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| 原産地： | 上海 |
| ブランド名： | Inventchip Technology |
| 型番： | IV2Q12040T4Z |
| 認証： | AEC-Q101 |
特徴
2以及 Generation SiC MOSFET 技術を使用して
+15～+18V ゲート駆動
高いブロック電圧と低いオン抵抗
低容量による高速スイッチング
175°Cの動作接合温度能力
超高速かつ堅牢な intrinsic body ダイオード
ドライバ回路設計を容易にするケルビングエート入力
AEC-Q101認証取得
申請
EV充電器およびOBC
ソーラーブースター
自動車用コンプレッサーインバーター
AC／DC電源
概要：
マーク付き図：
絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 |
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 1200 | v | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (トランジェント時) | 最大トランジェント電圧 | -10 から 23 | v | 動作サイクル<1%、パルス幅<200ns | |
| VGSon | 推奨されるオン電圧 | 15 から 18 | v | ||
| VGSoff | 推奨されるオフ電圧 | -5 から -2 | v | 典型的な-3.5V | |
| id | ドレイン電流（連続） | 65 | A について | VGS =18V、TC =25°C | 図23 |
| 48 | A について | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | ドレイン電流（パルス） | 162 | A について | SOAと動的Rθ(J-C)によるパルス幅制限 | 図25、26 |
| ISM | ボディダイオード電流（パルス） | 162 | A について | SOAと動的Rθ(J-C)によるパルス幅制限 | 図25、26 |
| Ptot | 総電力損失 | 375 | W について | TC =25°C | 図24 |
| ターゲット・ストーブ | 保管温度範囲 | -55から175 | °C | ||
| Tj | 動作時の接合温度 | -55から175 | °C | ||
| 翻訳 | はんだ付け温度 | 260 | °C | リード部でのみ波動はんだ付けを許可、本体から1.6mm離して10秒間 |
熱データ
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 注記 |
| Rθ(J-C) | 接合部からケースまでの熱抵抗 | 0.4 | °C/W | 図25 |
電気的特性（特に指定がない場合TC = 25℃）
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 | ||
| 分。 | タイプする | マックス。 | |||||
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | 5 | 100 | 微分数 | VDS =1200V, VGS =0V | ||
| IGSS | ゲート漏れ電流 | ±100 | NA | VDS =0V, VGS = -5～20V | |||
| VTH | ゲート 限界電圧 | 1.8 | 2.8 | 4.5 | v | VGS =VDS , ID =9mA | 図8、9 |
| 2.1 | VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175℃ | ||||||
| ロン | 静的なドレイン・ソース間オン抵抗 | 40 | 52 | mΩ | VGS =18V, ID =20A @TJ =25℃ | 図4、5、6、7 | |
| 75 | mΩ | VGS =18V、ID =20A @TJ =175。C | |||||
| 50 | 65 | mΩ | VGS =15V、ID =20A @TJ =25。C | ||||
| 80 | mΩ | VGS =15V、ID =20A @TJ =175。C | |||||
| Ciss | 入力容量 | 2160 | PF | VDS=800V、VGS =0V、f=1MHz、VAC=25mV | 図16 | ||
| Coss | 輸出容量 | 100 | PF | ||||
| Crss | 逆転移容量 | 5.8 | PF | ||||
| Eoss | Cossに蓄えられたエネルギー | 40 | μJ | 図17 | |||
| 司令部 | 総ゲート電荷 | 110 | nC | VDS =800V、ID =30A、VGS =-3から18V | 図18 | ||
| Qgs | ゲート-ソース充電量 | 25 | nC | ||||
| Qgd | ゲート-ドレイン充電量 | 59 | nC | ||||
| Rg | ゲート入力抵抗 | 2.1 | Ω | f=1MHz | |||
| エオン | オンスイッチングエネルギー | 446.3 | μJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5から18V, RG(外部) =3.3Ω, L=200μH TJ =25℃ | 図19、20 | ||
| オーフ | オフスイッチングエネルギー | 70.0 | μJ | ||||
| オン (オン) | オンする遅延時間 | 9.6 | NS | ||||
| について | 昇る時間 | 22.1 | |||||
| 消して | オフ遅延時間 | 19.3 | |||||
| TF | 秋の時間 | 10.5 | |||||
| エオン | オンスイッチングエネルギー | 644.4 | μJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5から18V, RG(外部) =3.3Ω, L=200μH TJ =175℃ | 図22 | ||
| オーフ | オフスイッチングエネルギー | 73.8 | μJ | ||||
逆ダイオード特性 (特に指定がない場合、TC =25℃)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 | 注記 | ||
| 分。 | タイプする | マックス。 | |||||
| VSD | ダイオード前向き電圧 | 4.2 | v | ISD =20A、VGS =0V | 図10、11、12 | ||
| 4.0 | v | ISD =20A、VGS =0V、TJ =175℃ | |||||
| は | ダイオード正向電流（連続） | 63 | A について | VGS =-2V, TC =25。C | |||
| 36 | A について | VGS =-2V, TC=100。C | |||||
| trr | 逆回復時間 | 42.0 | NS | VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(外部) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | 逆回復電荷 | 198.1 | nC | ||||
| IRRM | ピーク逆回復電流 | 17.4 | A について | ||||
典型的性能（カーブ）
パッケージの寸法
注記：
1. パッケージ基準：JEDEC TO247、バリエーションAD
2. 全ての寸法はmmです
3. スロットが必要、切り欠きは丸められる場合があります
4. D&E の寸法にはモールドフラッシュは含まれていません
5. 予告なく変更されることがあります
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