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| 原産地： | 浙江 |
| ブランド名： | Inventchip Technology |
| 型番： | IV2Q06025T4Z |
| 認証： | AEC-Q101 |
特徴
第2世代SiC MOSFET技術
+18Vゲートドライブ
高いブロック電圧と低いオン抵抗
低容量による高速スイッチング
高い接合温度動作能力
非常に高速で堅牢なインヒンティブダイオード
ドライバ回路設計を容易にするケルビングエート入力
申請
自動車運転手
太陽光インバーター
自動車用 DC/DC コンバーター
自動車用コンプレッサーインバーター
スイッチング電源
概要：
マーク付き図：
絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 |
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 650 | v | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (DC) | 最大DC電圧 | -5 から 20 | v | 静的 (DC) | |
| VGSmax (スパイク) | 最大スパイク電圧 | -10 から 23 | v | 動作サイクル<1%、パルス幅<200ns | |
| VGSon | 推奨されるオン電圧 | 18±0.5 | v | ||
| VGSoff | 推奨されるオフ電圧 | -3.5 から -2 | v | ||
| id | ドレイン電流（連続） | 99 | A について | VGS =18V、TC =25°C | 図23 |
| 72 | A について | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | ドレイン電流（パルス） | 247 | A について | SOAによってパルス幅が制限される | 図26 |
| Ptot | 総電力損失 | 454 | W について | TC =25°C | 図24 |
| ターゲット・ストーブ | 保管温度範囲 | -55から175 | °C | ||
| Tj | 動作時の接合温度 | -55から175 | °C | ||
| 翻訳 | はんだ付け温度 | 260 | °C | リード部でのみ波動はんだ付けを許可、本体から1.6mm離して10秒間 |
熱データ
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 注記 |
| Rθ(J-C) | 接合部からケースまでの熱抵抗 | 0.33 | °C/W | 図25 |
電気的特性 (TC =25℃、特に指定がない場合)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 | ||
| 分。 | タイプする | マックス。 | |||||
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | 3 | 100 | 微分数 | VDS =650V, VGS =0V | ||
| IGSS | ゲート漏れ電流 | ±100 | NA | VDS =0V, VGS = -5～20V | |||
| VTH | ゲート 限界電圧 | 1.8 | 2.8 | 4.5 | v | VGS=VDS , ID =12mA | 図8、9 |
| 2.0 | VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175℃ | ||||||
| ロン | 静的なドレイン・ソースオン抵抗 | 25 | 33 | mΩ | VGS =18V, ID =40A @TJ =25℃ | 図4、5、6、7 | |
| 38 | mΩ | VGS =18V, ID =40A @TJ =175℃ | |||||
| Ciss | 入力容量 | 3090 | PF | VDS=600V、VGS =0V、f=1MHz、VAC=25mV | 図16 | ||
| Coss | 輸出容量 | 251 | PF | ||||
| Crss | 逆転移容量 | 19 | PF | ||||
| Eoss | Cossに蓄えられたエネルギー | 52 | μJ | 図17 | |||
| 司令部 | 総ゲート電荷 | 125 | nC | VDS =400V、ID =40A、VGS =-3から18V | 図18 | ||
| Qgs | ゲート-ソース充電量 | 35.7 | nC | ||||
| Qgd | ゲート-ドレイン充電量 | 38.5 | nC | ||||
| Rg | ゲート入力抵抗 | 1.5 | Ω | f=1MHz | |||
| エオン | オンスイッチングエネルギー | 218.8 | μJ | VDS =400V、ID =40A、VGS =-3.5〜18V、RG(外部) =3.3Ω、L=200μH、TJ =25℃ | 図19、20 | ||
| オーフ | オフスイッチングエネルギー | 95.0 | μJ | ||||
| オン (オン) | オンする遅延時間 | 12.9 | NS | ||||
| について | 昇る時間 | 26.5 | |||||
| 消して | オフ遅延時間 | 23.2 | |||||
| TF | 秋の時間 | 11.7 | |||||
| エオン | オンスイッチングエネルギー | 248.5 | μJ | VDS =400V、ID =40A、VGS =-3.5〜18V、RG(外部) =3.3Ω、L=200μH、TJ =175℃ | 図22 | ||
| オーフ | オフスイッチングエネルギー | 99.7 | μJ | ||||
逆ダイオード特性 (TC =25℃、特に指定がない場合)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 | ||
| 分。 | タイプする | マックス。 | |||||
| VSD | ダイオード前向き電圧 | 3.7 | v | ISD =20A、VGS =0V | 図10、11、12 | ||
| 3.5 | v | ISD =20A、VGS =0V、TJ =175℃ | |||||
| trr | 逆回復時間 | 32 | NS | VGS =-3.5V/＋18V、ISD =40A、VR =400V、RG(外部) =7.5Ω、L=200μH、di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | 逆回復電荷 | 195.3 | nC | ||||
| IRRM | ピーク逆回復電流 | 20.2 | A について | ||||
典型的性能（カーブ）
パッケージの寸法
注記：
1. パッケージ基準：JEDEC TO247、バリエーションAD
2. 全ての寸法はmmです
3. スロットが必要、切り欠きは丸められる場合があります
4. D&E の寸法にはモールドフラッシュは含まれていません
5. 予告なく変更されることがあります
EN
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