IGBT SiC テクノロジー えっ?! これは、多くの現代の電気システムにわたる電力フローの管理に使用される重要なテクノロジーです。 SiC Si IGBT = 絶縁ゲートバイポーラトランジスタシリコンカーバイド この名前は少し圧倒的に聞こえるかもしれませんが、テクノロジーがどのように機能するかについて多くの洞察を与えてくれます。 使用される主要な材料は、高出力シリコンと高速スイッチングシリコンカーバイドの 2 つです。 これら 2 つを組み合わせることで、電気をより有効に活用できる強力で効率的なハイブリッドセルが生成されます。
IGBT SiCパワーモジュールの紹介 — 多数の部品で構成される内部回路を備えたパッケージのような構造で構成された電気機器です。しかし、より高い電圧と電流レベルを処理できるように複数のチップを接続するため、これらのモジュールは大きくなります。多くのIGBT SiCパワーモジュールは、電気自動車、グリッド接続機能を備えた小型風力および太陽光再生可能エネルギーシステム、製品を作成するための産業機械で使用されています。他のパワーエレクトロニクスにも登場し、今日の当社の技術の中核原理の1つとなっています。
IGBT SiC がシリコン技術より優れているのはなぜでしょうか? 標準的な IGBT SiC デバイスよりもはるかに速く電流をオン/オフできます。また、従来のデバイスが故障するほどの高温にも耐えられるため、パフォーマンスが向上し、故障が最小限に抑えられます。2 番目に、これらのデバイスは電力密度が高いです。より多くの電力を処理できるだけでなく、小型化も可能なため、多くのアプリケーションに適しています。3 番目に、IGBT SiC 技術であるため、動作中に無駄になるエネルギーが少なくなります。これは、使用される電力が大幅に少なくなるため、単に浪費されるのではなく、実際に目的が達成されるため、非常に重要です。IGBT SiC デバイスは、高い信頼性を維持しながら、高電圧やブレークダウンに対応できます。
IGBT SiCデバイスの登場により、電気の利用方法の可能性が変わり、電気に対する考え方も変化しています。これにより、非常に効率的で信頼性の高い電力システムを開発できるようになります。これらの小さなデバイスは電気自動車に搭載されており、車の走行距離を延ばすとともに、バッテリーの寿命を延ばします。より多くのエネルギーを節約することは、環境に非常に良いことです。太陽光発電や風力発電の利用システムは、再生可能エネルギーシステムに有益なIGBT SiCデバイスに依存しています。これらは機械の効率を最適化し、工場や産業環境でのスペースを節約してパフォーマンスを向上させることもできます。IGBT SiCテクノロジーは、エネルギー損失を減らし、企業の運用コストを削減することで、パワーエレクトロニクス分野でも人気が高まっています。
IGBT SiC の最も素晴らしい特性の 1 つは、IGBT SiC がパワー エレクトロニクスに最適な候補の 1 つである理由です。また、他の手段よりも電力損失がはるかに少ない方法で高電圧および高電流を処理できるため、非常に効率的です。また、耐熱性があり、過酷な条件下で動作しても溶けることがないため、適切な温度でシームレスに動作できます。SiC は、実用的な Si デバイスの約 10 分の 1 以下でオンとオフを切り替えることができるため、超高速アプリケーションに非常に便利です。これらのデバイスは、従来の方法よりも長持ちし、時間の経過とともにメンテナンスが少なくて済みます。これらは高価かもしれませんが、よくできたものは時間の経過とともにお金を節約できるため、長期的には元が取れます。
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