1700V 1000mΩ SiC MOSFET 太陽光発電インバータ

原産地：	浙江
ブランド名：	Inventchip Technology
型番：	IV2Q171R0D7Z
認証：	AEC-Q101認証取得

特徴

• ＋15～＋18Vゲートドライブを備えた第2世代SiC MOSFET技術

• 高いブロック電圧と低いオン抵抗

• 低容量による高速スイッチング

• 175℃の稼働接合温度能力

• 超高速かつ堅牢な intrinsic body ダイオード

• ドライバ回路設計を容易にするケルビングエート入力

• AEC-Q101認証取得

申請

• 太陽光インバーター

• 補助電源

• スイッチング電源

• スマートメーター

概要：

 

マーク付き図：

絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)

シンボル	パラメータ	価値	ユニット	試験条件	注記
VDS	ドレイン-ソース間電圧	1700	v	VGS =0V、ID =10μA
VGSmax (トランジェント時)	最大スパイク電圧	-10 から 23	v	動作サイクル <1%, パルス幅<200ns
VGSon	推奨されるオン電圧	15 から 18	v
VGSoff	推奨されるオフ電圧	-5 から -2	v	典型的な値 -3.5V
id	ドレイン電流（連続）	6.3	A について	VGS =18V、TC =25°C	図23
		4.8	A について	VGS =18V, TC =100°C
IDM	ドレイン電流（パルス）	15.7	A について	SOAと動的Rθ(J-C)によるパルス幅制限	図25、26
ISM	ボディダイオード電流（パルス）	15.7	A について	SOAと動的Rθ(J-C)によるパルス幅制限	図25、26
Ptot	総電力損失	73	W について	TC =25°C	図24
ターゲット・ストーブ	保管温度範囲	-55から175	°C
Tj	動作時の接合温度	-55から175	°C

熱データ

シンボル	パラメータ	価値	ユニット	注記
Rθ(J-C)	接合部からケースまでの熱抵抗	2.05	°C/W	図25

電気的特性 (特に指定がない場合、TC = 25°C)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
		分。	タイプする	マックス。
IDSS	ゼロゲート電圧ドレイン電流		1	10	微分数	VDS = 1700V, VGS = 0V
IGSS	ゲート漏れ電流			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5～20V
VTH	ゲート 限界電圧	1.8	3.0	4.5	v	VGS = VDS, ID = 380uA	図8、9
			2.0		v	VGS =VDS、ID =380uA @ TJ =175°C
ロン	静的なドレイン・ソース間オン抵抗		700 1280	910	mΩ	VGS=18V、ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	図4、5、6、7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V、ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	入力容量		285		PF	VDS =1000V、VGS =0V、f=1MHz、VAC=25mV	図16
Coss	輸出容量		15.3		PF
Crss	逆転移容量		2.2		PF
Eoss	Cossに蓄えられたエネルギー		11		μJ		図17
司令部	総ゲート電荷		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5から18V	図18
Qgs	ゲート-ソース充電量		2.7		nC
Qgd	ゲート-ドレイン充電量		12.5		nC
Rg	ゲート入力抵抗		13		Ω	f=1MHz
エオン	オンスイッチングエネルギー		51.0		μJ	VDS =1000V、ID =2A、VGS =-3.5Vから18V、RG(外部) =10Ω、L=2330μH、Tj=25°C	図19、20
オーフ	オフスイッチングエネルギー		17.0		μJ
オン (オン)	オンする遅延時間		4.8		NS
について	昇る時間		13.2
消して	オフ遅延時間		12.0
TF	秋の時間		66.8
エオン	オンスイッチングエネルギー		90.3		μJ	VDS =1000V、ID =2A、VGS =-3.5Vから18V、RG(外部) =10Ω、L=2330μH、Tj=175°C	図22

逆ダイオード特性 (TC =25℃、特に指定がない場合)

シンボル	パラメータ	価値			ユニット	試験条件	注記
		分。	タイプする	マックス。
VSD	ダイオード前向き電圧		4.0		v	ISD =1A, VGS =0V	図10、11、12
			3.8		v	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
は	ダイオード正向電流（連続）			11.8	A について	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A について	VGS =-2V, TC=100。C
trr	逆回復時間		20.6		NS	VGS=-3.5V／+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(外部)=10Ω L=2330μ H di／dt=5000A／μs
Qrr	逆回復電荷		54.2		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		8.2		A について

典型的性能（カーブ）

 

パッケージの寸法

注記：

1. パッケージ基準：JEDEC TO263、バリエーションAD

2. 全ての寸法はmmです

3. 無通知での変更の可能性あり