IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC モジュールソーラー日本

特徴

アプリケーション

パッケージ

マーキング図

絶対最大定格(特に指定のない限り、TC=25℃)

熱データ

シンボル		値	ユニット	注意
Rθ(JH)	接合部からヒートシンクまでの熱抵抗	0.596	°C / W	Fig.25

電気的特性(特に指定のない限り、TC=25℃)

シンボル		値			ユニット	試験条件	注意
		ミン。	Typ。	マックス。
IDSS	ゼロゲート電圧ドレイン電流		10	200	μA	VDS =1200V、VGS =0V
IGSS	ゲート漏れ電流			±200	nA	VDS = 0V、VGS = -5～20V
VTHカード	ゲート閾値電圧	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS、ID=24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS、ID =24mA @ TC =150。C
RON	静的ドレイン-ソースオン抵抗		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V、ID =80A @TJ =25.C	図4-7
			18		mΩ	VGS =20V、ID =80A @TJ =150.C
シス	入力容量		11		nF	VDS=800V、VGS =0V、f=100kHZ、VAC =25mV	Fig.16
コス	出力容量		507		pF
クロス	逆伝達容量		31		pF
イオス	コスト貯蔵エネルギー		203		μJ		Fig.17
Qg	総ゲートチャージ		480		nC	VDS=800V、ID=80A、VGS=-5～20V	Fig.18
Qgs	ゲートソース電荷		100		nC
Qgd	ゲート・ドレイン電荷		192		nC
Rg	ゲート入力抵抗		1.0		Ω	周波数 = 100kHz
EON	ターンオンスイッチングエネルギー		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	図19-22
EOFF	ターンオフスイッチングエネルギー		182		μJ
td(オン)	ターンオン遅延時間		30		ns
tr	立ち上がり時間		5.9
td(オフ)	ターンオフ遅延時間		37
tf	立ち下がり時間		21
LsCE	浮遊インダクタンス		7.6		nH

逆方向ダイオード特性(特に指定のない限り、TC=25℃)

シンボル		値			ユニット	試験条件	注意
シンボル		ミン。	Typ。	マックス。	ユニット	試験条件	注意
VSD	ダイオード順電圧		4.9		V	ISD = 80A、VGS = 0V	図10- 12
VSD	ダイオード順電圧		4.5		V	ISD =80A、VGS =0V、TJ =150°C	図10- 12
てら	逆回復時間		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	逆回復チャージ		1095		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		114		A

NTCサーミスタの特性