Geriausios 3 SiC MOSFET programos automobilių pramonėje?

Per pastaruosius kelis metus elektromobiliai dėl savo ekologinio dizaino taps vis labiau ir labiau plačiai naudojami. Bet vis tiek jie susiduria su mažu eismo dydžiu ir ilgu įkrovimo laiku. SiC MOSFET'ai turi potencialą išspręsti šias problemas ir pradėti naują elektromobilių technologijų erą.

SiC MOSFET'ai yra naujos kartos jėgos elektronikos rūšis ir siūlo geresnius rodiklius už silicio alternatyvas dėl voltazmo, dažnio, efektyvumo ir temperatūros. SiC MOSFET'ai gali didžiai pagerinti keitimo efektyvumą ir jėgos našumą elektromobilyje dėl galimybės dirbti aukštesniuose dažniuose ir temperatūrose. Kitais žodžiais, SiC MOSFET'ai gali atidaryti kelis greičiau įkraunamiems ir greičiau/efektyvesniems elektromobiliams dėl mažesnės reikalavimų dėl šaldymo.

Tačiau SiC MOSFET'ai nėra skirti tik elektros automobiliams. Technologija taip pat yra sukurta, kad padarytų poveikį hibridiniuose automobiliais, kurie jungia vidaus degimo varžlius su elektromotoriais siekiant didesnio kuro efektyvumo. Padidinus variklių valdymo jėgą ir gerindami baterijų įkrovimo/iškrovimo sistemos naudojant SiC MOSFET'us, hibridiniai automobiliai gali pagerėti pagal efektyvumą ir našumą. Šios inovacijos turėtų padėti pagerinti kuro ekonomiškumą bei sumažinti anglies dalelių išmetimą per hibridinių automobilių gyvenimo ciklą.

Be to, hibridams, senesni varomieji automobiliai, kurie yra varomi vidaus degimo varomais – vieni iš didžiausių šiandien naudojamų šiltnamio efekto dujų išmetimų šaltinių – gali pasiekti gerovės dėka SiC MOSFET integracijai. SiC MOSFET galėtų pagerinti variklių sistemos efektyvumą, kas padėtų padidinti kuro ekonomiškumą ir leistų konvenciniams transporto priemonėms sumažinti išmetamų teršalų kiekį visame pasaulyje. Be to, SiC MOSFET pagalbinese sistemose, pvz., elektros varomojo vairo ir kondicionavimo sistemose, taip pat gali prisidėti prie aukštesnio kuro ekonomiškumo ir mažesnių anglies dioksido išmetimų.

Tiksliai apie ateitį, nepriklausoma vairavimo technologija paruošiasi neatsitinkamai bangai automobilių pramonėje - pažadodama labai efektyvių ir patikimų jėgos elektronikos pranašumą ar ribojimą. Šis pereinamasis laikotarpis bus vedamas SiC MOSFET elementais arba jėgos elektronika nepriklausomoms transporto priemonėms, kurie parodydavo greitą automobilių plėtrą. Tarpusavyje, SiC MOSFET elementai leidžia aukštesnius įtampus ir srovės gebėjimus bei sumažina perjungimo nuostolius, kartu gerindami šiluminę našumą, padarant nepriklausomą vairavimą saugesnį.

Kopijavus, aukštas SiC MOSFET technologijos pripažinimas elektiniuose/hibridiniuose/automatizuotuose transporto priemonėse turėtų žaisti svarbų vaidmenį mažinant visuotines anglies emisijas bei didindant eismo atstumą/kuro ekonomiškumą. Automobilių rinkos greitai siekia perlinkio taško, kai gamintojai kilpa kuriant energijos efektyvius ir aplinkai draudžius transporto priemones. Šių problemų sprendimas yra svarbus siekiant ateitį, kurioje transporto priemonės būtų ekologiškos ir patikimos, dėl ko SiC MOSFET technologija lieka neviršytina.