IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC モジュール太陽光

特徴

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パッケージ

マーク図

絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)

熱データ

シンボル	パラメータ	価値	ユニット	注記
Rθ(J-H)	接合部からヒートシンクへの熱抵抗	0.596	°C/W	図25

電気的特性 (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
		分。	タイプする	マックス。
IDSS	ゼロゲート電圧ドレイン電流		10	200	微分数	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	ゲート漏れ電流			±200	NA	VDS =0V, VGS = -5～20V
VTH	ゲート限界電圧	1.8	3.2	5	v	VGS=VDS , ID =24mA	図9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150℃
ロン	静的なドレイン・ソースオン抵抗		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25℃	図4-7
			18		mΩ	VGS =20V、ID =80A @TJ =150℃
Ciss	入力容量		11		ロープ	VDS=800V、VGS =0V、f=100kHz、VAC =25mV	図16
Coss	輸出容量		507		PF
Crss	逆転移容量		31		PF
Eoss	Cossに蓄えられたエネルギー		203		μJ		図17
司令部	総ゲート電荷		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5から20V	図18
Qgs	ゲート-ソース充電量		100		nC
Qgd	ゲート-ドレイン充電量		192		nC
Rg	ゲート入力抵抗		1.0		Ω	f=100kHz
エオン	オンスイッチングエネルギー		783		μJ	VDS =600V、ID =60A、VGS=-5から20V、RG(ext)on／ RG(ext)off =2.5Ω／1.43Ω、L=120μH	図19-22
オーフ	オフスイッチングエネルギー		182		μJ
オン (オン)	オンする遅延時間		30		NS
について	昇る時間		5.9
消して	オフ遅延時間		37
TF	秋の時間		21
LsCE	流れる誘導力		7.6		nH

逆ダイオード特性 (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット	試験条件	注記
VSD	ダイオード前向き電圧		4.9		v	ISD =80A、VGS =0V	図10-12
VSD	ダイオード前向き電圧		4.5		v	ISD =80A、VGS =0V、TJ =150°C	図10-12
trr	逆回復時間		17.4		NS	VGS =-5V／+20V、ISD =60A、VR =600V、di／dt=13.28A／ns、RG(ext) =2.5Ω、L=120μH
Qrr	逆回復電荷		1095		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		114		A について

NTCサーミスタ特性