ကြာ ထိုင်နိုင်ပြီး ၎င်းကို ပိတ်လိုက်သည့်တိုင် ခုခံနိုင်စွမ်း မြင့်မားနေမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် Floating Gate MOSFET များကို အချိန်အကြာကြီး မှတ်သားထားနိုင်စေသည့် ဤစရိုက်လက္ခဏာဖြစ်သည်။
Floating gate MOSFETs များအရေးအပါဆုံးဖြစ်သည့် application space ကို non-volatile memory ဟုခေါ်သည်။ နာမည်ကိုယ်တိုင်က ပါဝါမဖွင့်တော့ဘဲ အချက်အလက်ဆုံးရှုံးမယ့် မမ်မိုရီအမျိုးအစားကို ညွှန်ပြထားတာကြောင့် မတည်ငြိမ်သောမှတ်ဉာဏ်။ ဤအရာသည် USB ဒရိုက်များ၊ မန်မိုရီကတ်များနှင့် အစိုင်အခဲ-စတိတ်ဒစ်များကဲ့သို့သော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် အရေးကြီးသောအင်္ဂါရပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
ဤအရာသည် ယခင်က ကျွန်တော်ပြောခဲ့သည့်အတိုင်းသာ ထည့်နိုင်သော Floating Gate အတွင်း အီလက်ထရွန်များ ပိတ်မိနေသည့် မမ်မိုရီအမျိုးအစားဖြစ်သည်။ လျှပ်စီးကြောင်းကို သက်ရောက်သောအခါတွင် အီလက်ထရွန်များသည် ဂိတ်ပေါက်ဆီသို့ စီးဆင်းသွားပြီး ပါဝါဖြတ်ထားသော်လည်း အချိန်အတော်ကြာအောင် ရှိနေနိုင်သည်။ ဤထူးခြားချက်မှာ Floating Gate MOSFET များသည် အချက်အလက်များကို အချိန်အမြောက်အမြား သိမ်းဆည်းနိုင်စေသည့် အရာဖြစ်သည်။
Floating gate MOSFET memory အမျိုးအစား- EEPROM (Electrically Erasable Programmable Network only Memory)၊ NAND flash နှင့် NOR burst အပါအဝင် အမျိုးမျိုးသော floating-gate memory အမျိုးအစားများစွာ ရှိပါသည်။ အမျိုးအစားကောင်း အနည်းငယ်ရှိပြီး အားလုံးတွင် အားသာချက် အားနည်းချက် အမျိုးမျိုးရှိသည်။ NAND flash memory သည် အီလက်ထရွန်နစ်နည်းဖြင့် အလွန်လျင်မြန်ပြီး ဒေတာအများအပြားကို သိမ်းဆည်းနိုင်သည့် စွမ်းရည်တစ်ခုဖြစ်သည်။ သို့သော် ၎င်းကို အုပ်စုများအတွင်းသာ ဖျက်ပစ်နိုင်ပြီး အချို့ကိစ္စများတွင် အားနည်းချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အနေနှင့်၊ NOR flash memory သည် ပိုနှေးသော်လည်း သေးငယ်သောကဏ္ဍများတွင် ဖျက်ပစ်နိုင်သောကြောင့် ၎င်းသည် သီးခြားအသုံးပြုမှုကိစ္စများအတွက် စိတ်ကြိုက်အံဝင်ခွင်ကျဒေတာစီမံခန့်ခွဲမှုကို ပေးဆောင်ပါသည်။
အာရုံခံစနစ်များသည် အပူချိန်၊ ဖိအားနှင့် ရွေ့လျားမှု- ပတ်ဝန်းကျင်မှ တည်ငြိမ်သော သို့မဟုတ် တက်ကြွသောဒေတာများကို စုဆောင်းရန် အာရုံခံကိရိယာများကို အသုံးပြုသည်။ ကွန်ပြူတာစနစ်များတွင် စုဆောင်းသူများသည် ပရိုဆက်ဆာများဟုခေါ်သော အထူးကိရိယာများဖြစ်ပြီး ယင်းအချက်အလက်များကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာပြီး ၎င်းတို့တွေ့ရှိသည့်အရာကို အခြေခံ၍ ဆုံးဖြတ်ချက်များချပေးသည်။ Floating Gate MOSFET များသည် အာရုံခံစနစ် နှင့် ကွန်ပျူတာစနစ် နှစ်ခုလုံးအတွက် အသုံးဝင်ပြီး ၎င်းတို့သည် ယုံကြည်စိတ်ချရသော အချိန်အတိုင်းအတာများအတွင်း ဒေတာများကို အချိန်အကြာကြီး သိမ်းဆည်းထားနိုင်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။
အနိမ့်ဆုံးဖြစ်နိုင်သော floating gate mosfet အတွက် ဖောက်သည်များအား အရည်အသွေးပြည့်မီသော ထုတ်ကုန်ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်ပါ။
အရည်အသွေးပြည့် အာမခံချက်ရှိသော ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ဓာတ်ခွဲခန်းများ၊ အရည်အသွေးမြင့် လက်ခံနိုင်သော ရေပေါ်တံခါး mosfet။
ကျွမ်းကျင်သော floating gate mosfet အဖွဲ့သည် စက်မှုကွင်းဆက်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအတွက် နောက်ဆုံးပေါ် အသိပညာများကို မျှဝေပါသည်။
Allswell Tech သည် Allswell ၏ထုတ်ကုန်များနှင့်ပတ်သက်ပြီး မည်သည့်စိုးရိမ်မှုမေးခွန်းများကိုမဆို အဆိုပါနေရာတွင် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။