전력 모스페트

빠른 스위칭 팁 - 이 방법은 효과가 있음

일부 전자 응용 분야에서는 빠른 스위칭이 주요 목표입니다. 그래서 여기 17가지 방법을 소개합니다.

게이트 드라이버 회로 조정: 게이트 드라이버 회로를 최적화하여 가능한 한 잘 작동하도록 하는 것이 좋습니다.

전압 용량을 줄이면 스위치가 훨씬 더 빠르게 작동할 수 있습니다.

바디 다이오드 복구 시간: 빠른 복구 바디 다이오드를 선택하여 작동 속도를 높일 수 있습니다.

동종 스너버 네트워크 사용: 일시적인 변화 없이 스위칭하기 위해 스너버가 필요하지 않을 수도 있습니다.

소재에 대한 모든 것과 성능 향상을 위해 어떻게 사용될 수 있는지

요약하자면, 이러한 변화들은 SiC와 GaN 전력 전자 소재의 지형을 재정의하고 있다. 이들 소재는 높은 열전도도와 양호한 피타짐 전압, 우수한 전자 이동도를 가지고 있어, 이러한 특성들의 조합은 고전력을 처리해야 하는 모든 장치에 있어 완벽한 선택이다. SiC MOSFET은 상당 기간 동안 존재해왔지만, GaN의 등장으로 인해 이전보다 더 높은 스위칭 주파수에서 사용할 수 있게 되었다.

MOSFET(6) - 기술적 혁신

매우 짧은 기간 동안 모스펫 기술이 현재의 수준에 도달했습니다. 초창기 설계들은 느리고 높은 발열을 특징으로 했지만, 모스펫 장치들은 속도와 신뢰성 측면에서 성능이 향상되었습니다. 특히 구조적으로 혁신적인 트렌치 모스펫의 경우 더 깊은 트렌치가 게이트 제어를 개선하고 저항을 낮추는 효과를 제공합니다. 파워 시스템 온 칩은 최첨단 모스펫 중 일부를 탑재하고 있으며, 모터 제어 및 스위칭(최대 99% 효율!)과 같은 응용 분야나 컴퓨터 등에서 필요한 하이사이드 스위치 용도로 완벽합니다. 또한 내부에는 두 개의 선형 규제기가 통합되어 있습니다! 단지 표준 수준보다 높은 적절한 전압 입력 공급만으로 원하는 출력 범위를 설정할 수 있습니다.

다르게 말하면, 파워 MOSFET는 현대 전자기기에 있어 묵묵히 일하는 전사와 같다. 그러나 전압, 전류 및 스위칭 속도에 따라 적절히 MOSFET를 선택하더라도 제한이 있을 수 있다. 파워 전자 기기는 SiC(실리콘 카바이드)나 GaN과 같은 새로운 소재뿐만 아니라 트렌치 게이트 등 최근 MOSFET 기술의 발전에도 이점을 받을 것이다.