| 原産地： | 浙江 |
| ブランド名： | Inventchip Technology |
| 型番： | IV1D12010T2 |
| 認証： |
| 梱包数: | 450個 |
| 価格: | |
| パッケージ詳細： | |
| 配送時間： | |
| 支払い条件： | |
| 供給能力： |
特徴
最大接合温度 175°C
高いサージ電流容量
ゼロ逆回復電流
ゼロ前方回復電圧
高周波操作
温度に依存しないスイッチング動作
VF における正の温度係数
申請
ソーラーパワー・ブースト
インバーターフリーホイールダイオード
ヴィエナ 3相 PFC
AC/DC コンバーター
スイッチング電源
概要
マーク図
絶対最大格付け (TC=25°C でない場合を除き指定)
| シンボル | パラメータ | 価値 | ユニット |
| VRRM | 逆電圧（繰り返しピーク） | 1200 | v |
| VDC | DCカット電圧 | 1200 | v |
| IF | 順方向電流（連続）@Tc=25°C | 30 | A について |
| 順方向電流（連続）@Tc=135°C | 15.2 | A について | |
| 順方向電流（連続）@Tc=155°C | 10 | A について | |
| IFSM | サージ非繰り返し順方向電流の正弦半波 @Tc=25°C tp=10ms | 72 | A について |
| IFRM | サージ繰り返し順方向電流 (周波数=0.1Hz, 100サイクル) 正弦半波 @Tamb =25°C tp=10ms | 56 | A について |
| Ptot | 総消費電力 @ Tc=25°C | 176 | W について |
| 総消費電力 @ Tc=150°C | 29 | ||
| I2t値 @Tc=25°C tp=10ms | 26 | A2s | |
| ターゲット・ストーブ | 保管温度範囲 | -55から175 | °C |
| Tj | 動作接合温度範囲 | -55から175 | °C |
最大定格表に記載されている値を超えるストレスは、デバイスに損傷を与える可能性があります。これらの限界値を超えた場合、デバイスの機能が保証されず、損傷や信頼性への影響が生じる可能性があります。
電気的特性
| シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット | 試験条件 | 注記 |
| VF について | 順方向電圧 | 1.48 | 1.7 | v | IF = 10 A TJ =25°C | 図1 |
| 2.0 | 3.0 | IF = 10 A TJ =175°C | ||||
| アイアール | 逆電流 | 1 | 100 | 微分数 | VR = 1200 V TJ =25°C | 図2 |
| 10 | 250 | VR = 1200 V TJ =175°C | ||||
| C | 総容量 | 575 | PF | VR = 1 V、TJ = 25°C、f = 1 MHz | 図3 | |
| 59 | VR = 400 V、TJ = 25˚C、f = 1 MHz | |||||
| 42.5 | VR = 800 V、TJ = 25˚C、f = 1 MHz | |||||
| qc | 総容量電荷 | 62 | nC | VR = 800 V、TJ = 25°C、Qc = C(v)dv | 図4 | |
| ec | 容量保存エネルギー | 16.8 | μJ | VR = 800 V、TJ = 25°C、Ec = C(v) ⋅vdv | 図5 |
熱特性
| シンボル | パラメータ | タイプする | ユニット | 注記 |
| Rth(j-c) | 接合部からケースまでの熱抵抗 | 0.85 | °C/W | 図7 |
典型的な性能
パッケージの寸法
注記：
1. パッケージ基準：JEDEC TO247、バリエーションAD
2. 全ての寸法はmmです
3. スロットが必要、ノッチは丸みのある形状または長方形である場合あり
4. D&E の寸法にはモールドフラッシュは含まれていません
5. 予告なく変更されることがあります
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