1700V 1000mΩ SiC MOSFET ソーラーインバータ日本

特徴

アプリケーション

概要：

マーキング図:

絶対最大定格(特に指定のない限り、TC=25℃)

熱データ

シンボル		値	ユニット	注意
Rθ(JC)	ジャンクションからケースまでの熱抵抗	2.05	°C / W	図25

電気的特性（特に指定がない限りTC =25°C）

シンボル		値			ユニット	試験条件	注意
		ミン。	Typ。	マックス。
IDSS	ゼロゲート電圧ドレイン電流		1	10	μA	VDS =1700V、VGS =0V
IGSS	ゲート漏れ電流			±100	nA	VDS = 0V、VGS = -5～20V
VTHカード	ゲート閾値電圧	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS、ID =380uA	図8、9
			2.0		V	VGS =VDS、ID =380uA @ TJ =175°C
RON	静的なドレイン・ソース間オン抵抗		700 1280	910	mΩ	VGS=18V、ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	図4、5、6、7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V、ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
シス	入力容量		285		pF	VDS =1000V、VGS =0V、f=1MHz、VAC=25mV	図16
コス	出力容量		15.3		pF
クロス	逆伝達容量		2.2		pF
イオス	コスト貯蔵エネルギー		11		μJ		図17
Qg	総ゲートチャージ		16.5		nC	VDS =1000V、ID =1A、VGS =-5～18V	図18
Qgs	ゲートソース電荷		2.7		nC
Qgd	ゲート・ドレイン電荷		12.5		nC
Rg	ゲート入力抵抗		13		Ω	f=1MHz
EON	ターンオンスイッチングエネルギー		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	図19、20
EOFF	ターンオフスイッチングエネルギー		17.0		μJ
td(オン)	ターンオン遅延時間		4.8		ns
tr	立ち上がり時間		13.2
td(オフ)	ターンオフ遅延時間		12.0
tf	立ち下がり時間		66.8
EON	ターンオンスイッチングエネルギー		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	図22

逆方向ダイオード特性(特に指定のない限り、TC =25.C)

シンボル		値			ユニット	試験条件	注意
シンボル		ミン。	Typ。	マックス。	ユニット	試験条件	注意
VSD	ダイオード順電圧		4.0		V	ISD = 1A、VGS = 0V	図10、11、12
VSD	ダイオード順電圧		3.8		V	ISD =1A、VGS =0V、TJ =175。C	図10、11、12
IS	ダイオード順方向電流（連続）			11.8	A	VGS =-2V、TC =25℃
IS	ダイオード順方向電流（連続）			6.8	A	VGS =-2V、TC=100。C
てら	逆回復時間		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	逆回復チャージ		54.2		nC
IRRM	ピーク逆回復電流		8.2		A